***溫度檢測(cè)模塊用于檢測(cè)***分區(qū)的溫度值，并將檢測(cè)到的***分區(qū)溫度值發(fā)送給控制模塊，***加熱模塊用于加熱***分區(qū)；第二分區(qū)包括第二加熱模塊和第二溫度檢測(cè)模塊，第二溫度檢測(cè)模塊用于檢測(cè)第二分區(qū)的溫度值，并將檢測(cè)到的第二分區(qū)溫度值發(fā)送給控制模塊，第二加熱模塊用于加熱第二分區(qū)；控制模塊接收到***分區(qū)溫度值和第二分區(qū)溫度值后，控制模塊計(jì)算***分區(qū)溫度值和第二分區(qū)溫度值的差值，若差值大于預(yù)設(shè)的精度值，則控制模塊調(diào)整***加熱模塊或者第二加熱模塊的輸出功率，直到差值小于精度值。其中，***溫度檢測(cè)模塊和第二溫度檢測(cè)模塊為熱敏電阻。其中，***溫度檢測(cè)模塊和第二溫度檢測(cè)模塊為鉑熱電阻。其中，***加熱模塊包括***功率繼電器和***加熱絲，控制模塊通過(guò)調(diào)整***功率繼電器的輸出功率，調(diào)整***加熱絲的功率。其中，第二加熱模塊包括第二功率繼電器和第二加熱絲，控制模塊通過(guò)調(diào)整第二功率繼電器的輸出功率，調(diào)整第二加熱絲的功率。其中，***溫度檢測(cè)模塊和第二溫度檢測(cè)模塊采用型號(hào)為pt1000的鉑熱電阻。其中，控制模塊在加熱升溫階段和冷卻降溫階段的精度值大于溫度穩(wěn)定階段的精度值。其中，控制模塊在加熱升溫階段精度值為℃。其中。控制模塊降低溫度較高的分區(qū)的功率繼電器的輸出功率。上海 PA2012-FC-PCC20A加熱板

    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓加熱裝置。背景技術(shù)：隨著科技進(jìn)步，晶片的加工工藝越來(lái)越復(fù)雜，要求在單位晶圓面積內(nèi)制作的器件更多，致使晶圓內(nèi)線路的寬度變得更窄，晶圓在熱盤上加熱時(shí)，對(duì)熱盤溫度的均勻性要求更高。晶圓加熱中使用的熱盤都是由上盤和壓片中夾一塊加熱片，或是在上盤中埋入幾個(gè)加熱管構(gòu)成，通過(guò)一個(gè)溫度傳感器和一個(gè)控制器控制熱盤的溫度。使得熱盤表面溫度并不均勻，不能滿足高精度晶圓的加工需求。再如中國(guó)實(shí)用新型u所公開(kāi)的一種電控晶圓加熱盤，包括硅橡膠電熱圈、熱導(dǎo)金屬板、晶圓托盤、電子顯示盒和屏蔽罩。所述硅橡膠電熱圈與熱導(dǎo)金屬板連接；所述熱導(dǎo)金屬板與電子顯示盒連接；所述晶圓托盤放置在熱導(dǎo)金屬板上方，并與電子顯示盒相連；所述的屏蔽罩與電子顯示盒相連，該實(shí)用新型只使用一個(gè)電熱圈，會(huì)出現(xiàn)加熱不均勻的情況。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：一、要解決的技術(shù)問(wèn)題針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所存在的上述缺陷，現(xiàn)有的晶圓加熱方法存在的均勻性不佳的問(wèn)題。二、技術(shù)方案為解決上述問(wèn)題，特提供一種晶圓加熱裝置，晶圓加熱裝置包括控制模塊和多分區(qū)熱盤，多分區(qū)熱盤包括***分區(qū)和第二分區(qū)；***分區(qū)包括***加熱模塊和***溫度檢測(cè)模塊。MSA FACTORYPA2020-FC-PCC20A加熱板總經(jīng)銷而當(dāng)使用多層加熱桶時(shí)，則由于加熱桶體積變大、結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，因此生產(chǎn)成本增加。

    電熱恒溫加熱板由箱殼、微晶玻璃加熱面、陶瓷纖維加熱盤及高溫鎳鎘爐絲，控制盒構(gòu)成。箱殼分兩種：一種為全不銹鋼，另一種為較好的碳鋼沖壓而成。表面靜電噴塑。溫控采用智能型數(shù)碼顯示溫控器，控溫準(zhǔn)確可靠。電熱恒溫加熱板使用方便，散熱均勻，堅(jiān)固耐用。因其電熱絲暗藏于殼體內(nèi)部，不裸露外表，適用于不能直接接觸明火的物品加熱，保溫作用。該產(chǎn)品用于大專院校、石油化工、醫(yī)藥、環(huán)保等實(shí)驗(yàn)室液體加熱用。電熱恒溫加熱板維護(hù)保養(yǎng)及注意事項(xiàng)：1.每次使用結(jié)束后，關(guān)掉電源開(kāi)關(guān)。2.長(zhǎng)時(shí)間不用需拔掉電源插頭，并將加熱板放在干燥處并套好塑料防塵罩。3.儀器在維修前必須先清理干凈。4.使用說(shuō)明書(shū)在使用過(guò)程中要保存好。5.加熱板將不對(duì)纂改保護(hù)裝置而造成的財(cái)產(chǎn)、人和物產(chǎn)生的損失負(fù)責(zé)。6.將對(duì)不遵守規(guī)定和預(yù)防措施而造成的財(cái)產(chǎn)，人和物造成的損失概不負(fù)責(zé)。7.將對(duì)使用不負(fù)責(zé)任，以及不按使用說(shuō)明書(shū)說(shuō)明操作造成的缺陷和功能障礙不負(fù)責(zé)。8.確保定期的檢查維護(hù)所有的操作是否正常，包括清潔，定期檢查和保證儀器使用時(shí)的安全性。

    沉積摻雜硼磷的氧化層含有硼磷雜質(zhì)的SiO2層，有較低的熔點(diǎn)，硼磷氧化層(BPSG)加熱到800oC時(shí)會(huì)軟化并有流動(dòng)特性，可使晶圓表面初級(jí)平坦化。深處理濺鍍***層金屬利用光刻技術(shù)留出金屬接觸洞，濺鍍鈦+氮化鈦+鋁+氮化鈦等多層金屬膜。離子刻蝕出布線結(jié)構(gòu)，并用PECVD在上面沉積一層SiO2介電質(zhì)。并用SOG(spinonglass)使表面平坦，加熱去除SOG中的溶劑。然后再沉積一層介電質(zhì)，為沉積第二層金屬作準(zhǔn)備。（1）薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。有絕緣膜、半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD(chemicalvapordeposition)法以及物理現(xiàn)象的PVD(physicalvapordeposition)法兩大類。CVD法有外延生長(zhǎng)法、HCVD，PECVD等。PVD有濺射法和真空蒸發(fā)法。一般而言，PVD溫度低，沒(méi)有毒氣問(wèn)題；CVD溫度高，需達(dá)到1000oC以上將氣體解離，來(lái)產(chǎn)生化學(xué)作用。PVD沉積到材料表面的附著力較CVD差一些，PVD適用于在光電產(chǎn)業(yè)，而半導(dǎo)體制程中的金屬導(dǎo)電膜大多使用PVD來(lái)沉積，而其他絕緣膜則大多數(shù)采用要求較嚴(yán)謹(jǐn)?shù)腃VD技術(shù)。以PVD被覆硬質(zhì)薄膜具有**度，耐腐蝕等特點(diǎn)。（2）真空蒸發(fā)法。在高溫下加熱器周圍形成油脂或石灰石，從而降低熱導(dǎo)率、縮短加熱器的壽命、增大耗電率。

    每組加熱片的形狀均是拱形包抄著由中心點(diǎn)o向外拓展；相鄰兩組加熱片包抄的拐點(diǎn)彼此錯(cuò)開(kāi)，每組加熱片的自由端分別連結(jié)電源的兩極。其中，加熱片的數(shù)目可以是如圖4所示為兩組，包括：***加熱片6和第二加熱片7；所述***加熱片6的***迂回端61和第二加熱片7的第二迂回端71彼此縱橫組成曲折的留置區(qū)8。本發(fā)明的***個(gè)實(shí)施例：如圖4所示，所述每組加熱片為單獨(dú)設(shè)立彼此分離，座落中心點(diǎn)o附近的加熱片的自由端連結(jié)著相同電極，***熱弧片60和第二熱弧片70分別與***加熱片6和第二加熱片7連結(jié)。在該實(shí)行例中，由于多組加熱片是單獨(dú)設(shè)立的，因此當(dāng)加熱片受熱后，其自身可以具足夠大的延展空間，不會(huì)影響總體的變形，從而化解了技術(shù)疑問(wèn)一；而中心對(duì)稱設(shè)立的多組加熱片可以合理擺設(shè)加熱片的電極，如圖4所示，在中心對(duì)稱的外邊沿可以設(shè)立相同的電極，而中心點(diǎn)o的附近連通相同的另一個(gè)電極，這種長(zhǎng)距離分布，可以防范電源短路，進(jìn)而化解了技術(shù)疑問(wèn)二。同時(shí)，為了確保加熱的平穩(wěn)，中心對(duì)稱的加熱片可以很好的通過(guò)錯(cuò)位，讓相鄰兩組加熱片之間的留置區(qū)8布置的更合理，而這種合理的相距可以避免圖3所示的，兩組加熱片附近的加熱片變形等，進(jìn)而化解了技術(shù)疑問(wèn)三。輔助加熱水套與中心加熱筒2連通的一端用于輔助加熱，封閉端用于線圈7的安裝檢修。MSA FACTORYPA8020-CC-PCC200V加熱板

攪拌器附件優(yōu)異的性能與智能技術(shù)令人印象深深的高性能。上海 PA2012-FC-PCC20A加熱板

    **名稱：一種高頻加熱時(shí)精確控制溫度的方法技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種高頻加熱時(shí)溫度控制的方法，具體涉及一種晶體管高頻加熱時(shí)精確控制溫度的裝置及方法。背景技術(shù)：在冶煉、鍛造、熱拉、熱裝、焊接、熱處理等金屬制造業(yè)領(lǐng)域，高頻加熱的方法已開(kāi)始逐漸代替?zhèn)鹘y(tǒng)的加熱方法，高頻加熱作為一種新型的加熱方式具有節(jié)約能源、加熱靈活、操作方便等優(yōu)點(diǎn)。在金屬材料熱處理領(lǐng)域，由于不同的材料比較好淬火溫度有所不同，因此需要能夠精確的控制溫度。高頻加熱的方式雖然具有一系列的優(yōu)點(diǎn)，但在其溫度控制方法上仍然存在以下的不足1，通過(guò)傳統(tǒng)的時(shí)間控制的熱處理的淬火溫度在士30°C左右，并且受輸入電壓、環(huán)境溫度、工件尺寸公差、感應(yīng)器等因素影響可能溫度波動(dòng)還要大，而理想的熱處理的淬火溫度是在目標(biāo)溫度士10°c范圍內(nèi)，因此在加工溫度精度要求比較高的材料時(shí)，傳統(tǒng)的方法不能滿足質(zhì)量的要求；2，即使通過(guò)紅外溫度控制等方式，排除輸入電壓、環(huán)境溫度、工件尺寸公差、感應(yīng)器等因素的影響，晶體管高頻加熱工件，當(dāng)外界給出高頻斷開(kāi)信號(hào)時(shí)，由于電源控制系統(tǒng)的問(wèn)題，高頻不能在這一瞬間斷開(kāi)，高頻斷開(kāi)往往有個(gè)時(shí)間滯后，并且這個(gè)滯后時(shí)間存在一定誤差。上海 PA2012-FC-PCC20A加熱板

上海九展自動(dòng)化技術(shù)有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地，繪畫(huà)新藍(lán)圖，在上海市等地區(qū)的機(jī)械及行業(yè)設(shè)備中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易，失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來(lái)上海九展自動(dòng)化供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái)，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī)，也不足以驕傲，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想！