所述方法包括：提供兩個(gè)印刷電路裝配件，每個(gè)所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，在所述系統(tǒng)板上的多個(gè)印刷電路板插座，多個(gè)液體冷卻管，每個(gè)所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座地耦聯(lián)至所述系統(tǒng)板，連接至所述印刷電路板插座的多個(gè)集成電路模塊，和多個(gè)散熱器，每個(gè)所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個(gè)集成電路模塊熱耦聯(lián)；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個(gè)印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個(gè)印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個(gè)印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯(lián)。附圖說明參考下列附圖，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)不同實(shí)施例詳細(xì)描述了本公開。附圖出于說明的目的提供，并且描繪典型或示例的實(shí)施例。圖1是系統(tǒng)的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實(shí)施不同實(shí)施例。圖2a和圖2b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的雙列直插式存儲模塊(dimm)組件。圖3示出了圖2a和圖2b的雙列直插式存儲模塊組件的一側(cè)的視圖。圖4a示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的兩個(gè)相同的印刷電路裝配件。圖4b示出了圖4a的兩個(gè)印刷電路裝配件，所述兩個(gè)印刷電路裝配件相對地放置在一起。集成電路產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵，是新一輪科技產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。北京扁平形集成電路器件

    例如，邏輯“”)。調(diào)節(jié)訪問裝置分別具有通過其可以控制提供給相關(guān)的工作mtj器件的電流的電阻。例如，調(diào)節(jié)訪問裝置a,被配置為控制提供給工作mtj器件a,的電流，調(diào)節(jié)訪問裝置b,被配置為控制提供給工作mtj器件b,的電流等。調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為通過控制提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對存儲器陣列內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)工作mtj器件提供訪問。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件，一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層b與自由層b分隔開的固定層b。例如，在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括與相關(guān)的工作mtj器件連接的并聯(lián)連接的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實(shí)施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實(shí)施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括一個(gè)或多個(gè)電阻器(例如，包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如。長春小規(guī)模集成電路工藝電路設(shè)計(jì)的模塊化方法確保了快速采用標(biāo)準(zhǔn)化集成電路代替了設(shè)計(jì)使用離散晶體管；

    mram單元)的尺寸，因?yàn)樵摮叽绮辉偃Q于驅(qū)動晶體管的尺寸。出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路包括具有多個(gè)存儲單元a,至b,的存儲器陣列。多個(gè)存儲單元a,至b,以行和/或列布置在存儲器陣列內(nèi)。例如，行存儲單元包括存儲單元a,和a,，而列存儲單元包括存儲單元a,和b,。在一些實(shí)施例中，多個(gè)存儲單元a,至b,可以包括多個(gè)mram單元。多個(gè)存儲單元a,至b,(例如，mram單元)分別包括連接至調(diào)節(jié)訪問裝置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道結(jié)(mtj)，磁隧道結(jié)(mtj)具有通過介電遂穿阻擋層a與自由層a分隔開的固定層a。固定層a具有固定的磁向，而自由層a具有可以在操作期間(通過隧道磁阻(tmr)效應(yīng))改變?yōu)橄鄬τ诠潭▽觓的磁向平行(即，“p”狀態(tài))或反向平行(即，“ap”狀態(tài))的磁向。固定層a和自由層a的磁向之間的關(guān)系限定了mtj的電阻狀態(tài)，并且從而使得多個(gè)存儲單元a,至b,能夠分別存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，數(shù)據(jù)狀態(tài)具有基于存儲單元內(nèi)的工作mtj器件的電阻的值。例如，如果工作mtj器件a,具有低電阻狀態(tài)，則存儲單元a,將存儲位值(例如，邏輯“”)，或者如果工作mtj器件a,具有高電阻狀態(tài)，則存儲單元a,將存儲位值。

    以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫入操作的步驟通過將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件來實(shí)施。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實(shí)施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲單元a,和第三存儲單元a。內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，來自調(diào)節(jié)mtj器件的電流加在一起，使得為電流i的兩倍的電流流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。電流i的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。存儲單元a。內(nèi)的工作mtj器件不受寫入操作的步驟的影響，因?yàn)榉橇闫秒妷簐(例如。v)和第四非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。然而，電流i的兩倍小于切換電流isw，因此沒有將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入至存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。類似地。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路；

    滿足短聯(lián)結(jié)線路要求，滿足佳導(dǎo)熱要求。上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層通過聯(lián)結(jié)pad與元件聯(lián)結(jié)。上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱。上層基板可選的可以有上下兩層金屬層，內(nèi)層金屬層通過聯(lián)結(jié)pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱。上層基板可選的可以有多層金屬層，除了上下兩層金屬層的內(nèi)層金屬層通過聯(lián)接pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱以外，上層基板內(nèi)部還有一層或者多層金屬層，并通過開孔沉金，以完成復(fù)雜的集成電路互聯(lián)。下層基板可選的一定有一層金屬層，此金屬層上的聯(lián)結(jié)pad就是此集成電路的聯(lián)結(jié)pad，留待pcb應(yīng)用。下層基板可選的可以有多層金屬層，除了外層金屬層用作此集成電路的聯(lián)結(jié)pad外，下層基板還可以有多層金屬層，并通過開孔沉金互聯(lián)，以完成復(fù)雜的集成電路互聯(lián)?？蛇x的中間基板可選的具有上層基板和下層基板的所有特點(diǎn)，通過聯(lián)結(jié)pad與元件和其他基板聯(lián)結(jié)。本申請實(shí)施例中，集成電路封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部聯(lián)結(jié)線路短，導(dǎo)流能力強(qiáng)，導(dǎo)熱能力強(qiáng)，寄生電參數(shù)小，可以滿足市場上對集成電路更小型化，更高功率密度的要求。附圖說明為了更清楚地說明本申請實(shí)施例中的技術(shù)方案。穩(wěn)定靠譜的集成電路供應(yīng)，認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美科技現(xiàn)貨商。東莞雙列直插型集成電路器件

集成電路產(chǎn)業(yè)是數(shù)字經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，是構(gòu)筑我國經(jīng)濟(jì)未來競爭新優(yōu)勢的基礎(chǔ)力量來源之一。北京扁平形集成電路器件

    在互連層a的上表面上方形成多個(gè)底電極通孔。多個(gè)底電極通孔由介電層圍繞。在一些實(shí)施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內(nèi)的沉積工藝形成多個(gè)底電極通孔。在各個(gè)實(shí)施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)底電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)底電極通孔上方形成多個(gè)mtj器件、和。多個(gè)mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層可以形成為接觸底電極通孔。在其它實(shí)施例中。自由層可以形成為接觸底電極通孔。多個(gè)mtj器件、和中的一個(gè)包括被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)的工作mtj器件。多個(gè)mtj器件、和中的一個(gè)或多個(gè)包括設(shè)置在調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件和，調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為控制(即，調(diào)節(jié))提供給相關(guān)的工作mtj器件的電流。在一些實(shí)施例中，可以同時(shí)形成多個(gè)mtj器件、和。例如，在一些實(shí)施例中，可以通過在介電層和多個(gè)底電極通孔上方沉積磁固定膜。在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個(gè)mtj器件、和。北京扁平形集成電路器件