另一種方法使用將雙列直插式存儲(chǔ)模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件，所述散熱器熱耦聯(lián)至循環(huán)制冷液體的冷卻管。所公開(kāi)的實(shí)施例以兩個(gè)系統(tǒng)板為一對(duì)。每個(gè)系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲(chǔ)模塊之間交錯(cuò)的冷卻管。當(dāng)這些系統(tǒng)板相對(duì)地放置在一起時(shí)，每個(gè)系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲(chǔ)模塊由在另一個(gè)系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲(chǔ)模塊，同時(shí)仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護(hù)，而沒(méi)有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲(chǔ)模塊描述了不同實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到的是，所公開(kāi)的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)元素/部件。圖是系統(tǒng)的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實(shí)施不同實(shí)施例。系統(tǒng)包括計(jì)算部件，所述計(jì)算部件包括處理器和存儲(chǔ)器6。存儲(chǔ)器6包括多個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。系統(tǒng)還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵、熱交換器和儲(chǔ)液器。泵將冷卻液體提供給雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。由雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件產(chǎn)生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。集成電路行業(yè)作為全球信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),是世界電子信息技術(shù)創(chuàng)新的基石。天津半導(dǎo)體集成電路報(bào)價(jià)

    字線解碼器被配置為選擇性地將信號(hào)施加至連接至存儲(chǔ)器陣列的一條或多條字線wl至wl，并且位線解碼器被配置成選擇性地將信號(hào)施加至連接至存儲(chǔ)器陣列的一條或多條位線bl至bl。通過(guò)選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條位線bl至bl，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問(wèn)多個(gè)工作mtj器件中的不同工作mtj器件。例如，圖a至圖b示出了圖的存儲(chǔ)器電路的寫(xiě)入操作的一些實(shí)施例的示意圖和。示意圖和所示的寫(xiě)入操作是實(shí)施寫(xiě)入操作的方法的非限制性實(shí)例。在其它實(shí)施例中，可以可選地使用實(shí)施寫(xiě)入操作的其它方法。圖a至圖b中示出的寫(xiě)入操作在步驟。圖a所示)期間將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入至存儲(chǔ)器陣列的一行中的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元，并且在隨后的步驟(圖b所示)期間將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入至存儲(chǔ)器陣列的該行中的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元，以使用兩步工藝將數(shù)據(jù)寫(xiě)入至存儲(chǔ)器陣列的整個(gè)行。應(yīng)該理解，為了將數(shù)據(jù)寫(xiě)入mtj器件。提供的通過(guò)mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會(huì)導(dǎo)致電阻狀態(tài)之間的切換，并且因此不會(huì)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的mtj器件。在一些實(shí)施例中。公開(kāi)的寫(xiě)入操作可以在調(diào)節(jié)mtj器件(例如，圖中的至)處于高電阻狀態(tài)來(lái)實(shí)施。深圳巨大規(guī)模集成電路工藝未來(lái)，隨著國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策扶持等宏觀政策貫徹落實(shí)，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)將逐步發(fā)展壯大。

    銅通孔)連接至上面的互連層。在一些實(shí)施例中，底電極通孔和頂電極通孔可以包括金屬，諸如氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、鈦(ti)、鉭(ta)等。在一些實(shí)施例中，互連層b從調(diào)節(jié)mtj器件正上方連續(xù)延伸至調(diào)節(jié)mtj器件正上方。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括由介電遂穿阻擋層分隔開(kāi)的自由層和固定層。自由層具有被配置為響應(yīng)于電信號(hào)(例如，電流)而改變的磁矩。固定層具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對(duì)自由層的磁沖擊。在一些實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括附加層。例如，在一些實(shí)施例中。mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括位于底電極通孔和固定層之間的反鐵磁層。在其它實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如，附加固定層、附加固定層等)和/或附加自由層(例如，附加自由層、附加自由層等)以改進(jìn)mtj的性能。圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖的存儲(chǔ)器陣列的集成芯片的一些可選實(shí)施例的截面圖。集成芯片包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)。介電結(jié)構(gòu)圍繞存儲(chǔ)單元a,。存儲(chǔ)單元a,包括工作mtj器件和具有調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個(gè)導(dǎo)電互連層a至f。多個(gè)導(dǎo)電互連層a至f包括互連層a。

    以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫(xiě)入操作的步驟通過(guò)將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列的行中的存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件來(lái)實(shí)施。通過(guò)將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來(lái)實(shí)施寫(xiě)入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過(guò)存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a。內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，來(lái)自調(diào)節(jié)mtj器件的電流加在一起，使得為電流i的兩倍的電流流過(guò)存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。電流i的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。存儲(chǔ)單元a。內(nèi)的工作mtj器件不受寫(xiě)入操作的步驟的影響，因?yàn)榉橇闫秒妷簐(例如。v)和第四非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過(guò)存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。然而，電流i的兩倍小于切換電流isw，因此沒(méi)有將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入至存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。類似地。原裝集成電路，找深圳美信美科技。

    在各個(gè)實(shí)施例中，互連層a可以是互連線層、互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。的截面圖所示，在互連層a的上表面上方形成多個(gè)底電極通孔。多個(gè)底電極通孔由介電層圍繞。在一些實(shí)施例中，介電層可以沉積在互連層a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開(kāi)口。然后通過(guò)在底電極通孔開(kāi)口內(nèi)的沉積工藝形成多個(gè)底電極通孔。在各個(gè)實(shí)施例中，介電層可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)底電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)底電極通孔上方形成多個(gè)mtj器件、和。多個(gè)mtj器件、和分別包括mtj，mtj具有通過(guò)介電遂穿阻擋層與自由層分隔開(kāi)的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層可以形成為接觸底電極通孔。在其它實(shí)施例中，自由層可以形成為接觸底電極通孔。多個(gè)mtj器件、和中的一個(gè)包括被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)的工作mtj器件。多個(gè)mtj器件、和中的一個(gè)或多個(gè)包括設(shè)置在調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件和，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為控制(即，調(diào)節(jié))提供給相關(guān)的工作mtj器件的電流。在一些實(shí)施例中，可以同時(shí)形成多個(gè)mtj器件、和。例如，在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)在介電層和多個(gè)底電極通孔上方沉積磁固定膜。集成電路產(chǎn)業(yè)是對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)市場(chǎng)銷售額的總體描述。無(wú)錫超大規(guī)模集成電路企業(yè)

極大規(guī)模集成電路：邏輯門10,001~1M個(gè)或 晶體管100,001~10M個(gè)。天津半導(dǎo)體集成電路報(bào)價(jià)

    mram單元)的尺寸，因?yàn)樵摮叽绮辉偃Q于驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸。出了具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)器電路的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。存儲(chǔ)器電路包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,的存儲(chǔ)器陣列。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,以行和/或列布置在存儲(chǔ)器陣列內(nèi)。例如，行存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元a,和a,，而列存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元a,和b,。在一些實(shí)施例中，多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,可以包括多個(gè)mram單元。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,(例如，mram單元)分別包括連接至調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道結(jié)(mtj)，磁隧道結(jié)(mtj)具有通過(guò)介電遂穿阻擋層a與自由層a分隔開(kāi)的固定層a。固定層a具有固定的磁向，而自由層a具有可以在操作期間(通過(guò)隧道磁阻(tmr)效應(yīng))改變?yōu)橄鄬?duì)于固定層a的磁向平行(即，“p”狀態(tài))或反向平行(即，“ap”狀態(tài))的磁向。固定層a和自由層a的磁向之間的關(guān)系限定了mtj的電阻狀態(tài)，并且從而使得多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,能夠分別存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)，數(shù)據(jù)狀態(tài)具有基于存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件的電阻的值。例如，如果工作mtj器件a,具有低電阻狀態(tài)，則存儲(chǔ)單元a,將存儲(chǔ)位值(例如，邏輯“”)，或者如果工作mtj器件a,具有高電阻狀態(tài)，則存儲(chǔ)單元a,將存儲(chǔ)位值。天津半導(dǎo)體集成電路報(bào)價(jià)