在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個底電極通孔。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中。在多個底電極通孔正上方形成多個mtj器件。多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節(jié)mtj器件。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中，在多個mtj器件正上方形成多個頂電極通孔。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中，在多個頂電極通孔上方形成具有多個互連結構的互連層。多個互連結構限定位線和一條或多條字線。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。步驟至在襯底上方形成存儲單元。在一些實施例中，可以重復步驟至(如步驟所示)以在存儲單元上方形成存儲單元。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。雖然方法描述了包括具有調節(jié)訪問裝置(包括mtj器件)的存儲單元(例如，mram單元)的方法存儲器電路，但是應該理解，在其它實施例中，調節(jié)裝置可以包括電阻器(例如，薄膜電阻器)。在這樣的實施例中，工作mtj器件可以通過組操作(在步驟中)形成，而包括電阻器的調節(jié)裝置可以通過組單獨的操作(在步驟和步驟之間發(fā)生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步驟中)之后，可以通過一個或多個沉積和蝕刻工藝形成電阻器。因此，在一些實施例中。涉及不具有驅動晶體管(即。深圳美信美提供靠譜的集成電路芯片。廣東單極型集成電路價格

    存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件可以通過第四多個通孔d連接至第六互連層f。在其它實施例(未示出)中，一個或多個附加存儲單元可以橫向地布置為鄰近存儲單元a,。在一些這樣的實施例中。存儲器陣列內的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應當理解，圖a至圖b所示的集成芯片和可以實現(xiàn)圖的存儲器陣列的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置內的調節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調節(jié)訪問裝置內的調節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖a示出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，該調節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調節(jié)器件。存儲器電路包括多個存儲單元a,至c,，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。調節(jié)訪問裝置包括連接至mtj器件的同一層的調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。調節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和工作mtj器件之間，而調節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件進一步連接至位線(例如，bl)。成都中規(guī)模集成電路引腳深圳美信美集成電路質量好。

    使用調節(jié)訪問裝置來選擇性地對工作mtj器件提供訪問提供了沒有驅動晶體管的存儲單元。沒有驅動晶體管的存儲單元允許存儲器陣列的尺寸減小，從而改進存儲器電路的性能并且減小成本。出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，該調節(jié)訪問裝置包括被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)mtj器件。存儲器電路包括存儲器陣列，存儲器陣列具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,(例如，mram單元)。多個存儲單元a。至c,分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和通過調節(jié)提供給工作mtj器件的電流而選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。例如，調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件可以都連接至工作mtj器件的固定層。在一些實施例中，調節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wlx之間(x＝,,)，并且調節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wly(y＝,,)之間。例如，在存儲單元a,中，調節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間，而調節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間。調節(jié)mtj器件、調節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。

    該調節(jié)訪問裝置包括被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)mtj器件。存儲器電路包括存儲器陣列，存儲器陣列具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,(例如，mram單元)。多個存儲單元a。至c,分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和通過調節(jié)提供給工作mtj器件的電流而選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。在一些實施例中，調節(jié)訪問裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。例如，調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件可以都連接至工作mtj器件的固定層。在一些實施例中，調節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wlx之間(x＝,,)。并且調節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wly(y＝,,)之間。例如，在存儲單元a,中，調節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間，而調節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間。調節(jié)mtj器件、調節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在操作期間。集成電路是電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式。

    國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖示出依據(jù)本申請一實施例的單芯片集成電路封裝結構；圖示出依據(jù)本申請另一實施例的雙芯片集成電路封裝結構。具體實現(xiàn)方式為了使本技術領域的人員更好地理解本申請方案，下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚地描述，顯然，所描述的實施例是本申請一部分的實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本申請保護的范圍。下面結合本申請實施例的附圖，對本實用新型實施例的技術方案描述如下。圖示出依據(jù)本申請一實施例的單芯片集成電路封裝結構，包括上基板、元件及下基板。上基板上的上層金屬層、下層金屬層以及下層金屬層上的聯(lián)結pad6、、。而根據(jù)處理信號的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路、和兼具模擬與數(shù)字的混合信號集成電路。重慶扁平形集成電路排名

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    圖2a和圖2b示出了根據(jù)一個實施例的雙列直插式存儲模塊組件200。圖2a是雙列直插式存儲模塊組件200在其裝配狀態(tài)下的圖。雙列直插式存儲模塊組件200的分解圖在圖2b中示出。雙列直插式存儲模塊組件200包括印刷電路板202，印刷電路板202上安裝有一個或多個集成電路(一般地以204示出)。印刷電路板202一般是雙側的，集成電路204安裝在印刷電路板202的兩側上。熱接口材料206a、206b的層熱耦聯(lián)至集成電路204。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料，例如，使用諸如導熱膏及類似物。在所描繪的實施例中，具有一對側板208a、208b的能夠移除的散熱器與熱接口材料206a、206b的層物理接觸，并且因此所述散熱器熱耦聯(lián)至所述熱接口材料206a、206b。側板208a、208b可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來形成側板208a、208b，例如，使用諸如不銹鋼或類似物來形成側板。為了降造成本，側板208a、208b可以是相同的。能夠移除的一個或多個彈性夾210a、210b、210c、210d可以定位在側板208a、208b周圍，以將側板壓靠在熱接口材料206a、206b上，以確保合適的熱耦聯(lián)。圖3示出了圖2的雙列直插式存儲模塊組件200的一側的視圖。廣東單極型集成電路價格