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機(jī)械DDR測(cè)試產(chǎn)品介紹

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-12

這里有三種方案進(jìn)行對(duì)比考慮:一種是,通過過孔互聯(lián)的這個(gè)過孔附近沒有任何地過孔,那么,其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供;第二種是,一根長(zhǎng)達(dá)362mils的微帶線;第三種是,在一個(gè)信號(hào)線的四周有四個(gè)地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters,從圖中可以看出,帶有四個(gè)地過孔環(huán)繞的信號(hào)過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線,從而提高了S21特性。

由此可知,在信號(hào)過孔附近缺少返回路徑的情況下,則此信號(hào)過孔會(huì)增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里,在時(shí)延方面顯得尤為重要。 DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試方法、測(cè)試裝置與測(cè)試設(shè)備與流程;機(jī)械DDR測(cè)試產(chǎn)品介紹

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DDR測(cè)試

測(cè)試頭設(shè)計(jì)模擬針對(duì)測(cè)試的設(shè)計(jì)(DFT)當(dāng)然收人歡迎,但卻不現(xiàn)實(shí)。因?yàn)樽詣?dòng)測(cè)試儀的所需的測(cè)試時(shí)間與花費(fèi)正比于內(nèi)存芯片的存儲(chǔ)容量。顯然測(cè)試大容量的DDR芯片花費(fèi)是相當(dāng)可觀的。新型DDR芯片的通用DFT功能一直倍受重視,所以人們不斷試圖集結(jié)能有效控制和觀察的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)。DFT技術(shù),如JEDEC提出的采用并行測(cè)試模式進(jìn)行多陣列同時(shí)測(cè)試。不幸的是由于過于要求芯片電路尺寸,該方案沒有被采納。DDR作為一種商品,必須比較大限度減小芯片尺寸來保持具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)位。 信息化DDR測(cè)試哪里買什麼是DDR內(nèi)存?如何測(cè)試?

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對(duì)于DDR2和DDR3,時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)?,而在DDR2里,DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率,當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然,在同樣的長(zhǎng)度下,差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果,時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長(zhǎng)一點(diǎn)。另外,必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸,所以,需要在每一個(gè)字節(jié)里,它們要有嚴(yán)格的長(zhǎng)度匹配,而且不能有過孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低,所以換層走線是沒多大問題的,在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。

DDR測(cè)試

DDR4/5與LPDDR4/5的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試由于基于DDR顆?;駾DRDIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺(tái),應(yīng)用場(chǎng)景千差萬別,因此需要進(jìn)行詳盡的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對(duì)于DDR4及以下的標(biāo)準(zhǔn)來說,物理層一致性測(cè)試主要是發(fā)送的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試;對(duì)于DDR5標(biāo)準(zhǔn)來說,由于接收端出現(xiàn)了均衡器,所以還要包含接收測(cè)試。DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試也是使用高帶寬的示波器。對(duì)于DDR的信號(hào),技術(shù)規(guī)范并沒有給出DDR信號(hào)上升/下降時(shí)間的具體參數(shù),因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實(shí)際快上升/下降時(shí)間來估算需要的示波器帶寬。通常對(duì)于DDR3信號(hào)的測(cè)試,推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測(cè)試建議的測(cè)試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測(cè)試則推薦使用16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。 DDR信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件;

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DDR測(cè)試

測(cè)試軟件運(yùn)行后,示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測(cè)量并匯總成一個(gè)測(cè)試報(bào)告,測(cè)試報(bào)告中列出了測(cè)試的項(xiàng)目、是否通過、spec的要求、實(shí)測(cè)值、margin等。圖5.17是自動(dòng)測(cè)試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測(cè)量的一個(gè)例子。信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還可以輔助用戶進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置,比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能,用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻,并分析對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。除了一致性測(cè)試以外,DDR測(cè)試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試失敗后,可以針對(duì)這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí),測(cè)試軟件會(huì)捕獲、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波形并進(jìn)行參數(shù)統(tǒng)計(jì),根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時(shí)對(duì)應(yīng)的波形位置, 不同種類的DDR協(xié)議測(cè)試探頭;廣西信息化DDR測(cè)試

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trombone線的時(shí)延是受到其并行走線之間的耦合而影響,一種在不需要提高其間距的情況下,并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然,sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是,依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時(shí)延不同的原因,所以,在實(shí)際的設(shè)計(jì)時(shí),要借助于CAD工具進(jìn)行嚴(yán)格的計(jì)算,從而控制走線的時(shí)延匹配??紤]到在圖2中6層板上的過孔的因素,當(dāng)一個(gè)地過孔靠近信號(hào)過孔放置時(shí),則在時(shí)延方面的影響是必須要考慮的。先舉個(gè)例子,在TOP層的微帶線長(zhǎng)度是150mils,BOTTOM層的微帶線也是150mils,線寬都為4mils,且過孔的參數(shù)為:barreldiameter=”8mils”,paddiameter=”18mils”,anti-paddiameter=”26mils”。機(jī)械DDR測(cè)試產(chǎn)品介紹

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