如何測(cè)試DDR？

DDR測(cè)試有具有不同要求的兩個(gè)方面：芯片級(jí)測(cè)試DDR芯片測(cè)試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測(cè)試儀通常是內(nèi)存自動(dòng)測(cè)試設(shè)備，其價(jià)值一般在數(shù)百萬(wàn)美元以上。測(cè)試儀的部分是一臺(tái)可編程的高分辨信號(hào)發(fā)生器。測(cè)試工程師通過(guò)編程來(lái)模擬實(shí)際工作環(huán)境；另外，他也可以對(duì)計(jì)時(shí)脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來(lái)尋找平衡點(diǎn)。自動(dòng)測(cè)試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此，測(cè)試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會(huì)很快被消耗殆盡。為此，要保證一定的測(cè)試分辨率，就必須增大測(cè)試儀的內(nèi)存。建立測(cè)試頭也是一個(gè)棘手的問(wèn)題。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns，所以管腳驅(qū)動(dòng)器的上升和下降時(shí)間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換，需要較好的管腳驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時(shí)，開(kāi)始出現(xiàn)傳輸線反射。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)時(shí)必須遵循直線律。為保證信號(hào)的統(tǒng)一性，必須對(duì)測(cè)試頭布局進(jìn)行傳輸線模擬。管腳驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號(hào)反射。 DDR3關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；河北DDR測(cè)試維修

DDR測(cè)試

DDRSDRAM即我們通常所說(shuō)的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前DDR4已經(jīng)成為市場(chǎng)的主流，DDR5也開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。對(duì)于DDR總線來(lái)說(shuō)，我們通常說(shuō)的速率是指其數(shù)據(jù)線上信號(hào)的快跳變速率。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會(huì)有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等，因此其實(shí)際的總線傳輸速率達(dá)不到這個(gè)理想值。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 數(shù)字信號(hào)DDR測(cè)試推薦貨源不同種類的DDR協(xié)議測(cè)試探頭；

7.時(shí)序?qū)τ跁r(shí)序的計(jì)算和分析在一些相關(guān)文獻(xiàn)里有詳細(xì)的介紹，下面列出需要設(shè)置和分析的8個(gè)方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個(gè)針對(duì)寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數(shù)據(jù)需要從控制器和存儲(chǔ)器廠家獲取，段”Interconnect”的數(shù)據(jù)是取之于SI仿真工具。對(duì)于DDR2上面所有的8項(xiàng)都是需要分析的，而對(duì)于DDR3，5項(xiàng)和6項(xiàng)不需要考慮。在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，長(zhǎng)度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。

現(xiàn)做一個(gè)測(cè)試電路，類似于圖5，驅(qū)動(dòng)源是一個(gè)線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號(hào)，信號(hào)的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號(hào)源按照?qǐng)D6的三種方式，且其端接一60Ohms的負(fù)載，其激勵(lì)為一800MHz的周期信號(hào)。在0.5V這一點(diǎn)，我們觀察從信號(hào)源到接收端之間的時(shí)間延遲，顯示出來(lái)它們之間的時(shí)延差異。其結(jié)果如圖7所示，在圖中只顯示了信號(hào)的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞的過(guò)孔時(shí)延同直線相比只有3ps，而在沒(méi)有地過(guò)孔環(huán)繞的情況下，其時(shí)延是8ps。由此可知，在信號(hào)過(guò)孔的周圍增加地過(guò)孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個(gè)就顯得不是完全的可行性，由于其信號(hào)線是靠近電源平面的，這就使得信號(hào)的返回路徑是由它們之間的耦合程度來(lái)決定的。所以，在4層的PCB設(shè)計(jì)時(shí)，為符合電源完整性（powerintegrity）要求，對(duì)其耦合程度的控制是相當(dāng)重要的。DDR3信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件；

1.目前，比較普遍使用中的DDR2的速度已經(jīng)高達(dá)800Mbps，甚至更高的速度，如1066Mbps，而DDR3的速度已經(jīng)高達(dá)1600Mbps。對(duì)于如此高的速度，從PCB的設(shè)計(jì)角度來(lái)幫大家分析，要做到嚴(yán)格的時(shí)序匹配，以滿足信號(hào)的完整性，這里有很多的因素需要考慮，所有的這些因素都有可能相互影響。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗、互聯(lián)拓?fù)洹r(shí)延匹配、串?dāng)_、信號(hào)及電源完整性和時(shí)序，目前，有很多EDA工具可以對(duì)它們進(jìn)行很好的計(jì)算和仿真，其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術(shù)要求和專有的技術(shù)要求DDR的信號(hào)測(cè)試和協(xié)議測(cè)試；河北DDR測(cè)試維修

DDR測(cè)試信號(hào)問(wèn)題排查；河北DDR測(cè)試維修

DDR測(cè)試

DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種：一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒，另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內(nèi)存模塊，主要用于服務(wù)器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存，主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務(wù)器領(lǐng)域，使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒(méi)有額外驅(qū)動(dòng)電路，延時(shí)較小，但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個(gè)內(nèi)存顆粒時(shí)，UDIMM需要保證CPU到每個(gè)內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等，設(shè)計(jì)難度較大，因此UDIMM在容量和頻率上都較低，通常應(yīng)用在性能/容量要求不高的場(chǎng)合。 河北DDR測(cè)試維修

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