DDR測試

主要的DDR相關(guān)規(guī)范，對發(fā)布時間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對比。可以看出DDR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn)，同時也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例，相 對于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn)，比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號時序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測等。 DDR信號的讀寫分離方法；信號完整性測試DDR測試調(diào)試

DDR5具備如下幾個特點(diǎn)：·更高的數(shù)據(jù)速率·DDR5比較大數(shù)據(jù)速率為6400MT/s（百萬次/秒），而DDR4為3200MT/s，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍。·更低的能耗·DDR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達(dá)20％以上·更高的密度·DDR5將突發(fā)長度增加到BL16，約為DDR4的兩倍，提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線效率。相同的讀取或?qū)懭胧聞?wù)現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線上兩倍的數(shù)據(jù)，同時限制同一存儲庫內(nèi)輸入輸出/陣列計(jì)時約束的風(fēng)險(xiǎn)。此外，DDR5使存儲組數(shù)量翻倍，這是通過在任意給定時間打開更多頁面來提高整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內(nèi)存以滿足下一代計(jì)算的需求。吉林測量DDR測試DDR平均速率以及變化情況；

什麼是DDR內(nèi)存？如何測試？

近幾年來，CPU的速度呈指數(shù)倍增長。然而，計(jì)算機(jī)內(nèi)存的速度增長確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內(nèi)存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時代，每一種新技術(shù)的出現(xiàn)，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為：內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會在實(shí)際使用過程中得到充分體現(xiàn)：3維游戲的速度更快，MP3音樂的播放更加柔和，MPEG視頻運(yùn)動圖像質(zhì)量更好。今年，一種新型內(nèi)存：DDR內(nèi)存面世了。對大多數(shù)人來說，DDR仍然是一個陌生的名詞，然而，它確是數(shù)以百計(jì)前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師3年來通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點(diǎn)是DDR的價格更低。

    對于DDR源同步操作，必然要求DQS選通信號與DQ數(shù)據(jù)信號有一定建立時間tDS和保持時間tDH要求，否則會導(dǎo)致接收鎖存信號錯誤，DDR4信號速率達(dá)到了，單一比特位寬為，時序裕度也變得越來越小，傳統(tǒng)的測量時序的方式在短時間內(nèi)的采集并找到tDS/tDH差值，無法大概率體現(xiàn)由于ISI等確定性抖動帶來的對時序惡化的貢獻(xiàn)，也很難準(zhǔn)確反映隨機(jī)抖動Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動因素，基于雙狄拉克模型分解抖動和噪聲的隨機(jī)性和確定性成分，外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協(xié)會在規(guī)范中明確了在DDR4中測試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓，確保滿足在Vcent周圍Tdivw時間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內(nèi)模板內(nèi)禁入的要求。 DDR在信號測試中解決的問題有那些；

現(xiàn)做一個測試電路，類似于圖5，驅(qū)動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號，信號的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式，且其端接一60Ohms的負(fù)載，其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點(diǎn)，我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲，顯示出來它們之間的時延差異。其結(jié)果如圖7所示，在圖中只顯示了信號的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的過孔時延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環(huán)繞的情況下，其時延是8ps。由此可知，在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個就顯得不是完全的可行性，由于其信號線是靠近電源平面的，這就使得信號的返回路徑是由它們之間的耦合程度來決定的。所以，在4層的PCB設(shè)計(jì)時，為符合電源完整性（powerintegrity）要求，對其耦合程度的控制是相當(dāng)重要的。DDR4信號完整性測試案例；DDR測試銷售電話

DDR3信號質(zhì)量自動測試軟件；信號完整性測試DDR測試調(diào)試

這里有三種方案進(jìn)行對比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達(dá)362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時延方面顯得尤為重要。 信號完整性測試DDR測試調(diào)試

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