克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng)，以成為高數(shù)信號(hào)傳輸測(cè)試界的帶頭者為奮斗目標(biāo)。

   克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室重心團(tuán)隊(duì)成員從業(yè)測(cè)試領(lǐng)域10年以上。實(shí)驗(yàn)室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、誤碼儀、協(xié)議分析儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及附件，使用PCIE/USB-IF/WILDER等行業(yè)指定品牌夾具。堅(jiān)持以專業(yè)的技術(shù)人員，嚴(yán)格按照行業(yè)測(cè)試規(guī)范，配備高性能的權(quán)能測(cè)試設(shè)備，提供給客戶更精細(xì)更權(quán)能的全方面的專業(yè)服務(wù)。     克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室提供具深度的專業(yè)知識(shí)及一系列認(rèn)證測(cè)試、預(yù)認(rèn)證測(cè)試及錯(cuò)誤排除信號(hào)完整性測(cè)試、多端口矩陣測(cè)試、HDMI測(cè)試、USB測(cè)試等方面測(cè)試服務(wù)。 DDR在信號(hào)測(cè)試中解決的問題有那些；安徽DDR測(cè)試故障

DDR測(cè)試

要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求，因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來說，不同控制器芯片廠商有不同的要求，目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn)，并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。 HDMI測(cè)試DDR測(cè)試代理品牌DDR規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立；

DDR測(cè)試

除了DDR以外，近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景，相對(duì)于同一代技術(shù)的DDR來說會(huì)采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù)，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對(duì)于電源紋波和串?dāng)_噪聲會(huì)更敏感，其電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會(huì)采用一些額外的技術(shù)來節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動(dòng)調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對(duì)低功耗的支持。同時(shí)，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小。

對(duì)于DDR2和DDR3，時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)模贒DR2里，DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然，在同樣的長(zhǎng)度下，差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果，時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長(zhǎng)一點(diǎn)。另外，必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個(gè)字節(jié)里，它們要有嚴(yán)格的長(zhǎng)度匹配，而且不能有過孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。DDR3總線的解碼方法；

14.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述相關(guān)信號(hào)包括dqs信號(hào)、clk信號(hào)和dq信號(hào)，所述標(biāo)志信號(hào)為dqs信號(hào)。15.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述根據(jù)標(biāo)志信號(hào)對(duì)示波器進(jìn)行相關(guān)參數(shù)配置，具體包括：16.利用示波器分別采集標(biāo)志信號(hào)在數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的電平幅值；17.對(duì)標(biāo)志信號(hào)在數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的電平幅值進(jìn)行比較，確定標(biāo)志信號(hào)的電平閾值；18.在示波器中配置標(biāo)志信號(hào)的電平閾值。19.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的讀寫信號(hào)進(jìn)行信號(hào)分離，具體包括：20.將標(biāo)志信號(hào)的實(shí)時(shí)電平幅值與標(biāo)志信號(hào)的電平閾值進(jìn)行比較；21.將大于電平閾值的標(biāo)志信號(hào)和小于電平閾值的標(biāo)志信號(hào)分別進(jìn)行信號(hào)的分離，得到數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的標(biāo)志信號(hào)。一種DDR4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法；上海DDR測(cè)試HDMI測(cè)試

DDR3信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件；安徽DDR測(cè)試故障

5.串?dāng)_在設(shè)計(jì)微帶線時(shí)，串?dāng)_是產(chǎn)生時(shí)延的一個(gè)相當(dāng)重要的因素。通常，可以通過加大并行微帶線之間的間距來降低串?dāng)_的相互影響，然而，在合理利用走線空間上這是一個(gè)很大的弊端，所以，應(yīng)該控制在一個(gè)合理的范圍里面。典型的一個(gè)規(guī)則是，并行走線的間距大于走線到地平面的距離的兩倍。另外，地過孔也起到一個(gè)相當(dāng)重要的作用，圖8顯示了有地過孔和沒地過孔的耦合程度，在有多個(gè)地過孔的情況下，其耦合程度降低了7dB。考慮到互聯(lián)通路的成本預(yù)算，對(duì)于兩邊進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆抡媸潜仨毜?，?dāng)在所有的網(wǎng)線上加一個(gè)周期性的激勵(lì)，將會(huì)由串?dāng)_產(chǎn)生的信號(hào)抖動(dòng)，通過仿真，可以在時(shí)域觀察信號(hào)的抖動(dòng)，從而通過合理的設(shè)計(jì)，綜合考慮空間和信號(hào)完整性，選擇比較好的走線間距。安徽DDR測(cè)試故障

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