這里有三種方案進(jìn)行對(duì)比考慮:一種是,通過(guò)過(guò)孔互聯(lián)的這個(gè)過(guò)孔附近沒(méi)有任何地過(guò)孔,那么,其返回路徑只能通過(guò)離此過(guò)孔250mils的PCB邊緣來(lái)提供;第二種是,一根長(zhǎng)達(dá)362mils的微帶線;第三種是,在一個(gè)信號(hào)線的四周有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters,從圖中可以看出,帶有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞的信號(hào)過(guò)孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線,從而提高了S21特性。
由此可知,在信號(hào)過(guò)孔附近缺少返回路徑的情況下,則此信號(hào)過(guò)孔會(huì)增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里,在時(shí)延方面顯得尤為重要。 DDR2總線上的信號(hào)波形;江蘇DDR測(cè)試修理
DDR測(cè)試
什么是DDR?
DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存(DRAM)非常相象。普通同步DRAM(現(xiàn)在被稱為SDR)與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個(gè)地址字組成。為節(jié)省輸入管腳,采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通(RAS)鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后,列地址選通(CAS)鎖存第二地址字。經(jīng)過(guò)RAS和CAS,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存(SDRDRAM)將時(shí)鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合,RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時(shí)鐘脈沖的上升邊沿被啟動(dòng)。根據(jù)時(shí)鐘指示,可以預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)和其它信號(hào)的位置。因而,數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計(jì)性,所以可將內(nèi)存劃分成4個(gè)組進(jìn)行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過(guò)突發(fā)模式,可進(jìn)行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通。連續(xù)CAS選通可對(duì)來(lái)自相同行的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取。 智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)DDR3關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義;
7.時(shí)序?qū)τ跁r(shí)序的計(jì)算和分析在一些相關(guān)文獻(xiàn)里有詳細(xì)的介紹,下面列出需要設(shè)置和分析的8個(gè)方面:1)寫(xiě)建立分析:DQvs.DQS2)寫(xiě)保持分析:DQvs.DQS3)讀建立分析:DQvs.DQS4)讀保持分析:DQvs.DQS5)寫(xiě)建立分析:DQSvs.CLK6)寫(xiě)保持分析:DQSvs.CLK7)寫(xiě)建立分析:ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8)寫(xiě)保持分析:ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK
一個(gè)針對(duì)寫(xiě)建立(WriteSetup)分析的例子。表中的一些數(shù)據(jù)需要從控制器和存儲(chǔ)器廠家獲取,段”Interconnect”的數(shù)據(jù)是取之于SI仿真工具。對(duì)于DDR2上面所有的8項(xiàng)都是需要分析的,而對(duì)于DDR3,5項(xiàng)和6項(xiàng)不需要考慮。在PCB設(shè)計(jì)時(shí),長(zhǎng)度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。
trombone線的時(shí)延是受到其并行走線之間的耦合而影響,一種在不需要提高其間距的情況下,并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然,sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是,依來(lái)看它需要更多的空間。由于各種可能造成時(shí)延不同的原因,所以,在實(shí)際的設(shè)計(jì)時(shí),要借助于CAD工具進(jìn)行嚴(yán)格的計(jì)算,從而控制走線的時(shí)延匹配??紤]到在圖2中6層板上的過(guò)孔的因素,當(dāng)一個(gè)地過(guò)孔靠近信號(hào)過(guò)孔放置時(shí),則在時(shí)延方面的影響是必須要考慮的。先舉個(gè)例子,在TOP層的微帶線長(zhǎng)度是150mils,BOTTOM層的微帶線也是150mils,線寬都為4mils,且過(guò)孔的參數(shù)為:barreldiameter=”8mils”,paddiameter=”18mils”,anti-paddiameter=”26mils”。DDR的信號(hào)測(cè)試和協(xié)議測(cè)試;
DDR測(cè)試DDR/LPDDR簡(jiǎn)介目前在計(jì)算機(jī)主板和各種嵌入式的應(yīng)用中,存儲(chǔ)器是必不可少的。常用的存儲(chǔ)器有兩種:一種是非易失性的,即掉電不會(huì)丟失數(shù)據(jù),常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲(chǔ)器速度較慢,主要用于存儲(chǔ)程序代碼、文件以及長(zhǎng)久的數(shù)據(jù)信息等;另一種是易失性的,即掉電會(huì)丟失數(shù)據(jù),常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機(jī)存儲(chǔ)器),這種存儲(chǔ)器運(yùn)行速度較快,主要用于程序運(yùn)行時(shí)的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲(chǔ)器類(lèi)型的劃分用DDR的BGA探頭引出測(cè)試信號(hào);智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
DDR4信號(hào)質(zhì)量測(cè)試 DDR4-DRAM的工作原理分析;江蘇DDR測(cè)試修理
一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,尤其是指一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù):2.為保證服務(wù)器的平穩(wěn)運(yùn)行以及服務(wù)器ddr4內(nèi)存的完好使用,測(cè)量服務(wù)器內(nèi)存的信號(hào)完整性是否符合標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成了服務(wù)器研發(fā)過(guò)程中必不可少的重要流程。目前服務(wù)器主流都是適用ddr4內(nèi)存,為了保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,ddr4鏈路的測(cè)試對(duì)服務(wù)器存儲(chǔ)性能評(píng)估有著至關(guān)重要的影響。3.目前服務(wù)器ddr4信號(hào)的測(cè)試無(wú)法進(jìn)行正常工作狀態(tài)的讀寫(xiě)分離,只能利用主控芯片進(jìn)行讀寫(xiě)命令來(lái)進(jìn)行相應(yīng)讀或?qū)懙臏y(cè)試,效率較低且不能完全反映正常工作狀態(tài)下的波形,在信號(hào)完整性測(cè)試上有比較大的風(fēng)險(xiǎn)。江蘇DDR測(cè)試修理
深圳市力恩科技有限公司位于深圳市南山區(qū)南頭街道南聯(lián)社區(qū)中山園路9號(hào)君翔達(dá)大廈辦公樓A201,擁有一支專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗(yàn),熟悉行業(yè)專(zhuān)業(yè)知識(shí)技能,致力于發(fā)展克勞德的品牌。公司堅(jiān)持以客戶為中心、一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:儀器儀表的研發(fā)、租賃、銷(xiāo)售、上門(mén)維修;物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的研發(fā)及銷(xiāo)售;無(wú)源射頻產(chǎn)品的研發(fā)及銷(xiāo)售;電子產(chǎn)品及電子元器件的銷(xiāo)售;儀器儀表、物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)源射頻產(chǎn)品的相關(guān)技術(shù)咨詢;軟件的研發(fā)以及銷(xiāo)售,軟件技術(shù)咨詢服務(wù)等。市場(chǎng)為導(dǎo)向,重信譽(yù),保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。自公司成立以來(lái),一直秉承“以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營(yíng)理念,始終堅(jiān)持以客戶的需求和滿意為重點(diǎn),為客戶提供良好的實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀,從而使公司不斷發(fā)展壯大。