如何測(cè)試DDR?
DDR測(cè)試有具有不同要求的兩個(gè)方面:芯片級(jí)測(cè)試DDR芯片測(cè)試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測(cè)試儀通常是內(nèi)存自動(dòng)測(cè)試設(shè)備,其價(jià)值一般在數(shù)百萬(wàn)美元以上。測(cè)試儀的部分是一臺(tái)可編程的高分辨信號(hào)發(fā)生器。測(cè)試工程師通過(guò)編程來(lái)模擬實(shí)際工作環(huán)境;另外,他也可以對(duì)計(jì)時(shí)脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來(lái)尋找平衡點(diǎn)。自動(dòng)測(cè)試儀(ATE)系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性,使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍,所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此,測(cè)試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會(huì)很快被消耗殆盡。為此,要保證一定的測(cè)試分辨率,就必須增大測(cè)試儀的內(nèi)存。建立測(cè)試頭也是一個(gè)棘手的問(wèn)題。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns,所以管腳驅(qū)動(dòng)器的上升和下降時(shí)間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換,需要較好的管腳驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時(shí),開(kāi)始出現(xiàn)傳輸線(xiàn)反射。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)時(shí)必須遵循直線(xiàn)律。為保證信號(hào)的統(tǒng)一性,必須對(duì)測(cè)試頭布局進(jìn)行傳輸線(xiàn)模擬。管腳驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號(hào)反射。 DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容方案;信息化DDR測(cè)試價(jià)目表
DDR測(cè)試
DDRDIMM內(nèi)存條測(cè)試處理內(nèi)存條測(cè)試儀重要的部分是自動(dòng)處理機(jī)。處理機(jī)一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時(shí),2英寸長(zhǎng)的連接器將會(huì)造成測(cè)試信號(hào)極大衰減。為解決上述難題,一種新型處理機(jī)面市了。它采用普通手動(dòng)測(cè)試儀的插槽。測(cè)試儀可以模擬手動(dòng)插入,平穩(wěn)地插入待測(cè)內(nèi)存條的插槽;一旦測(cè)試完成,內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。
克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室
地址:深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 信息化DDR測(cè)試價(jià)目表DDR測(cè)試技術(shù)介紹與工具分析;
對(duì)于DDR源同步操作,必然要求DQS選通信號(hào)與DQ數(shù)據(jù)信號(hào)有一定建立時(shí)間tDS和保持時(shí)間tDH要求,否則會(huì)導(dǎo)致接收鎖存信號(hào)錯(cuò)誤,DDR4信號(hào)速率達(dá)到了,單一比特位寬為,時(shí)序裕度也變得越來(lái)越小,傳統(tǒng)的測(cè)量時(shí)序的方式在短時(shí)間內(nèi)的采集并找到tDS/tDH差值,無(wú)法大概率體現(xiàn)由于ISI等確定性抖動(dòng)帶來(lái)的對(duì)時(shí)序惡化的貢獻(xiàn),也很難準(zhǔn)確反映隨機(jī)抖動(dòng)Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動(dòng)因素,基于雙狄拉克模型分解抖動(dòng)和噪聲的隨機(jī)性和確定性成分,外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協(xié)會(huì)在規(guī)范中明確了在DDR4中測(cè)試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓,確保滿(mǎn)足在Vcent周?chē)鶷divw時(shí)間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內(nèi)模板內(nèi)禁入的要求。
2.PCB的疊層(stackup)和阻抗對(duì)于一塊受PCB層數(shù)約束的基板(如4層板)來(lái)說(shuō),其所有的信號(hào)線(xiàn)只能走在TOP和BOTTOM層,中間的兩層,其中一層為GND平面層,而另一層為VDD平面層,Vtt和Vref在VDD平面層布線(xiàn)。而當(dāng)使用6層來(lái)走線(xiàn)時(shí),設(shè)計(jì)一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得更加容易,同時(shí)由于Power層和GND層的間距變小了,從而提高了電源完整性?;ヂ?lián)通道的另一參數(shù)阻抗,在DDR2的設(shè)計(jì)時(shí)必須是恒定連續(xù)的,單端走線(xiàn)的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號(hào)上,且做到阻抗匹配,而對(duì)于差分信號(hào),100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號(hào)終端,比如CLOCK和DQS信號(hào)。另外,所有的匹配電阻必須上拉到VTT,且保持50Ohms,ODT的設(shè)置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設(shè)計(jì)時(shí),單端信號(hào)的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設(shè)計(jì)到ADDR/CMD/CNTRL信號(hào)線(xiàn)上,這已經(jīng)被證明有很多的優(yōu)點(diǎn)。而且,上拉到VTT的終端匹配電阻根據(jù)SI仿真的結(jié)果的走線(xiàn)阻抗,電阻值可能需要做出不同的選擇,通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號(hào)的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。DDR的規(guī)范要求進(jìn)行需求;
DDR測(cè)試
DDRSDRAM即我們通常所說(shuō)的DDR內(nèi)存,DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代,目前DDR4已經(jīng)成為市場(chǎng)的主流,DDR5也開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。對(duì)于DDR總線(xiàn)來(lái)說(shuō),我們通常說(shuō)的速率是指其數(shù)據(jù)線(xiàn)上信號(hào)的快跳變速率。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線(xiàn)上比較高傳輸速率,由于在DDR總線(xiàn)上會(huì)有讀寫(xiě)間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線(xiàn)刷新時(shí)間等,因此其實(shí)際的總線(xiàn)傳輸速率達(dá)不到這個(gè)理想值。
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地址:深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些;北京DDR測(cè)試產(chǎn)品介紹
DDR4信號(hào)質(zhì)量測(cè)試 DDR4-DRAM的工作原理分析;信息化DDR測(cè)試價(jià)目表
DDR5具備如下幾個(gè)特點(diǎn):·更高的數(shù)據(jù)速率·DDR5比較大數(shù)據(jù)速率為6400MT/s(百萬(wàn)次/秒),而DDR4為3200MT/s,DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍?!じ偷哪芎摹DR5的工作電壓為1.1V,低于DDR4的1.2V,能降低單位頻寬的功耗達(dá)20%以上·更高的密度·DDR5將突發(fā)長(zhǎng)度增加到BL16,約為DDR4的兩倍,提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線(xiàn)效率。相同的讀取或?qū)懭胧聞?wù)現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線(xiàn)上兩倍的數(shù)據(jù),同時(shí)限制同一存儲(chǔ)庫(kù)內(nèi)輸入輸出/陣列計(jì)時(shí)約束的風(fēng)險(xiǎn)。此外,DDR5使存儲(chǔ)組數(shù)量翻倍,這是通過(guò)在任意給定時(shí)間打開(kāi)更多頁(yè)面來(lái)提高整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內(nèi)存以滿(mǎn)足下一代計(jì)算的需求。信息化DDR測(cè)試價(jià)目表
深圳市力恩科技有限公司位于深圳市南山區(qū)南頭街道南聯(lián)社區(qū)中山園路9號(hào)君翔達(dá)大廈辦公樓A201。公司業(yè)務(wù)分為實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀等,目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn),為客戶(hù)提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念,在儀器儀表深耕多年,以技術(shù)為先導(dǎo),以自主產(chǎn)品為重點(diǎn),發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì),打造儀器儀表良好品牌。力恩科技立足于全國(guó)市場(chǎng),依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力,融合前沿的技術(shù)理念,及時(shí)響應(yīng)客戶(hù)的需求。