DDR測(cè)試

主要的DDR相關(guān)規(guī)范，對(duì)發(fā)布時(shí)間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長(zhǎng)度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對(duì)比。可以看出DDR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn)，同時(shí)也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例，相 對(duì)于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn)，比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號(hào)時(shí)序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問(wèn)可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測(cè)等。 DDR的規(guī)范要求進(jìn)行需求；河北DDR測(cè)試修理

DDR5具備如下幾個(gè)特點(diǎn)：·更高的數(shù)據(jù)速率·DDR5比較大數(shù)據(jù)速率為6400MT/s（百萬(wàn)次/秒），而DDR4為3200MT/s，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍?！じ偷哪芎摹DR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達(dá)20％以上·更高的密度·DDR5將突發(fā)長(zhǎng)度增加到BL16，約為DDR4的兩倍，提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線效率。相同的讀取或?qū)懭胧聞?wù)現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線上兩倍的數(shù)據(jù)，同時(shí)限制同一存儲(chǔ)庫(kù)內(nèi)輸入輸出/陣列計(jì)時(shí)約束的風(fēng)險(xiǎn)。此外，DDR5使存儲(chǔ)組數(shù)量翻倍，這是通過(guò)在任意給定時(shí)間打開(kāi)更多頁(yè)面來(lái)提高整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內(nèi)存以滿(mǎn)足下一代計(jì)算的需求。設(shè)備DDR測(cè)試安裝DDR測(cè)試技術(shù)介紹與工具分析；

DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來(lái)智能手機(jī)、智能電視、AI技術(shù)的風(fēng)起云涌，人們對(duì)容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的需求不斷提高，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場(chǎng)的需求和技術(shù)的升級(jí)推陳出新。目前，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進(jìn)到了DDR5了，但市場(chǎng)上對(duì)經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測(cè)試痛點(diǎn)測(cè)試和驗(yàn)證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存，客戶(hù)一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳；如何探測(cè)和驗(yàn)證突發(fā)的讀寫(xiě)脈沖信號(hào)；配置測(cè)試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測(cè)試。

   克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng)，以成為高數(shù)信號(hào)傳輸測(cè)試界的帶頭者為奮斗目標(biāo)。

   克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室重心團(tuán)隊(duì)成員從業(yè)測(cè)試領(lǐng)域10年以上。實(shí)驗(yàn)室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、誤碼儀、協(xié)議分析儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及附件，使用PCIE/USB-IF/WILDER等行業(yè)指定品牌夾具。堅(jiān)持以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，嚴(yán)格按照行業(yè)測(cè)試規(guī)范，配備高性能的權(quán)能測(cè)試設(shè)備，提供給客戶(hù)更精細(xì)更權(quán)能的全方面的專(zhuān)業(yè)服務(wù)。     克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室提供具深度的專(zhuān)業(yè)知識(shí)及一系列認(rèn)證測(cè)試、預(yù)認(rèn)證測(cè)試及錯(cuò)誤排除信號(hào)完整性測(cè)試、多端口矩陣測(cè)試、HDMI測(cè)試、USB測(cè)試等方面測(cè)試服務(wù)。 DDR3的DIMM接口協(xié)議測(cè)試探頭；

DDR測(cè)試

要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類(lèi)芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求，因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來(lái)說(shuō)，不同控制器芯片廠商有不同的要求，目前沒(méi)有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶(hù)可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn)，并借助合適的信號(hào)讀/寫(xiě)分離手段來(lái)進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。 DDR測(cè)試系統(tǒng)和DDR測(cè)試方法與流程；設(shè)備DDR測(cè)試安裝

DDR3規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立；河北DDR測(cè)試修理

DDR測(cè)試

DDR信號(hào)的要求是針對(duì)DDR顆粒的引腳上的，但是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無(wú)法直接測(cè)試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方式，其測(cè)試到的信號(hào)與芯片引腳處的信號(hào)也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號(hào)質(zhì)量，一種常用的方法是在示波器中對(duì)PCB走線和測(cè)試夾具的影響進(jìn)行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個(gè)鏈路上各部分的S參數(shù)模型文件(通常通過(guò)仿真或者實(shí)測(cè)得到),并根據(jù)實(shí)際測(cè)試點(diǎn)和期望觀察到的點(diǎn)之間的傳輸函數(shù)，來(lái)計(jì)算期望位置處的信號(hào)波形，再對(duì)這個(gè)信號(hào)做進(jìn)一步的波形參數(shù)測(cè)量和統(tǒng)計(jì)。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號(hào)質(zhì)量測(cè)試環(huán)境，以及在示波器中進(jìn)行去嵌入操作的界面。 河北DDR測(cè)試修理