DDR測(cè)試

DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3.0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過(guò)很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號(hào)下的表現(xiàn)。對(duì)于DDR來(lái)說(shuō)，DDR4及之前的總線接收端還相對(duì)比較簡(jiǎn)單，只是做一些匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號(hào)速率更高，因此接收端也開(kāi)始采用很多高速串行總線中使用的可變?cè)鲆嬲{(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測(cè)試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。 解決DDR內(nèi)存系統(tǒng)測(cè)試難題？上海DDR測(cè)試安裝

DDR測(cè)試

測(cè)試頭設(shè)計(jì)模擬針對(duì)測(cè)試的設(shè)計(jì)（DFT）當(dāng)然收人歡迎，但卻不現(xiàn)實(shí)。因?yàn)樽詣?dòng)測(cè)試儀的所需的測(cè)試時(shí)間與花費(fèi)正比于內(nèi)存芯片的存儲(chǔ)容量。顯然測(cè)試大容量的DDR芯片花費(fèi)是相當(dāng)可觀的。新型DDR芯片的通用DFT功能一直倍受重視，所以人們不斷試圖集結(jié)能有效控制和觀察的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)。DFT技術(shù)，如JEDEC提出的采用并行測(cè)試模式進(jìn)行多陣列同時(shí)測(cè)試。不幸的是由于過(guò)于要求芯片電路尺寸，該方案沒(méi)有被采納。DDR作為一種商品，必須比較大限度減小芯片尺寸來(lái)保持具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)位。 上海DDR測(cè)試安裝DDR平均速率以及變化情況；

如何測(cè)試DDR？

DDR測(cè)試有具有不同要求的兩個(gè)方面：芯片級(jí)測(cè)試DDR芯片測(cè)試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測(cè)試儀通常是內(nèi)存自動(dòng)測(cè)試設(shè)備，其價(jià)值一般在數(shù)百萬(wàn)美元以上。測(cè)試儀的部分是一臺(tái)可編程的高分辨信號(hào)發(fā)生器。測(cè)試工程師通過(guò)編程來(lái)模擬實(shí)際工作環(huán)境；另外，他也可以對(duì)計(jì)時(shí)脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來(lái)尋找平衡點(diǎn)。自動(dòng)測(cè)試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此，測(cè)試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會(huì)很快被消耗殆盡。為此，要保證一定的測(cè)試分辨率，就必須增大測(cè)試儀的內(nèi)存。建立測(cè)試頭也是一個(gè)棘手的問(wèn)題。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns，所以管腳驅(qū)動(dòng)器的上升和下降時(shí)間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換，需要較好的管腳驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時(shí)，開(kāi)始出現(xiàn)傳輸線反射。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)時(shí)必須遵循直線律。為保證信號(hào)的統(tǒng)一性，必須對(duì)測(cè)試頭布局進(jìn)行傳輸線模擬。管腳驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號(hào)反射。

什麼是DDR內(nèi)存？如何測(cè)試？

近幾年來(lái)，CPU的速度呈指數(shù)倍增長(zhǎng)。然而，計(jì)算機(jī)內(nèi)存的速度增長(zhǎng)確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內(nèi)存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時(shí)代，每一種新技術(shù)的出現(xiàn)，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為：內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會(huì)在實(shí)際使用過(guò)程中得到充分體現(xiàn)：3維游戲的速度更快，MP3音樂(lè)的播放更加柔和，MPEG視頻運(yùn)動(dòng)圖像質(zhì)量更好。今年，一種新型內(nèi)存：DDR內(nèi)存面世了。對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō)，DDR仍然是一個(gè)陌生的名詞，然而，它確是數(shù)以百計(jì)前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師3年來(lái)通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點(diǎn)是DDR的價(jià)格更低。 DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容方案；

8.PCBLayout在實(shí)際的PCB設(shè)計(jì)時(shí)，考慮到SI的要求，往往有很多的折中方案。通常，需要優(yōu)先考慮對(duì)于那些對(duì)信號(hào)的完整性要求比較高的。畫(huà)PCB時(shí)，當(dāng)考慮以下的一些相關(guān)因素，那么對(duì)于設(shè)計(jì)PCB來(lái)說(shuō)可靠性就會(huì)更高。1）首先，要在相關(guān)的EDA工具里設(shè)置好拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和相關(guān)約束。2）將BGA引腳突圍，將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節(jié)組的中間，由于所有這些分組操作，為了盡可能少的信號(hào)交叉，一些的管腳也許會(huì)被交換到其它區(qū)域布線。3）由串?dāng)_仿真的結(jié)果可知，盡量減少短線（stubs）長(zhǎng)度。通常，短線（stubs）是可以被削減的，但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤(pán)和存儲(chǔ)器焊盤(pán)之間也許只需要兩段的走線就可以實(shí)現(xiàn)了，但是此走線必須要很細(xì)，那么就提高了PCB的制作成本，而且，不是所有的走線都只需要兩段的，除非使用微小的過(guò)孔和盤(pán)中孔的技術(shù)。終，考慮到信號(hào)完整性的容差和成本，可能選擇折中的方案。借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些；上海DDR測(cè)試安裝

一種DDR4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法；上海DDR測(cè)試安裝

一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù)：2.為保證服務(wù)器的平穩(wěn)運(yùn)行以及服務(wù)器ddr4內(nèi)存的完好使用，測(cè)量服務(wù)器內(nèi)存的信號(hào)完整性是否符合標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成了服務(wù)器研發(fā)過(guò)程中必不可少的重要流程。目前服務(wù)器主流都是適用ddr4內(nèi)存，為了保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，ddr4鏈路的測(cè)試對(duì)服務(wù)器存儲(chǔ)性能評(píng)估有著至關(guān)重要的影響。3.目前服務(wù)器ddr4信號(hào)的測(cè)試無(wú)法進(jìn)行正常工作狀態(tài)的讀寫(xiě)分離，只能利用主控芯片進(jìn)行讀寫(xiě)命令來(lái)進(jìn)行相應(yīng)讀或?qū)懙臏y(cè)試，效率較低且不能完全反映正常工作狀態(tài)下的波形，在信號(hào)完整性測(cè)試上有比較大的風(fēng)險(xiǎn)。上海DDR測(cè)試安裝