在進(jìn)行接收容限測(cè)試時(shí)，需要用到多通道的誤碼儀產(chǎn)生帶壓力的DQ、DQS等信號(hào)。測(cè) 試 中 被 測(cè) 件 工 作 在 環(huán) 回 模 式 ， D Q 引 腳 接 收 的 數(shù) 據(jù) 經(jīng) 被 測(cè) 件 轉(zhuǎn) 發(fā) 并 通 過(guò) L B D 引 腳 輸 出 到 誤碼儀的誤碼檢測(cè)端口。在測(cè)試前需要用示波器對(duì)誤碼儀輸出的信號(hào)進(jìn)行校準(zhǔn)，如DQS與 DQ的時(shí)延校準(zhǔn)、信號(hào)幅度校準(zhǔn)、DCD與RJ抖動(dòng)校準(zhǔn)、壓力眼校準(zhǔn)、均衡校準(zhǔn)等。圖5.21 展示了一整套DDR5接收端容限測(cè)試的環(huán)境。

DDR4/5的協(xié)議測(cè)試

除了信號(hào)質(zhì)量測(cè)試以外，有些用戶還會(huì)關(guān)心DDR總線上真實(shí)讀/寫(xiě)的數(shù)據(jù)是否正確， 以及總線上是否有協(xié)議的違規(guī)等，這時(shí)就需要進(jìn)行相關(guān)的協(xié)議測(cè)試。DDR的總線寬度很  寬，即使數(shù)據(jù)線只有16位，加上地址、時(shí)鐘、控制信號(hào)等也有30多根線，更寬位數(shù)的總線甚  至?xí)玫缴习俑€。為了能夠?qū)@么多根線上的數(shù)據(jù)進(jìn)行同時(shí)捕獲并進(jìn)行協(xié)議分析，適  合的工具就是邏輯分析儀。DDR協(xié)議測(cè)試的基本方法是通過(guò)相應(yīng)的探頭把被測(cè)信號(hào)引到  邏輯分析儀，在邏輯分析儀中運(yùn)行解碼軟件進(jìn)行協(xié)議驗(yàn)證和分析。 DDR4 電氣一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。數(shù)字信號(hào)DDR一致性測(cè)試檢修

DDR4/5與LPDDR4/5 的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試

由于基于DDR顆?；駾DR DIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺(tái)，應(yīng)用場(chǎng)景千差萬(wàn)別， 因此需要進(jìn)行詳盡的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對(duì)于DDR4及以下的標(biāo)準(zhǔn) 來(lái)說(shuō)，物理層一致性測(cè)試主要是發(fā)送的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試；對(duì)于DDR5標(biāo)準(zhǔn)來(lái)說(shuō)，由于接收端出 現(xiàn)了均衡器，所以還要包含接收測(cè)試。

DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試也是使用高帶寬的示波器。對(duì)于DDR的信號(hào)，技術(shù)規(guī)范并沒(méi)有 給出DDR信號(hào)上升/下降時(shí)間的具體參數(shù)，因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實(shí)際快上升/ 下降時(shí)間來(lái)估算需要的示波器帶寬。通常對(duì)于DDR3信號(hào)的測(cè)試，推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測(cè)試建議的測(cè)試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測(cè)試則推薦使用 16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。 測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試USB測(cè)試DDR原理及物理層一致性測(cè)試；

除了DDR以外，近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過(guò)來(lái)的LPDDR (Low-Power DDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景，相 對(duì)于同一代技術(shù)的DDR來(lái)說(shuō)會(huì)采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器 件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1. 1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一 些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù)，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把 外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對(duì)于電源紋波和串?dāng)_噪 聲會(huì)更敏感，其電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會(huì)采用一些額 外的技術(shù)來(lái)節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動(dòng)調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷 新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對(duì)低功耗的支持。同時(shí)，LPDDR的芯片一般體積更 小，因此占用的PCB空間更小。

通常我們會(huì)以時(shí)鐘為基準(zhǔn)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)疊加形成眼圖，但這種簡(jiǎn)單的方法對(duì)于DDR信 號(hào)不太適用。DDR總線上信號(hào)的讀、寫(xiě)和三態(tài)都混在一起，因此需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行分離后再進(jìn) 行測(cè)量分析。傳統(tǒng)上有以下幾種方法用來(lái)進(jìn)行讀/寫(xiě)信號(hào)的分離，但都存在一定的缺點(diǎn)。

(1)根據(jù)讀/寫(xiě)Preamble的寬度不同進(jìn)行分離(針對(duì)DDR2信號(hào))。Preamble是每個(gè)Burst的數(shù)據(jù)傳輸開(kāi)始前，DQS信號(hào)從高阻態(tài)到發(fā)出有效的鎖存邊沿前的  一段準(zhǔn)備時(shí)間，有些芯片的讀時(shí)序和寫(xiě)時(shí)序的Preamble的寬度可能是不一樣的，因此可以  用示波器的脈沖寬度觸發(fā)功能進(jìn)行分離。但由于JEDEC并沒(méi)有嚴(yán)格規(guī)定寫(xiě)時(shí)序的  Preamble寬度的上限，因此如果芯片的讀/寫(xiě)時(shí)序的Preamble的寬度接近則不能進(jìn)行分  離。另外，對(duì)于DDR3來(lái)說(shuō)，讀時(shí)序的Preamble可能是正電平也可能是負(fù)電平；對(duì)于  DDR4來(lái)說(shuō)，讀/寫(xiě)時(shí)序的Preamble幾乎一樣，這都使得觸發(fā)更加難以設(shè)置。 DDR4 和 LPDDR4 一致性測(cè)試軟件。

由于DDR5工作時(shí)鐘比較高到3.2GHz,系統(tǒng)裕量很小，因此信號(hào)的 隨機(jī)和確定性抖動(dòng)對(duì)于數(shù)據(jù)的正確傳輸至關(guān)重要，需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引 入的PJ、傳輸通道損耗帶來(lái)的DJ等影響。DDR5的測(cè)試項(xiàng)目比DDR4也更加復(fù)雜。比如 其新增了nUI抖動(dòng)測(cè)試項(xiàng)目，并且需要像很多高速串行總線一樣對(duì)抖動(dòng)進(jìn)行分解并評(píng)估 RJ、DJ等不同分量的影響。另外，由于高速的DDR5芯片內(nèi)部都有均衡器芯片，因此實(shí)際 進(jìn)行信號(hào)波形測(cè)試時(shí)也需要考慮模擬均衡器對(duì)信號(hào)的影響。圖5.16展示了典型的DDR5 和LPDDR5測(cè)試軟件的使用界面和一部分測(cè)試結(jié)果。DDR時(shí)鐘總線的一致性測(cè)試。數(shù)字信號(hào)DDR一致性測(cè)試檢修

DDR4存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的信號(hào)完整性。數(shù)字信號(hào)DDR一致性測(cè)試檢修

DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程，以及將實(shí)際的設(shè)計(jì)需求和DDR規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合，我們以一個(gè)實(shí)際的設(shè)計(jì)分析實(shí)例來(lái)說(shuō)明，如何在一個(gè)DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，解讀并使用DDR規(guī)范中的參數(shù)，應(yīng)用到實(shí)際的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。某項(xiàng)目中，對(duì)DDR系統(tǒng)的功能模塊細(xì)化框圖。在這個(gè)系統(tǒng)中，對(duì)DDR的設(shè)計(jì)需求如下。

整個(gè)DDR功能模塊由四個(gè)512MB的DDR芯片組成，選用Micron的DDR存諸芯片MT46V64M8BN-75。每個(gè)DDR芯片是8位數(shù)據(jù)寬度，構(gòu)成32位寬的2GBDDR存諸單元，地址空間為Add<13..0>，分四個(gè)Bank，尋址信號(hào)為BA<1..0>。 數(shù)字信號(hào)DDR一致性測(cè)試檢修