相關(guān)器件的應(yīng)用手冊，ApplicationNote:在這個文檔中，廠家一般會提出一些設(shè)計建議，甚至參考設(shè)計，有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準備中，要注意這些信息是否齊備。

參考設(shè)計，ReferenceDesiqn:對于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會提供一些參考設(shè)計，以幫助使用者盡快實現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進行更改。

IBIS 文件:這個對高速設(shè)計而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過。 DDR4存儲器設(shè)計的信號完整性。自動化DDR一致性測試維修

前面介紹過，JEDEC規(guī)范定義的DDR信號的要求是針對DDR顆粒的引腳上的，但 是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方 式，其測試到的信號與芯片引腳處的信號也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳 處的信號質(zhì)量， 一種常用的方法是在示波器中對PCB走線和測試夾具的影響進行軟件的 去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個鏈路上各部分的S參數(shù)模型 文件(通常通過仿真或者實測得到),并根據(jù)實際測試點和期望觀察到的點之間的傳輸函數(shù)， 來計算期望位置處的信號波形，再對這個信號做進一步的波形參數(shù)測量和統(tǒng)計。展示了典型的DDR4和DDR5信號質(zhì)量測試環(huán)境，以及在示波器中進行去嵌入操作的 界面。云南DDR一致性測試銷售廠DDR2 和 LPDDR2 電氣一致性測試應(yīng)用軟件。

對DDR5來說，設(shè)計更為復(fù)雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應(yīng)用IBIS模型針對基于 DDR5顆?；駾IMM的系統(tǒng)進行仿真驗證，比如仿真驅(qū)動能力、隨機抖動/確定性抖動、寄 生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時間、AGC(自動增益控制)功能、4taps DFE(4抽頭 判決反饋均衡)等。

DDR的讀寫信號分離

對于DDR總線來說，真實總線上總是讀寫同時存在的。規(guī)范對于讀時序和寫時序的 相關(guān)時間參數(shù)要求是不一樣的，讀信號的測量要參考讀時序的要求，寫信號的測量要參考寫 時序的要求。因此要進行DDR信號的測試，第一步要做的是從真實工作的總線上把感興 趣的讀信號或者寫信號分離出來。JEDEC協(xié)會規(guī)定的DDR4總線的 一個工作時 序圖(參考資料： JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4),可以看到對于讀和寫信 號來說，DQS和DQ間的時序關(guān)系是不一樣的。

按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM(Static RAM)和 動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲需要多個晶體管，不容易實現(xiàn)大的存儲容量，主要用于一些對時 延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復(fù)雜。但是由于DRAM每比特數(shù)據(jù)存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內(nèi)存都是DRAM。DDR5 一致性測試應(yīng)用軟件。

每個DDR芯片獨享DOS，DM信號;四片DDR芯片共享RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號。

DDR工作頻率為133MHz。

DDR 控制器選用Xilinx公司的 FPGA，型號為XC2VP30 6FF1152C

得到這個設(shè)計需求之后，我們首先要進行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準備相關(guān)的設(shè)計資料。一般來講，對于經(jīng)過選型的器件，為了使用這個器件進行相關(guān)設(shè)計，需要有如下資料。

器件數(shù)據(jù)手冊Datasheet:這個是必須要有的。如果沒有器件手冊，是沒有辦法進行設(shè)計的(一般經(jīng)過選型的器件，設(shè)計工程師一定會有數(shù)據(jù)手冊)。 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 設(shè)計與測試解決方案；云南DDR一致性測試銷售廠

DDR時鐘總線的一致性測試。自動化DDR一致性測試維修

RDIMM(RegisteredDIMM,寄存器式雙列直插內(nèi)存)有額外的RCD(寄存器時鐘驅(qū)動器，用來緩存來自內(nèi)存控制器的地址/命令/控制信號等)用于改善信號質(zhì)量，但額外寄存器的引入使得其延時和功耗較大。LRDIMM(LoadReducedDIMM,減載式雙列直插內(nèi)存)有額外的MB(內(nèi)存緩沖，緩沖來自內(nèi)存控制器的地址/命令/控制等),在技術(shù)實現(xiàn)上并未使用復(fù)雜寄存器，只是通過簡單緩沖降低內(nèi)存總線負載。RDIMM和LRDIMM通常應(yīng)用在高性能、大容量的計算系統(tǒng)中。

綜上可見，DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢是速率更高、封裝更密、工作電壓更低、信號調(diào)理技術(shù) 更復(fù)雜，這些都對設(shè)計和測試提出了更高的要求。為了從仿真、測試到功能測試階段保證DDR信號的波形質(zhì)量和時序裕量，需要更復(fù)雜、更的仿真、測試和分析工具。

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