那么在下面的仿真分析過程中，我們是不是可以就以這兩個圖中的時序要求作為衡量標準來進行系統(tǒng)設(shè)計呢?答案是否定的，因為雖然這個時序是規(guī)范中定義的標準，但是在系統(tǒng)實現(xiàn)中，我們所使用的是Micron的產(chǎn)品，而后面系統(tǒng)是否能夠正常工作要取決干我們對Micron芯片的時序控制程度。所以雖然我們通過閱讀DDR規(guī)范文件了解到基本設(shè)計要求，但是具體實現(xiàn)的參數(shù)指標要以Micron芯片的數(shù)據(jù)手冊為準。換句話說，DDR的工業(yè)規(guī)范是芯片制造商Micron所依據(jù)的標準，而我們設(shè)計系統(tǒng)時，既然使用了Micron的產(chǎn)品，那么系統(tǒng)的性能指標分析就要以Micron的產(chǎn)品為準。所以，接下來的任務(wù)就是我們要在Micron的DDR芯片手冊和作為控制器的FPGA數(shù)據(jù)手冊中，找到類似的DDR規(guī)范的設(shè)計要求和具體的設(shè)計參數(shù)。是否可以在已通過一致性測試的DDR3內(nèi)存模塊之間混搭？信息化DDR3測試項目

時序要求：DDR系統(tǒng)中的內(nèi)存控制器需要遵循DDR規(guī)范中定義的時序要求來管理和控制內(nèi)存模塊的操作。時序要求包括初始時序、數(shù)據(jù)傳輸時序、刷新時序等，確保內(nèi)存模塊能夠按照規(guī)范工作，并實現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸和操作。容量與組織：DDR系統(tǒng)中的內(nèi)存模塊可以有不同的容量和組織方式。內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。內(nèi)存模塊通常由多個內(nèi)存芯片組成，每個內(nèi)存芯片被稱為一個芯粒（die），多個芯?？梢越M成密集的內(nèi)存模塊。兼容性：DDR技術(shù)考慮了兼容性問題，以確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器在較低速度的DDR模式下工作。信息化DDR3測試項目DDR3一致性測試是否會提前壽命內(nèi)存模塊？

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標移動到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號，單擊0K按鈕確認。

同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個列表 窗口左側(cè)，用鼠標左鍵點選DQS差分線的正端，用鼠標右鍵點選負端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認。

很多其他工具都忽略選通Strobe信號和時鐘Clock信號之間的時序分析功能，而SystemSI可以分析包括Strobe和Clock在內(nèi)的完整的各類信號間的時序關(guān)系。如果要仿真分析選通信號Strobe和時鐘信號Clock之間的時序關(guān)系，則可以設(shè)置與Strobe對應(yīng)的時鐘信號。在Clock 下方的高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開Clock列表。跟選擇與Strobe -樣的操作即可選定時 鐘信號。

· 工業(yè)規(guī)范標準，Specification：如果所設(shè)計的功能模塊要實現(xiàn)某種工業(yè)標準接口或者協(xié)議，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標準，讀懂規(guī)范之后，才能開始設(shè)計。

因此，為實現(xiàn)本設(shè)計實例中的 DDR 模塊，需要的技術(shù)資料和文檔。

由于我們要設(shè)計 DDR 存儲模塊，那么在所有的資料當(dāng)中，應(yīng)該較早了解 DDR 規(guī)范。通過對 DDR 規(guī)范文件「JEDEC79R」的閱讀，我們了解到，設(shè)計一個 DDR 接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的 DC，AC 特性及信號時序特征。下面我們從設(shè)計規(guī)范要求和器件本身特性兩個方面來解讀，如何在設(shè)計中滿足設(shè)計要求。 是否可以使用可編程讀寫狀態(tài)寄存器（SPD）來執(zhí)行DDR3一致性測試？

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作電壓為2.5V；時鐘信號頻率為100?200MHz； 數(shù)據(jù)信號速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號雙邊沿釆樣；地址/命令/控制信號速率為 100?200Mbps,通過時鐘信號上升沿采樣；信號走線都使用樹形拓撲，沒有ODT功能。

DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作電壓為1.8V；時鐘信號頻率為200? 400MHz；數(shù)據(jù)信號速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號，但在高速 率時需使用差分選通信號以保證釆樣的準確性；地址/命令/控制信號在每個時鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)速率為200?400Mbps,在每個間隔時鐘上升沿釆樣的情況下(2T模式) 速率減半；信號走線也都使用樹形拓撲，數(shù)據(jù)和選通信號有ODT功能。 如何執(zhí)行DDR3的一致性測試？浙江DDR3測試聯(lián)系人

是否可以通過重新插拔DDR3內(nèi)存模塊解決一致性問題？信息化DDR3測試項目

高速DDRx總線概述

DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進而來的，嚴格地說DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。

DDRx發(fā)展簡介

代DDR （通常稱為DDR1）接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過幾代的發(fā)展，現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布，甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 信息化DDR3測試項目