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來源: 發(fā)布時間:2024-08-09

DDR信號的DC和AC特性要求之后,不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對于一般信號而言,DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中,我們可以注意一下,其Overshoot和Undershoot指向的位置,到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn),是沒有辦法從這個指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因為,在DDR中,信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值,而是一個電源和時間的積分值。影面積所示的大小,而申壓和時間的積分值,就是能量!因此,對于DDR信號而言,其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小,而是能量的大小!這一點是不同于任何一個其他信號體制的,而且能量信號這個特性,會延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當(dāng)中,我們會在DDR2和DDR3的信號體制中,更加深刻地感覺到能量信號對于DDRx系統(tǒng)含義。當(dāng)然,除了能量的累積不能超過AC規(guī)范外,比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限,否則,無需能量累積,足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。DDR3內(nèi)存有哪些常見的容量大?。可轿鱀DR3測試價格優(yōu)惠

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"DDRx"是一個通用的術(shù)語,用于表示多種類型的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)標(biāo)準(zhǔn),包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個數(shù)字,了不同的DDR代數(shù)。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同,以適應(yīng)不斷增長的計算需求和技術(shù)發(fā)展。下面是一些常見的DDR標(biāo)準(zhǔn):DDR2:DDR2是第二代DDR技術(shù),相比于DDR,它具有更高的頻率和帶寬,以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術(shù)和功能,如多通道架構(gòu)和前瞻性預(yù)充電(prefetch)。DDR3:DDR3是第三代DDR技術(shù),進一步提高了頻率和帶寬,并降低了功耗。DDR3內(nèi)存模塊具有更高的密度和容量,可以支持更多的內(nèi)存。DDR4:DDR4是第四代DDR技術(shù),具有更高的頻率和帶寬,較低的電壓和更高的密度。DDR4內(nèi)存模塊相對于之前的DDR3模塊來說,能夠提供更大的容量和更高的性能。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)都會有自己的規(guī)范和時序要求,以確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性。DDR技術(shù)在計算機系統(tǒng)、服務(wù)器、嵌入式設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,能夠提供快速和高效的數(shù)據(jù)訪問和處理能力。山西DDR3測試價格優(yōu)惠在DDR3一致性測試期間能否繼續(xù)進行其他任務(wù)?

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在接下來的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號網(wǎng)絡(luò),為這些信號網(wǎng)絡(luò)分組并定義單個或者多個網(wǎng)絡(luò)組。選擇網(wǎng)絡(luò)DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標(biāo)右鍵單擊Assign interface菜單項,定義接口名稱為Data,

設(shè)置完成后,岀現(xiàn)Setup NG wizard: NG pre-view page窗口,顯示網(wǎng)絡(luò)組的信息,如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕,網(wǎng)絡(luò)組設(shè)置完成。

單擊設(shè)置走線檢查參數(shù)(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設(shè) 置:勾選阻抗和耦合系數(shù)檢查兩個選項;設(shè)置走線耦合百分比為1%,上升時間為lOOps;選 擇對網(wǎng)絡(luò)組做走線檢查(Check by NetGroup);設(shè)置交互高亮顯示顏色為白色。

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口,I/O 口工作電壓為 1.2V;時 鐘信號頻率為166?533MHz;數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣;控制信號速率為166?533Mbps,通過時鐘信號上升沿 采樣;一般用于板載(Memory?down)設(shè)計,信號通常為點對點或樹形拓撲,沒有ODT功能。

LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口,I/O 口工作電壓為1.2V; 時鐘信號頻率為667?1066MHz;數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率為1333?2133Mbps,分別 通過差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣;控制信號速率為667?1066Mbps,通過時鐘上升 沿釆樣;一般用于板載設(shè)計,數(shù)據(jù)信號一般為點對點拓撲,命令地址和控制信號一般也釆用 Fly-by走線,有些情況下可以使用樹形走線;數(shù)據(jù)和選通信號支持ODT功能;也支持使用 Write Leveling功能調(diào)整時鐘和選通信號間的延時偏移。 DDR3內(nèi)存的一致性測試包括哪些內(nèi)容?

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DDR 規(guī)范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統(tǒng)設(shè)計過程,以及將實際的設(shè)計需求和 DDR 規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合,我們以一個實際的設(shè)計分析實例來說明,如何在一個 DDR 系統(tǒng)設(shè)計中,解讀并使用 DDR 規(guī)范中的參數(shù),應(yīng)用到實際的系統(tǒng)設(shè)計中。是某項目中,對 DDR 系統(tǒng)的功能模塊細化框圖。在這個系統(tǒng)中,對 DDR 的設(shè)計需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個 DDR 功能模塊由四個 512MB 的 DDR 芯片組成,選用 Micron 的 DDR 存儲芯片 MT46V64M8BN-75。每個 DDR 芯片是 8 位數(shù)據(jù)寬度,構(gòu)成 32 位寬的 2GBDDR 存儲單元,地址空間為 Add<13..0>,分四個 Bank,尋址信號為 BA<1..0>。


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DDR4: DDR4釆用POD12接口,I/O 口工作電壓為1.2V;時鐘信號頻率為800?1600MHz; 數(shù)據(jù)信號速率為1600?3200Mbps;數(shù)據(jù)命令和控制信號速率為800?1600Mbps。DDR4的時 鐘、地址、命令和控制信號使用Fly-by拓撲走線;數(shù)據(jù)和選通信號依舊使用點對點或樹形拓 撲,并支持動態(tài)ODT功能;也支持Write Leveling功能。

綜上所述,DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號都釆用對稱的樹形拓撲;DDR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號也延用點對點或樹形拓撲。升級到DDR2后,為了改進信號質(zhì)量,在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號設(shè)計了片上終端電阻ODT(OnDieTermination),并為優(yōu)化時序提供了差分的選通信號。DDR3速率更快,時序裕量更小,選通信號只釆用差分信號。 山西DDR3測試價格優(yōu)惠