EXD504/7D防爆壓力控制器，防爆標(biāo)志ExedⅡCT4～T5

控制器采用無泄漏活塞式的傳感器用于非腐蝕性氣體、液體介質(zhì)，設(shè)定值調(diào)節(jié)規(guī)模0.3~40Mpa。

主要技術(shù)指標(biāo)

可用于腐蝕性介質(zhì)，也空氣、氣體、水、液壓油、潤滑油、輕燃油等。

作業(yè)粘度：<1╳10-3m2/s

防爆等級：ExedIICT4～T6

外殼防護(hù)等級：IP54（DIN40050）

環(huán)境溫度：-5～40℃

介質(zhì)溫度：0～90℃

接口方向：壓力接口垂直向下

抗振性能：Max：20m/s2

重復(fù)性誤差：≤1.5%

觸點容量DC250V0.25A（阻性）60Wmax

DC250V5A（阻性）1250VAmax

AC250V5A（阻性）1250Wmax

壓力控制器（壓力開關(guān)）工作原理是一種接收壓力信號而動作的自動控制器。江蘇雙觸點壓力控制器什么價格

20世紀(jì)80年代，計算機(jī)的微型化促進(jìn)了壓力傳感器性能明顯提高。這使壓力控制器制造公司能夠在其產(chǎn)品中使用性能更高、成本更低的新型壓力傳感器；同時隨著微型計算機(jī)、以及經(jīng)過改進(jìn)的材料和經(jīng)驗相結(jié)合，開發(fā)出許多不同的壓力控制方法，如泄漏控制、正壓和脈寬調(diào)制。這些控制方法中的每一種都為用戶提供了更多選擇，從而降低成本并提高速度，提高了測量準(zhǔn)確度水平。20世紀(jì)90年代，推出了多通道壓力控制器，允許利用單臺壓力控制器實現(xiàn)2個或多個單獨控制的壓力。這推動了模塊化進(jìn)一步發(fā)展，用戶可以更換內(nèi)部壓力傳感器，以實現(xiàn)更多的壓力控制和測量范圍。江蘇雙觸點壓力控制器什么價格上海中和差壓控制器的廠家。

壓阻壓力傳感器是指利用單晶硅材料的壓阻效應(yīng)和集成電路技術(shù)制成的傳感器。單晶硅材料在受到力的作用后，電阻率發(fā)生變化，通過測量電路就可得到正比于力變化的電信號輸出。它又稱為擴(kuò)散硅壓阻壓力傳感器，它不同于粘貼式應(yīng)變計需通過彈性敏感元件間接感受外力，而是直接通過硅膜片感受被測壓力的。壓阻壓力傳感器主要基于壓阻效應(yīng)（Piezoresistiveeffect）。壓阻效應(yīng)是用來描述材料在受到機(jī)械式應(yīng)力下所產(chǎn)生的電阻變化。不同于壓電效應(yīng)，壓阻效應(yīng)只產(chǎn)生阻抗變化，并不會產(chǎn)生電荷。大多數(shù)金屬材料與半導(dǎo)體材料都被發(fā)現(xiàn)具有壓阻效應(yīng)。其中半導(dǎo)體材料中的壓阻效應(yīng)遠(yuǎn)大于金屬。由于硅是現(xiàn)今集成電路的主要原料，以硅制作而成的壓阻性元件的應(yīng)用就變得非常有意義。硅的電阻變化不單是來自與應(yīng)力有關(guān)的幾何形變，而且也來自材料本身與應(yīng)力相關(guān)的電阻，這使得其程度因子大于金屬數(shù)百倍之多。N型硅的電阻變化主要是由于其三個導(dǎo)帶谷對的位移所造成不同遷移率的導(dǎo)帶谷間的載子重新分布，進(jìn)而使得電子在不同流動方向上的遷移率發(fā)生改變。其次是由于來自與導(dǎo)帶谷形狀的改變相關(guān)的等效質(zhì)量(effectivemass)的變化。在P型硅中，此現(xiàn)象變得更復(fù)雜，而且也導(dǎo)致等效質(zhì)量改變及電洞轉(zhuǎn)換。

電阻應(yīng)變片的工作原理金屬電阻應(yīng)變片的工作原理是吸附在基體材料上應(yīng)變電阻隨機(jī)械形變而產(chǎn)生阻值變化的現(xiàn)象，俗稱為電阻應(yīng)變效應(yīng)。金屬導(dǎo)體的電阻值可用下式表示：式中：ρ——金屬導(dǎo)體的電阻率（Ω·cm2/m）S——導(dǎo)體的截面積（cm2）L——導(dǎo)體的長度（m）我們以金屬絲應(yīng)變電阻為例，當(dāng)金屬絲受外力作用時，其長度和截面積都會發(fā)生變化，從上式中可很容易看出，其電阻值即會發(fā)生改變，假如金屬絲受外力作用而伸長時，其長度增加，而截面積減少，電阻值便會增大。當(dāng)金屬絲受外力作用而壓縮時，長度減小而截面增加，電阻值則會減小。只要測出加在電阻的變化（通常是測量電阻兩端的電壓），即可獲得應(yīng)變金屬絲的應(yīng)變情況。壓力開關(guān)通常設(shè)置在消防水泵房的主干管道上或報警閥上，流量開關(guān)通常設(shè)置在高位消防水箱出水管上。

正壓電效應(yīng)是指：當(dāng)晶體受到某固定方向外力的作用時,內(nèi)部就產(chǎn)生電極化現(xiàn)象,同時在某兩個表面上產(chǎn)生符號相反的電荷；當(dāng)外力撤去后，晶體又恢復(fù)到不帶電的狀態(tài)；當(dāng)外力作用方向改變時，電荷的極性也隨之改變；晶體受力所產(chǎn)生的電荷量與外力的大小成正比。壓電式傳感器大多是利用正壓電效應(yīng)制成的。逆壓電效應(yīng)是指對晶體施加交變電場引起晶體機(jī)械變形的現(xiàn)象，又稱電致伸縮效應(yīng)。用逆壓電效應(yīng)制造的變送器可用于電聲和超聲工程。壓電敏感元件的受力變形有厚度變形型、長度變形型、體積變形型、厚度切變型、平面切變型5種基本形式。壓電晶體是各向異性的，并非所有晶體都能在這5種狀態(tài)下產(chǎn)生壓電效應(yīng)。例如石英晶體就沒有體積變形壓電效應(yīng)，但具有良好的厚度變形和長度變形壓電效應(yīng)。壓力控制器是工業(yè)實踐中較為常用的一種傳感器，其廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)自控環(huán)境。江西雙觸點壓力控制器

壓力控制器是工業(yè)實踐中較為常用的一種傳感器。江蘇雙觸點壓力控制器什么價格

霍爾壓力傳感器：霍爾壓力傳感器是基于某些半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)制成的?；魻栃?yīng)是指當(dāng)固體導(dǎo)體放置在一個磁場內(nèi)，且有電流通過時，導(dǎo)體內(nèi)的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產(chǎn)生電壓（霍爾電壓）的現(xiàn)象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導(dǎo)體內(nèi)部的電流是由帶有負(fù)電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。在導(dǎo)體上外加與電流方向垂直的磁場，會使得導(dǎo)線中的電子受到洛倫茲力而聚集，從而在電子聚集的方向上產(chǎn)生一個電場，此電場將會使后來的電子受到電力作用而平衡掉磁場造成的洛倫茲力，使得后來的電子能順利通過不會偏移，此稱為霍爾效應(yīng)。而產(chǎn)生的內(nèi)建電壓稱為霍爾電壓。當(dāng)磁場為一交變磁場時，霍爾電動勢也為同頻率的交變電動勢，建立霍爾電動勢的時間極短，故其響應(yīng)頻率高。理想霍爾元件的材料要求要有較高的電阻率及載流子遷移率，以便獲得較大的霍爾電動勢。常用霍爾元件的材料大都是半導(dǎo)體，包括N型硅(Si)、銻化銦(InSb)、砷化銦InAs)、鍺(Ge)、砷化鎵GaAs)及多層半導(dǎo)體質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，N型硅的霍爾系數(shù)、溫度穩(wěn)定性和線性度均較好，砷化鎵溫漂小，目前應(yīng)用。江蘇雙觸點壓力控制器什么價格

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