3、超濾系統(tǒng)控制余氯等氧化劑不當(dāng)，進(jìn)EDI氧化劑超量，導(dǎo)致EDI樹(shù)脂破碎，堵塞產(chǎn)水通道，水量下降。

  4、采用不當(dāng)?shù)那逑春拖?，直接?dǎo)致EDI樹(shù)脂破碎，進(jìn)出水壓差增大，造成產(chǎn)水水質(zhì)和水量全部下降。

  5、IONPUREEDI模塊系統(tǒng)手動(dòng)運(yùn)行時(shí)，在缺水狀態(tài)下加電，直接導(dǎo)致膜片和樹(shù)脂的發(fā)熱碳化，清洗無(wú)效，無(wú)法使用。

  6、IONPUREEDI模塊進(jìn)水前無(wú)保安濾器，或安裝時(shí)沒(méi)有徹底清洗管道和水箱，導(dǎo)致異物堵塞EDI通道，進(jìn)出水壓差增大，造成產(chǎn)水水量嚴(yán)重下降，清洗無(wú)效。

  7、出廠時(shí)產(chǎn)品不合格，使用一段時(shí)間不明原因的漏水。

  8、電流電壓超出額定值或人為誤操作。 購(gòu)買(mǎi)美國(guó)IONPURE EDI模塊上海純超環(huán)保是****。四川美國(guó)IONPURE EDI模塊報(bào)價(jià)

超純水比較好選擇CEDI Ionpure IPLX可提供﹕LX膜塊主體﹐電源供應(yīng)原件﹐DC電源供應(yīng)器﹐DC電源顯示面板及管路安裝配件﹔該膜塊通常安裝與RO純水設(shè)備之后并提供下列優(yōu)勢(shì)。 ***穩(wěn)定及符合工業(yè)級(jí)需求之比較好原件 ****避免漏水之運(yùn)轉(zhuǎn)設(shè)計(jì) *機(jī)簡(jiǎn)易之配管及回路設(shè)計(jì)需求 *提供完整之電源供應(yīng)原件 *可提供單一膜塊**電源供應(yīng) *可顯示個(gè)別膜塊所消耗之電壓及安培數(shù) *膜塊設(shè)計(jì)比較高可承受工作壓力100psi *膜塊設(shè)計(jì)比較高可承受工作溫度45℃(113℉) *高溫**膜塊比較高可承受工作溫度80℃(176℉) *安全毋需停機(jī)再生﹐影響制程 *毋需使用酸堿再生也無(wú)廢水排放 江蘇專(zhuān)業(yè)美國(guó)IONPURE EDI模塊哪家好美國(guó)IONPURE EDI模塊請(qǐng)使用正規(guī)產(chǎn)品。

美國(guó)IONPURE IP-LXM30ZEDI模塊設(shè)備進(jìn)水指標(biāo)要求

◎通常為單級(jí)反滲透或二級(jí)反滲透的滲透水

◎TEA（總可交換陰離子，以CaCO3計(jì)）：<25ppm。

◎電導(dǎo)率：<40μS/cm

◎PH：6.0～9.0。當(dāng)總硬度低于0.1ppm時(shí)，EDI比較好工作的pH范圍為8.0～9.0。

◎溫度： 5～35℃。

◎進(jìn)水壓力：<4bar（60psi）。

◎硬度：（以CaCO3計(jì)）：<1.0ppm。

◎有機(jī)物（TOC）：<0.5ppm。

◎氧化劑：Cl2<0.05ppm，O3<0.02ppm。

◎變價(jià)金屬： Fe<0.01ppm，Mn<0.02ppm。

◎H2S：<0.01ppm。

◎二氧化硅：<0.5ppm。

◎色度：<5APHA。

◎二氧化碳的總量：<10ppm

◎ SDI15min：<1.0。

清洗

隨著工作時(shí)間的累積，需要對(duì)美國(guó)IonpureEDI模塊進(jìn)行清洗及消毒，這是因?yàn)椋?

-硬度或金屬結(jié)垢，主要產(chǎn)生在濃水室內(nèi)；

-在離子交換樹(shù)脂或膜形成無(wú)機(jī)物污垢（例如，硅）；

-在離子交換樹(shù)脂或膜形成有機(jī)物污垢；

- EDI模塊和系統(tǒng)管道及其它部件的生物污垢；

-以上所有情況一起出現(xiàn)在某些情況下，需要使用一種以上的清洗方法。

高溫消毒

  美國(guó)IonpureEDI模塊可以在高溫(80°C/176°F)情況下進(jìn)行消毒，消毒說(shuō)明將同時(shí)提供給用戶。

例行的消毒比較好使用高溫消毒。低濃度的氧化劑消毒不可用于例行的消毒，只適用于嚴(yán)重的生物污堵的消毒,消毒時(shí)先進(jìn)行低濃度氧化劑消毒，再用高PH清洗。 上海純超環(huán)保出售質(zhì)量美國(guó)IONPURE EDI模塊。

離子進(jìn)入濃水室后，由于陽(yáng)離子無(wú)法穿過(guò)陰離子交換膜，因此其將被截留在濃水室，同樣，陰離子無(wú)法穿過(guò)陽(yáng)離子交換膜，被截留在濃水室，這樣陰陽(yáng)離子將隨濃水流被排出模塊；此外，由于進(jìn)水中的離子被不斷地去除，那么淡水的純度將不斷提高，在由模塊出來(lái)的時(shí)候，其純度可以達(dá)到接近理論純水的水平。

     c.  水分子在電的作用下被不斷地離解為H+和OH-和OH- 將分別使得被消耗的陽(yáng)/陰樹(shù)脂連續(xù)再生。

過(guò)程a和過(guò)程c是樹(shù)脂的消耗和再生的兩個(gè)相反過(guò)程，這兩者會(huì)在模塊內(nèi)部形成一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡。

淡水可從模塊底部進(jìn)入淡水室，從頂部出來(lái)；淡水也可從模塊頂部進(jìn)入模塊，則從模塊底部出來(lái)；極水的進(jìn)水與淡水進(jìn)水同為一水流，只是分別進(jìn)入不同的室（極水室和濃水室），并從模塊頂部排出。

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(5) TOC(總有機(jī)碳)的影響。

  進(jìn)水中如果有機(jī)物含量過(guò)高，會(huì)造成樹(shù)脂和選擇透過(guò)性膜的有機(jī)污染，導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行電壓上升，產(chǎn)水水質(zhì)下降。同時(shí)也容易在濃縮水通道形成有機(jī)膠體，堵塞通道。

(6)進(jìn)水中CO2的影響。

  進(jìn)水中CO2生成的HCO3-是弱電解質(zhì)，容易穿透離子交換樹(shù)脂層而造成產(chǎn)水水質(zhì)下降。

(7)總陰離子含量(TEA)的影響。

  高的TEA將會(huì)降EDI模塊產(chǎn)水電阻率，或需要提EDI模塊運(yùn)行電流，而過(guò)高的運(yùn)行電流會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)電流增大，極水余氯濃度增大，對(duì)極膜壽命不利。

  另外，進(jìn)水溫度、pH值、SiO2以及氧化物亦對(duì)IONPUREEDI模塊系統(tǒng)運(yùn)行有影響 四川美國(guó)IONPURE EDI模塊報(bào)價(jià)

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