BPO膠/PI膠/BCB膠固化烘箱要求一、技術(shù)指標(biāo)與基本配置：1、潔凈度：Class100級(jí)2、氧含量（配氧分析儀）：高溫狀態(tài)氧含量：≤10ppm+氣源氧含量;低溫狀態(tài)氧含量：≤20ppm+氣源氧含量3、使用溫度：RT～400℃，最高溫度：450℃4、控溫穩(wěn)定度：±1℃；5、溫度均勻度：150℃±1.5%，350℃±2%以內(nèi)（空載測(cè)試）；6、腔體數(shù)量:2個(gè),上下布置；單獨(dú)控溫7、爐膛材料：SUS304鏡面不銹鋼；加熱元件：不銹鋼加熱器；熱偶8、空爐升溫時(shí)間：1.5h；9、空爐降溫時(shí)間：375℃--80℃；降溫時(shí)間1.5-3.5小時(shí)(采用水冷及風(fēng)冷)；10、智能控制系統(tǒng)：PCL+PC工控電腦工作室采用不銹鋼板(或拉絲板)制成，確保產(chǎn)品經(jīng)久耐用。湖州進(jìn)口數(shù)顯真空烘箱箱內(nèi)高真空度

一般的電熱（鼓風(fēng)）干燥箱均設(shè)有溫度均勻度參數(shù)：自然對(duì)流式的干燥箱為工作溫度上限乘3%，強(qiáng)制對(duì)流式的干燥箱為工作溫度上限乘2.5%。惟獨(dú)電熱真空干燥箱不設(shè)溫度均勻度參數(shù)，這是因?yàn)檎婵崭稍锵鋬?nèi)依靠氣體分子運(yùn)動(dòng)使工作室溫度達(dá)到均勻的可能性幾乎已經(jīng)沒有了。因此，從概念上我們就不能再把通常電熱（鼓風(fēng)）干燥箱所規(guī)定的溫度均勻度定義用到真空干燥箱上來。在真空狀態(tài)下設(shè)這個(gè)指標(biāo)也是沒有意義的。熱輻射的量與距離的平方成反比。同一個(gè)物體，距離加熱壁20cm處所接受的輻射熱只是距離加熱壁10cm處的1/4。差異很大。這種現(xiàn)象與冬天曬太陽時(shí)，曬到太陽的一面很暖和，曬不到太陽的一面比較冷是一個(gè)道理。由于真空干燥箱在結(jié)構(gòu)上很難做到使工作室三維空間內(nèi)的各點(diǎn)輻射熱的均勻一致，同時(shí)也缺乏好的評(píng)估方法，這有可能是電熱真空干燥箱標(biāo)準(zhǔn)中不設(shè)溫度均勻度參數(shù)的原因。易維護(hù)真空烘箱安全警報(bào)經(jīng)常調(diào)整填料壓蓋，保證填料室內(nèi)的滴漏情況正常（以成滴漏出為宜）。

烘箱在電子行業(yè)的應(yīng)用：制備半導(dǎo)體：可滿足在大規(guī)模半導(dǎo)體封裝和組裝生產(chǎn)中對(duì)潔凈工藝、低氧化、粘合劑和聚合物的高效固化等要求；組件：解決電容器、電阻器及其他用于手機(jī)、影碟機(jī)、電視機(jī)及其他設(shè)備的電子組件的技術(shù)難題，陶瓷電容器烘烤到預(yù)熱、干燥和固化，這些過程需要極為重要的溫度一致性和漸進(jìn)式升降溫速率。；數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：重要數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件（例如硬盤、錄音磁頭以及鋁制或玻璃磁盤介質(zhì)）的熱處理，?烘烤潤滑油，使涂層長久性粘貼在磁盤介質(zhì)上，從而提高耐久性?鋁基板磁盤的磁盤退火?玻璃基板磁盤驅(qū)動(dòng)的基板固化?磁性退火

真空烘箱有以下特點(diǎn)：短加熱時(shí)間，與傳統(tǒng)干燥烘箱比加熱時(shí)間減少50%以上。真空烘箱因?yàn)槭怯呻娏μ峁崮?，而濕的物品是?huì)導(dǎo)電的，故在使用上宜小心不要有漏電的現(xiàn)象發(fā)生，故一般烘箱都要接地使用，以保安全。若沒有地線也要確認(rèn)烘箱沒有漏電的現(xiàn)象；若有輕微的漏電現(xiàn)象，可試著將插座拔起后將插腳以相反方向再插入，若沒有漏電現(xiàn)象可小心使用，若仍有漏電現(xiàn)象則應(yīng)立即停用。廣泛應(yīng)用于醫(yī)藥,冶金,電子五金,食品,化工,PCB烘烤等等行業(yè)。真空烘箱能在較低溫度下得到較高的干燥速率，熱量利用充分。

常用PI/BCB/BPO膠的固化方法如下：1、在半導(dǎo)體芯片表面涂覆一層粘附劑；2、通過旋轉(zhuǎn)方式在半導(dǎo)體芯片表面的粘附劑上涂覆一層液態(tài)PI/BCB/BPO膠，接著將涂覆好PI/BCB/BPO膠的半導(dǎo)體芯片放入固化爐中，并通入氮?dú)獗Ｗo(hù)；3、加熱固化爐，使涂覆PI/BCB/BPO膠的半導(dǎo)體芯片達(dá)到一溫度，穩(wěn)定一段時(shí)間，使PI/BCB/BPO膠中的溶劑分布均勻4、再將加熱固化爐升高到第二溫度，穩(wěn)定一段時(shí)間，使PI/BCB/BPO膠中的溶劑充分揮發(fā)；5、再將加熱固化爐升高至第三溫度，穩(wěn)定一段時(shí)間，在半導(dǎo)體芯片表面形成低介電常數(shù)PI/BCB/BPO膠薄膜；6、將加熱固化爐的溫度降至一預(yù)定溫度，關(guān)氮?dú)?，取出樣品，完成固化工藝。?jīng)常檢查油質(zhì)情況，發(fā)現(xiàn)油變質(zhì)應(yīng)及時(shí)更換新油，確保真空泵工作正常。易維護(hù)真空烘箱安全警報(bào)

經(jīng)常檢查油位位置，不符合規(guī)定時(shí)須調(diào)整使之符合要求。湖州進(jìn)口數(shù)顯真空烘箱箱內(nèi)高真空度

    為獲得平坦而均勻的光刻膠涂層并使光刻膠與晶片之間有良好的黏附性，通常在涂膠前對(duì)晶片進(jìn)行預(yù)處理。預(yù)處理第一步常是脫水烘烤，在真空或干燥氮?dú)獾臋C(jī)臺(tái)中，以150～200℃烘烤。工藝目的是除去晶片表面吸附的水分，在此溫度下，晶片表面大約保留了一個(gè)單分子層的水。涂膠后，晶片須經(jīng)過一次烘烤，稱之軟烘或前烘。工藝作用是除去膠中大部分溶劑并使膠的曝光特性固定。通常，軟烘時(shí)間越短或溫度越低會(huì)使得膠在顯影劑中的溶解速率增加且感光度更高，但對(duì)比度會(huì)有降低。實(shí)際上軟烘工藝需要通過優(yōu)化對(duì)比度而保持可接受感光度的試湊法用實(shí)驗(yàn)確定，典型的軟烘溫度是90～100℃，時(shí)間從用熱板的30秒到用烘箱的30分鐘。在晶片顯影后，為了后面的高能工藝，如離子注入和等離子體刻蝕，也須對(duì)晶片進(jìn)行高溫烘烤，稱之后烘或硬烘。這一工藝目的在于：減少駐波效應(yīng)；激發(fā)化學(xué)增強(qiáng)光刻膠PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護(hù)基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)并移除基團(tuán)使之能溶解于顯影液。 湖州進(jìn)口數(shù)顯真空烘箱箱內(nèi)高真空度

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