肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成,如圖4-44所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型基片接電源負(fù)極)時,肖特基勢壘層變窄,其內(nèi)阻變小;反之,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時,肖特基勢壘層則變寬,其內(nèi)阻變大。肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對管(雙二極管)式兩種封裝形式。肖特基對管又有共陰(兩管的負(fù)極相連)、共陽(兩管的正極相連)和串聯(lián)(一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極)三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。 MBR2060CT是什么類型的管子?山東肖特基二極管MBR1060CT
6、肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管",是利用pN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小,其值為幾十皮法到幾百皮法,區(qū)容與電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機的調(diào)諧回路中作可變電容。當(dāng)外加順向偏壓時,有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴散電容效應(yīng);當(dāng)外加反向偏壓時,則會產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時會有漏電流的產(chǎn)生,所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。肖特基二極管應(yīng)用SBD的結(jié)構(gòu)及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流,在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻,在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流,在高速計算機中被采用。除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外,用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(指SBD施加額定本振功率時對指定中頻所呈現(xiàn)的阻抗,一般在200Ω~600Ω之間)、電壓駐波比(一般≤2)和噪聲系數(shù)等。TO220F封裝的肖特基二極管MBRF10200CTTO263封裝的肖特基二極管有哪些?
一、肖特基二極管特性1、肖特基(Schottky)二極管的正向壓降比快恢復(fù)二極管正向壓下降很多,所以自身功耗較小,效率高。2、由于反向電荷回復(fù)時間極短,所以適合工作在高頻狀況下。3、能耐受高浪涌電流。4、目前市場上常見的肖特基管結(jié)溫分100℃、125℃、150%、175℃幾種(結(jié)溫越高表示產(chǎn)品抗高溫屬性越好。即工作在此溫度以下不會引起失效。5、它也有一些缺陷:是其耐壓較低及反向漏電流稍大。選型時要全盤考慮。肖特基二極管一般用在電源次級輸出整流上面。二、肖特基常見型號封裝圖關(guān)于封裝通過型號識別封裝外形:MBR10100:TO-220AC,單芯片,兩引腳,MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片,三引腳,型號后綴帶CTMBRB10100CT:TO-263(D2PAK)、貼片。型號前面第四個字母B,表示TO-263,國際通用命名。雙芯片,三引腳,型號后綴帶CTMBRD1045CT:TO-252(DPAK)、貼片。MBRD與MBRB都是貼片,D:TO-252,B:"PT"表示TO-3P封裝,原MOTOROLA(今ON)稱做SOT-93SD1045:D表示TO-251三、肖特基二極管常見型號及參數(shù)1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件,普遍應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、維護(hù)二極管采用。
LOWVF溝槽系列肖特基二極管具有極其低的正向壓降和極低的反向漏電流,使用在電源供應(yīng)器的高溫環(huán)境,有效的避免熱跑脫困擾。LOWVF溝槽系列肖特二極管很好地改善了熱和效率的問題,也改善了質(zhì)量的問題,符合終端客戶的能源之星規(guī)范。采用GPP工藝芯片,采用高純度的無氧銅框架,令產(chǎn)品的導(dǎo)電性能非常用良好,而塑封用的環(huán)保黑膠,氣密性良好,導(dǎo)熱性優(yōu)良,令產(chǎn)品工作時的散熱效果非常好,以上優(yōu)勢使產(chǎn)品長久穩(wěn)定的工作。低壓降肖特基二極管應(yīng)用:廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源,變頻器,驅(qū)動器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用。MBR3060PT是什么種類的管子?
是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。1.性能特點1)反向恢復(fù)時間反向恢復(fù)時間tr的概念是:電流通過零點由正向變換到規(guī)定低值的時間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。反向回復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流,IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流,通常規(guī)定Irr=。當(dāng)t≤t0時,正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時,由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷海虼苏螂娏骺焖傧陆?,在t=t1時刻,I=0。然后整流器件上流過反向電流IR,并且IR慢慢增大;在t=t2日子達(dá)到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用,反向電流慢慢減少,并在t=t3日子達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相像之處。2)快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點快恢復(fù)二極管的內(nèi)部構(gòu)造與一般而言二極管不同,它是在P型、N型硅材質(zhì)中間增加了基區(qū)I,組成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向回復(fù)電荷很小,減少了trr值,還減低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能經(jīng)受很高的反向工作電壓。快回復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒,正向壓降約為,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷更進(jìn)一步減少,使其trr可低至幾十納秒。MBRF1060CT是什么類型的管子?湖北肖特基二極管MBR40200PT
MBR4060PT是什么種類的管子?山東肖特基二極管MBR1060CT
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管兩種二極管都是單向?qū)щ?,可用于整流場合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高,但是它的恢復(fù)速度低,只能用在低頻的整流上,如果是高頻的就會因為無法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電,將導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低,但是它的恢復(fù)速度快,可以用在高頻場合,故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用,盡管如此,開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的??旎謴?fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為數(shù)百納秒或更長,后者則在100納秒以下。肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管,簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode),具有正向壓降低()、反向恢復(fù)時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場合。這兩種管子通常用于開關(guān)電源。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別:前者的恢復(fù)時間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù)時間大約為幾納秒~!前者的優(yōu)點還有低功耗,大電流。 山東肖特基二極管MBR1060CT