我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時,主要看它的正向?qū)▔航怠⒎聪蚰蛪骸⒎聪蚵╇娏鞯?。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的,在電路設(shè)計中知道這些關(guān)系對選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要,尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端加正向偏置電壓時,其內(nèi)部電場區(qū)域變窄,可以有較大的正向擴散電流通過PN結(jié)。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,鍺管約為,硅管約為)以后,快恢復(fù)二極管才能真正導(dǎo)通。但快恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降是恒定不變的嗎?它與正向擴散電流又存在什么樣的關(guān)系?通過下圖1的測試電路在常溫下對型號為快恢復(fù)二極管進行導(dǎo)通電流與導(dǎo)通壓降的關(guān)系測試,可得到如圖2所示的曲線關(guān)系:正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流成正比,其浮動壓差為。從輕載導(dǎo)通電流到額定導(dǎo)通電流的壓差雖為,但對于功率快恢復(fù)二極管來說它影響效率也影響快恢復(fù)二極管的溫升,所以在價格條件允許下,盡量選擇導(dǎo)通壓降小、額定工作電流較實際電流高一倍的快恢復(fù)二極管??焖倩謴?fù)二極管額定值和特性對其應(yīng)用的影響有哪些?上??旎謴?fù)二極管MUR2040CTR
快恢復(fù)二極管是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。性能特點1)反向恢復(fù)時間反向恢復(fù)時間trr的概念是:電流通過零點由正向變換到規(guī)定低值的時間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的主要技術(shù)指標(biāo)。IF為正向電流,IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流,當(dāng)t≤t0時,正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時,由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷海虼苏螂娏骱芸煜陆?,在t=t1時刻,I=0。然后整流器件上流過反向電流IR,并且IR日漸增大;在t=t2日子達(dá)到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用,反向電流日趨減少,并在t=t3日子達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相像之處。2)快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點快恢復(fù)二極管的內(nèi)部構(gòu)造與平常二極管不同,它是在P型、N型硅材質(zhì)中間增加了基區(qū)I,組成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向回復(fù)電荷很小,減少了trr值,還下降了瞬態(tài)正向壓降,使管子能經(jīng)受很高的反向工作電壓。快回復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒,正向壓降約為,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷更進一步減少,使其trr可低至幾十納秒。TO263封裝的快恢復(fù)二極管MUR2060CTMURF2060CT是什么類型的管子?
目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結(jié),然后在200度左右溫度進行固化,保護P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)特性對比玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,當(dāng)有外力產(chǎn)生時,冷熱沖擊,OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,由于保護膠和硅片不貼合,會產(chǎn)生漏氣,導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,可靠性很高,在150度的HTRB時,表現(xiàn)仍然很出色;而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRB。
二極管的軟度可以獲取更進一步操縱。圖3SONIC軟恢復(fù)二極管的壽命控制該二極管回復(fù)波形異常的平滑從未振蕩,所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復(fù)二極管不僅引致開關(guān)損失縮減,而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。電力電子學(xué)中的功率開關(guān)器件(IGBT、MOSFET、BJT、GTO)總是和迅速二極管相并聯(lián),在增加開關(guān)頻率時,除傳導(dǎo)損耗以外,功率開關(guān)的固有的功用和效率均由二極管的反向恢復(fù)屬性決定(由圖2的Qrr,IRM和Irr特點表示)。所以對二極管要求正向瞬態(tài)壓降小,反向回復(fù)時間斷,反向回復(fù)電荷少,并且具備軟恢復(fù)特點。反向峰值電流IRM是另一個十分關(guān)鍵的屬性。反向電流衰變的斜率dirr/dt由芯片的工藝技術(shù)和擴散參數(shù)決定。在電路中,這個電流斜率與寄生電感有關(guān),例如連接引線,引起過電壓尖峰和高頻干擾電壓。dirr/dt越高(“硬回復(fù)”屬性),二極管和并聯(lián)的開關(guān)上產(chǎn)生的附加電壓越高。反向電流的緩慢衰減(“軟恢復(fù)”特點)是令人令人滿意的屬性。所有的FRED二極管都使用了“軟恢復(fù)”特點,SONIC二極管的恢復(fù)屬性更“軟”,它們的阻斷電壓范圍寬,使這些迅速軟恢復(fù)二極管能夠作為開關(guān)電源(SMPS)的輸出整流器。MUR2040CS是什么類型的管子?
FRED的其主要反向關(guān)斷屬性參數(shù)為:反向回復(fù)時trr=ta+tb(ta一少數(shù)載流子在存儲時間,tb一少數(shù)載流子復(fù)合時間);反向回復(fù)峰值電流IRM;反向回復(fù)電荷Qrr=l/2trr×IRM以及表示器件反向回復(fù)曲線軟度的軟度因子S=tb/ta。而FRED的正向?qū)ㄖ饕獏?shù)有:正向平均電流IF(AV);正向峰值電壓UFM;正向均方根電流IF(RMS)以及正向(不反復(fù))浪涌電流IFSM。FRED的反向陰斷屬性參數(shù)為:反向反復(fù)峰值電壓URRM和反向反復(fù)峰值電流IRRM。須要指出:反向回復(fù)時間trr隨著結(jié)溫Tj的升高,所加反向電壓URRM的增高以及流過的正向電流IF(AV)的增大而增長,而主要用來測算FRED的功耗和RC保護電路的反向回復(fù)峰值電流IRM和反向回復(fù)電荷Qrr亦隨結(jié)溫Tj的升高而增大。因此,在選用由FRED構(gòu)成的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”時,須要充分考慮這些參數(shù)的測試條件,以便作必需的調(diào)整。這里值得提出的是:目前FRED的價錢比一般而言整流二極管高,但由于用到FRED使變頻器的噪聲大幅度減低(減低達(dá)15dB),這將直接影響到變頻器內(nèi)EMI濾波電路的電容器和電感器的設(shè)計,使它們的尺碼縮小和價錢大幅度下滑,并使變頻器更能相符EMI規(guī)格的要求。此外,在變頻器中,對充電限流電阻展開短接的開關(guān),目前一般都使用機器接觸器。MUR3060CD是什么類型的管子?上??旎謴?fù)二極管MUR2040CTR
快恢復(fù)二極管的開關(guān)電源漏極鉗位保護電路。上??旎謴?fù)二極管MUR2040CTR
其型號為MFST),由于這種模塊與使用3~5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時間(trr)短,反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪聲減低,從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少,價位下滑,使變頻器更易合乎國內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)規(guī)范。1模塊的構(gòu)造及特征FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個超快恢復(fù)二極管芯片和一個大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后聯(lián)合封裝在一個PPS(加有40%玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方法如圖1所示。圖中VD1~VD6為六個FRED芯片,互相聯(lián)成三相整流橋、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上。圖2示出了模塊外形構(gòu)造示意圖,現(xiàn)將圖中的主要結(jié)構(gòu)件的機能分述如下:1)銅基導(dǎo)熱底板:其機能為陶瓷覆銅板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個模塊的構(gòu)造基石。因此,它須要具備高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板開展高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)(銅為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相距較大,為此,除需使用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對銅底板要展開一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊制品,能在模塊設(shè)備到散熱器上時,使它們之間有充分的接觸,從而下降模塊的接觸熱阻。上??旎謴?fù)二極管MUR2040CTR