FSM360拉曼光譜系統(tǒng)FSM紫外光和可見光拉曼系統(tǒng),型號360FSM拉曼的應(yīng)用l局部應(yīng)力；l局部化學(xué)成分l局部損傷紫外光可測試的深度優(yōu)袖的薄膜（SOI或Si-SiGe）或者厚樣的近表面局部應(yīng)力可見光可測試的深度良好的厚樣以及多層樣品的局部應(yīng)力系統(tǒng)測試應(yīng)力的精度小于15mpa(0.03cm-1)全自動的200mm和300mm硅片檢查自動檢驗和聚焦的能力。以上的信息比較有限，如果您有更加詳細的技術(shù)問題，請聯(lián)系我們的技術(shù)人員為您解答。或者訪問我們的官網(wǎng)了解更多信息。測量方式: 紅外干涉(非接觸式)。透明導(dǎo)電氧化物膜厚儀免稅價格

接觸探頭測量彎曲和難測的表面CP-1-1.3測量平面或球形樣品，結(jié)實耐用的不銹鋼單線圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射，對1.5mm厚的基板可抑制96%。鋼制單線圈外加PVC涂層，蕞大可測厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直徑17.5mm。CP-C6-1.3探測直徑小至6mm的圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C12-1.3用于直徑小至12mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C26-1.3用于直徑小至26mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-BendingRod-L350-2彎曲長度300mm，總長度350mm的接觸探頭。用于難以到達的區(qū)域，但不會自動對準表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和飲料罐頭內(nèi)壁的接觸探頭。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直徑蕞小的接觸探頭，配備微型直角反射鏡，用來測量小至直徑3mm管子的內(nèi)壁，不能自動對準表面。CP-RA-10mmHigh-2配備微型直角反射鏡，可以在相隔10mm的兩個平坦表面之間去進行測量。測厚儀膜厚儀醫(yī)療設(shè)備測量厚度: 15 — 780 μm (單探頭) ； 3 mm (雙探頭總厚度測量)。

生物醫(yī)療設(shè)備涂層應(yīng)用生物醫(yī)療器械應(yīng)用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準備方面會用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護設(shè)備免受腐蝕，而其他的則是為了預(yù)防組織損傷、敢染或者是排異反應(yīng)。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學(xué)器械，如血管成型球囊，具有讀立的隔膜，必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。這些涂層厚度的測量方法各不相同，但有一件事是確定的。使用普通方法(例如，在涂層前后稱某一部分的重量)，無法檢測到會導(dǎo)致器械故障的涂層不完全覆蓋或涂層存在的不均勻性。

厚度測量產(chǎn)品：我們的膜厚測量產(chǎn)品可適用于各種應(yīng)用。我們大部分的產(chǎn)品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網(wǎng)頁產(chǎn)品資訊或聯(lián)系我們的應(yīng)用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協(xié)助。單點厚度測量：一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。測量1nm到13mm的單層薄膜或多層薄膜堆。大多數(shù)產(chǎn)品都有庫存而且可立即出貨。F20全世界銷量蕞hao的薄膜測量系統(tǒng)。有各種不同附件和波長覆蓋范圍。微米(顯微)級別光斑尺寸厚度測量當測量斑點只有1微米（μm）時，需要用您自己的顯微鏡或者用岱美儀器提供的整個系統(tǒng)。只需按下一個按鈕，您在不到一秒鐘的同時測量厚度和折射率。

電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:二氧化硅 – ZUI簡單的材料之一, 主要是因為它在大部分光譜上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學(xué)計量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應(yīng)規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標準。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質(zhì)困難，因為硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!重復(fù)性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭* ；0.8 μm (1 sigma)雙探頭*。透明導(dǎo)電氧化物膜厚儀免稅價格

產(chǎn)品型號：FSM 413EC, FSM 413MOT，F(xiàn)SM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C。透明導(dǎo)電氧化物膜厚儀免稅價格

集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度透明導(dǎo)電氧化物膜厚儀免稅價格