而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無窮大。正因?yàn)槎O管具有上述特性,無繩電話機(jī)中常,把它用在整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護(hù)、編碼控制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等電路中。電話機(jī)里使用的晶體二極管按作用可分為:整流二極管(如1N4004)、隔離二極管(如1N4148)、肖特基二極管(如BAT85)、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管等。2、識(shí)別方法:二極管的識(shí)別很簡(jiǎn)單,小功率二極管的N極(負(fù)極),在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來,有些二極管也用二極管**符號(hào)來表示P極(正極)或N極(負(fù)極),也有采用符號(hào)標(biāo)志為"P"、"N"來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長(zhǎng)短來識(shí)別,長(zhǎng)腳為正,短腳為負(fù)。3、測(cè)試注意事項(xiàng)...
但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后,結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年,具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,結(jié)型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要,電子裝置變的越來越復(fù)雜,這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化...
云母電容器/鋁電解電容器真空電容器/漆電容器復(fù)合介質(zhì)電容器/玻璃釉電容器有機(jī)薄膜電容器/導(dǎo)電塑料電位器紅外熱敏電阻/氣敏電阻器陶瓷電容器/鉭電容器紙介電容器/電子電位器磁敏電阻電位器/濕敏電阻器光敏電阻電位器/固定電阻器可變電阻器/排電阻器熱敏電阻器/熔斷電阻器其它電阻/電位器折疊連接器連接器,即CONNECTOR。國(guó)內(nèi)亦稱作接插件、插頭和插座。一般是指電連接器。即連接兩個(gè)有源器件的器件,傳輸電流或信號(hào)。端子/線束/卡座IC插座/光纖連接器接線柱/電纜連接器印刷板連接器/電腦連接器手機(jī)連接器/端子臺(tái)/接線座其他連接器折疊電位器用于分壓的可變電阻器。在裸露的電阻體上,緊壓著一至兩個(gè)可移金...
云母電容器/鋁電解電容器真空電容器/漆電容器復(fù)合介質(zhì)電容器/玻璃釉電容器有機(jī)薄膜電容器/導(dǎo)電塑料電位器紅外熱敏電阻/氣敏電阻器陶瓷電容器/鉭電容器紙介電容器/電子電位器磁敏電阻電位器/濕敏電阻器光敏電阻電位器/固定電阻器可變電阻器/排電阻器熱敏電阻器/熔斷電阻器其它電阻/電位器折疊連接器連接器,即CONNECTOR。國(guó)內(nèi)亦稱作接插件、插頭和插座。一般是指電連接器。即連接兩個(gè)有源器件的器件,傳輸電流或信號(hào)。端子/線束/卡座IC插座/光纖連接器接線柱/電纜連接器印刷板連接器/電腦連接器手機(jī)連接器/端子臺(tái)/接線座其他連接器折疊電位器用于分壓的可變電阻器。在裸露的電阻體上,緊壓著一至兩個(gè)可移金...
電磁傳感器/敏感元件光電傳感器/光纖傳感器氣體傳感器/濕敏傳感器位移傳感器/視覺、圖像傳感器其他傳感器折疊電感器能產(chǎn)生電感作用的元件統(tǒng)稱為電感原件,常常直接簡(jiǎn)稱為電感。磁珠/電流互感器/電壓互感器電感線圈/固定電感器/可調(diào)電感器線饒電感器/非線饒電感器阻流電感器(阻流圈、扼流圈)其他電感器折疊電聲器件電聲器件(electroacousticdevice):指電和聲相互轉(zhuǎn)換的器件,它是利用電磁感應(yīng)、靜電感應(yīng)或壓電效應(yīng)等來完成電聲轉(zhuǎn)換的,包括揚(yáng)聲器,耳機(jī),傳聲器,唱頭等。揚(yáng)聲器/傳聲器/拾音器送話器/受話器/蜂鳴器(蜂鳴器是一種一體化結(jié)構(gòu)的電子訊響器,采用直流電壓供電。)折疊電聲配件盆架/...
但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后,結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年,具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,結(jié)型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要,電子裝置變的越來越復(fù)雜,這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化...