久久成人国产精品二三区,亚洲综合在线一区,国产成人久久一区二区三区,福利国产在线,福利电影一区,青青在线视频,日本韩国一级

EVG?320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)用途：自動(dòng)單晶片清洗系統(tǒng)，可有效去除顆粒EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動(dòng)處理晶圓和基板。機(jī)械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動(dòng)預(yù)對(duì)準(zhǔn)和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外，配置選項(xiàng)還包括兆頻，刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗。特征多達(dá)四個(gè)清潔站全自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP處理可進(jìn)行雙面清潔的邊緣處理（可選）使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程 EVG鍵合機(jī)通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。圖像傳感器鍵...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售，每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個(gè)平臺(tái)上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實(shí)現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...

EVG?540自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)，適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動(dòng)化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動(dòng)化的單腔室生產(chǎn)鍵合機(jī)，設(shè)計(jì)用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級(jí)封裝，3D互連和MEMS應(yīng)用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機(jī)基于模塊化設(shè)計(jì)，為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機(jī)，蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動(dòng)處理多達(dá)四個(gè)鍵合卡盤符合高安全標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機(jī)器人蕞/高鍵合室2個(gè)EVG560鍵合機(jī)基于相同的鍵合室設(shè)計(jì)，并結(jié)合了EVG手動(dòng)鍵合...

EVG?810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm）真空系統(tǒng)：9x10-2mbar腔室的打開/關(guān)閉：自動(dòng)化腔室的加載/卸載：手動(dòng)（將晶圓/基板放置在加載銷上）可選功能：卡盤適用于不同的晶圓尺寸無金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/Si（熱氧化）TEOS/TEOS（熱氧化）絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge...

EVG?6200鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢？北京EVG850 TB鍵合...

EVG?620BA鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站EVG鍵合機(jī)鍵合卡盤承載來自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊，用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。山東鍵...

完美的多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶，各種訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言） 桌面系統(tǒng)設(shè)計(jì)，占用空間蕞小 支持紅外對(duì)準(zhǔn)過程 EVG?610BA鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：2個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站針對(duì)高級(jí)封裝，MEMS，3D集成等不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)鍵...

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅...

EVGroup開發(fā)了MLE?（無掩模曝光）技術(shù)，通過消除與掩模相關(guān)的困難和成本，滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設(shè)備與快速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案，可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)計(jì)，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應(yīng)性，并具有多級(jí)冗余功能，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求，而且還滿足MEMS，生物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。EVG鍵合機(jī)軟件，支持多語言，集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置，這樣可以簡(jiǎn)化用戶常規(guī)操作。中國(guó)臺(tái)...

臨時(shí)鍵合系統(tǒng)：臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程，這對(duì)于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號(hào)：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng)。EVG鍵合機(jī)的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。山東鍵合機(jī)免稅價(jià)格GEMINI ?...

EVG?620BA鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合機(jī)。熔融鍵合...

Plessey工程副總裁JohnWhiteman解釋說：“GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)非常適合我們的需求。在一個(gè)系統(tǒng)中啟用預(yù)處理，清潔，對(duì)齊（對(duì)準(zhǔn)）和鍵合，這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的有質(zhì)服務(wù)對(duì)于快速有效地使系統(tǒng)聯(lián)機(jī)至關(guān)重要?！盓VG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)PaulLindner表示：“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進(jìn)的GEMINI系統(tǒng)來支持其雄心勃勃的技術(shù)開發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計(jì)劃?！痹摴鏄?biāo)志著Plessey在生產(chǎn)級(jí)設(shè)備投資上的另一個(gè)重要里程碑，該設(shè)備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場(chǎng)。EVG鍵合可選功能：陽極，UV固化，650℃加熱***方授權(quán)經(jīng)...

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)...

EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動(dòng)無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動(dòng)，無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對(duì)卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔，然后將其對(duì)齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù)，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動(dòng)，無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對(duì)準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG?850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對(duì)準(zhǔn)...

EVG鍵合機(jī)加工結(jié)果 除支持晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）還可用于研發(fā)，中試或批量生產(chǎn)。它們通過在高真空，精確控制的準(zhǔn)確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨(dú)特的模塊化鍵合室設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計(jì) 各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對(duì)準(zhǔn)方法可以支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。EVG鍵合機(jī)鍵合卡盤承載來自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊，用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。Smart...

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。imec3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼EricBeyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對(duì)晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EVGroup等行業(yè)合作伙伴的合...

EVG?520IS晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：?jiǎn)吻换螂p腔晶圓鍵合系統(tǒng)，用于小批量生產(chǎn)。EVG520IS單腔單元可半自動(dòng)操作蕞大200mm的晶圓，適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，具有EVGroup專有的對(duì)稱快速加熱和冷卻卡盤設(shè)計(jì)。諸如獨(dú)力的頂側(cè)和底側(cè)加熱器，高壓鍵合能力以及與手動(dòng)系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢(shì)，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻(xiàn)。特征：全自動(dòng)處理，手動(dòng)裝卸，包括外部冷卻站兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器單室或雙室自動(dòng)化系統(tǒng)全自動(dòng)的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動(dòng)集成式冷卻站可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量選項(xiàng)：高真空能力（1E-6毫巴）可編程質(zhì)量流量控制器集成...

半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋钱?dāng)夏流行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能瑾包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。EVG850 LT鍵合機(jī)...

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅...

長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對(duì)MEMS，3D集成或gao級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。 同時(shí)，EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG805鍵合機(jī)聯(lián)系電話EVGrou...

EVG?810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔獨(dú)力單元。處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一基活并結(jié)合在等離子體基活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結(jié)（熔融/分子和中間層粘結(jié)） 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動(dòng)力學(xué) 無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和gao級(jí)基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝外，EVG的EVG500...

臨時(shí)鍵合系統(tǒng)：臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程，這對(duì)于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn)，該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號(hào)：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng)。EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，同時(shí)結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作功能。河北官方授權(quán)經(jīng)...

EVG?301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整...

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅...

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測(cè)試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí)，具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。EVG鍵合機(jī)通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。鍵合機(jī)研發(fā)可以用嗎EVG?...

在鍵合過程中，將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢(shì)被施加，使得負(fù)電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng)，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢谩ж?fù)電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起。EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝，這對(duì)于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。進(jìn)口鍵合機(jī)當(dāng)?shù)貎r(jià)格目前關(guān)于晶片鍵合的研...

EVG?501鍵合機(jī)特征：獨(dú)特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器；靈活的研究設(shè)計(jì)和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級(jí)用于陽極鍵合；開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等；開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG?501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)蕞大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米蕞小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴可選：1E-5mbar除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝外，EVG的E...

EVG?520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)■自動(dòng)晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG?540自動(dòng)鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動(dòng)處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動(dòng)底側(cè)冷卻EVG?560自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)■多達(dá)4個(gè)鍵合室，滿足各種鍵合操作■自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站■遠(yuǎn)程在線診斷■自動(dòng)化機(jī)器人處理系統(tǒng)，用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局，適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG?GEMINI?自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上，同時(shí)利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù)，前/列...

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。imec3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼EricBeyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它?！疤貏e關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對(duì)晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EVGroup等行業(yè)合作伙伴的合...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售，每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個(gè)平臺(tái)上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實(shí)現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...