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光刻機(jī)是一種用于制造微電子器件的重要設(shè)備,其曝光光源是其主要部件之一。目前,光刻機(jī)的曝光光源主要有以下幾種類型:1.汞燈光源:汞燈光源是更早被使用的光刻機(jī)曝光光源之一,其波長范圍為365nm至436nm,適用于制造較大尺寸的微電子器件。2.氙燈光源:氙燈光源的...
磁控濺射沉積是一種常用的薄膜制備技術(shù),其制備的薄膜具有優(yōu)良的結(jié)構(gòu)、成分和性能。首先,磁控濺射沉積的薄膜結(jié)構(gòu)致密,具有高度的均勻性和致密性,能夠有效地提高薄膜的機(jī)械強(qiáng)度和耐腐蝕性。其次,磁控濺射沉積的薄膜成分可控,可以通過調(diào)節(jié)濺射源的材料和工藝參數(shù)來控制薄膜的成...
光刻技術(shù)是一種將光線投射到光刻膠層上,通過光刻膠的化學(xué)反應(yīng)和物理變化來制造微細(xì)結(jié)構(gòu)的技術(shù)。其原理是利用光線的干涉和衍射效應(yīng),將光線通過掩模(即光刻版)投射到光刻膠層上,使光刻膠層中的化學(xué)物質(zhì)發(fā)生變化,形成所需的微細(xì)結(jié)構(gòu)。在光刻過程中,首先將光刻膠涂覆在硅片表面...
磁控濺射的沉積速率可以通過控制濺射功率、氣壓、沉積時(shí)間和靶材的材料和形狀等因素來實(shí)現(xiàn)。其中,濺射功率是影響沉積速率的更主要因素之一。濺射功率越大,濺射出的粒子速度越快,沉積速率也就越快。氣壓也是影響沉積速率的重要因素之一。氣壓越高,氣體分子與濺射出的粒子碰撞的...
磁控濺射是一種常用的薄膜制備技術(shù),可以制備出高質(zhì)量、均勻的薄膜。在磁控濺射制備薄膜時(shí),可以通過控制濺射源的成分、濺射氣體的種類和流量、沉積基底的溫度等多種因素來控制薄膜的成分。首先,濺射源的成分是制備薄膜的關(guān)鍵因素之一。通過選擇不同的濺射源,可以制備出不同成分...
磁控濺射是一種常用的薄膜制備技術(shù),其設(shè)備維護(hù)對于保證設(shè)備正常運(yùn)行和薄膜質(zhì)量具有重要意義。以下是磁控濺射設(shè)備維護(hù)的注意事項(xiàng):1.定期清潔設(shè)備:磁控濺射設(shè)備內(nèi)部會產(chǎn)生大量的氣體和粉塵,這些物質(zhì)會附著在設(shè)備的各個部位,影響設(shè)備的正常運(yùn)行。因此,需要定期清潔設(shè)備,特別...
磁控濺射是一種常用的薄膜制備技術(shù),其薄膜厚度的控制是非常重要的。薄膜厚度的控制可以通過以下幾種方式實(shí)現(xiàn):1.控制濺射時(shí)間:濺射時(shí)間是影響薄膜厚度的主要因素之一。通過控制濺射時(shí)間可以實(shí)現(xiàn)薄膜厚度的精確控制。2.控制濺射功率:濺射功率也是影響薄膜厚度的重要因素之一...
磁控濺射過程中薄膜灰黑或暗黑的問題可能是由于以下原因?qū)е碌模?.濺射靶材質(zhì)量不好或表面存在污染物,導(dǎo)致濺射出的薄膜顏色不均勻。解決方法是更換高質(zhì)量的靶材或清洗靶材表面。2.濺射過程中氣氛不穩(wěn)定,如氣壓、氣體流量等參數(shù)不正確,導(dǎo)致薄膜顏色不均勻。解決方法是調(diào)整氣...
獲得或保持率先競爭對手的優(yōu)勢將維持強(qiáng)勁的經(jīng)濟(jì)、提供動力以滿足社會需求,而微納制造技術(shù)能力正在成為其中的關(guān)鍵使能因素。微納制造技術(shù)可以幫助企業(yè)、產(chǎn)業(yè)形成競爭優(yōu)勢。得益于私營部門和公共部門之間的合作,它們的快速發(fā)展提升了許多不同應(yīng)用領(lǐng)域的歐洲公司的市場份額,促進(jìn)了...
磁控濺射是一種常見的薄膜制備技術(shù),它利用高能離子轟擊靶材表面,使其原子或分子從靶材表面脫離并沉積在基板上形成薄膜。在磁控濺射過程中,靶材表面被加熱并釋放出原子或分子,這些原子或分子被加速并聚焦在基板上,形成薄膜。磁控濺射技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是可以制備高質(zhì)量、均勻、致密的...
在磁控濺射過程中,氣體流量對沉積的薄膜有著重要的影響。氣體流量的大小直接影響著沉積薄膜的質(zhì)量和性能。當(dāng)氣體流量過大時(shí),會導(dǎo)致沉積薄膜的厚度增加,但同時(shí)也會使得薄膜的結(jié)構(gòu)變得松散,表面粗糙度增加,甚至?xí)霈F(xiàn)氣孔和裂紋等缺陷,從而影響薄膜的光學(xué)、電學(xué)和機(jī)械性能。相...
真空鍍膜的物理過程:PVD(物理的氣相沉積技術(shù))的基本原理可分為三個工藝步驟:(1)金屬顆粒的氣化:即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源(2)鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞,產(chǎn)生多種反應(yīng)。(3)鍍料粒子在基片表面...
磁控濺射是一種常用的薄膜制備技術(shù),其制備的薄膜具有優(yōu)異的性能。與其他鍍膜技術(shù)相比,磁控濺射具有以下優(yōu)點(diǎn):1.薄膜質(zhì)量高:磁控濺射制備的薄膜具有高純度、致密度高、結(jié)晶度好等優(yōu)點(diǎn),因此具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和光學(xué)性能。2.薄膜厚度均勻:磁控濺射技術(shù)可以制備均勻的薄膜...
磁控濺射的沉積速率可以通過控制濺射功率、氣壓、沉積時(shí)間和靶材的材料和形狀等因素來實(shí)現(xiàn)。其中,濺射功率是影響沉積速率的更主要因素之一。濺射功率越大,濺射出的粒子速度越快,沉積速率也就越快。氣壓也是影響沉積速率的重要因素之一。氣壓越高,氣體分子與濺射出的粒子碰撞的...
真空鍍膜:PVD技術(shù)工藝步驟:清洗工件:接通直流電源,氬氣進(jìn)行輝光放電為氬離子,氬離子轟擊工件表面,工件表層粒子和臟物被轟濺拋出;鍍料的氣化:即通入交流電后,使鍍料蒸發(fā)氣化。鍍料離子的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞以及高壓電場后,高速沖向工件;鍍料...
無論是大批量還是小規(guī)模生產(chǎn)定制產(chǎn)品,都需要開發(fā)新一代的模塊化、知識密集的、可升級的和可快速配置的生產(chǎn)系統(tǒng)。而這將用到那些新近涌現(xiàn)出來的微納技術(shù)研究成果以及新的工業(yè)生產(chǎn)理論體系。給出了微納制造系統(tǒng)與平臺的發(fā)展前景。未來幾年微納制造系統(tǒng)和平臺的發(fā)展前景包括以下幾種...
在過去的幾年中,全球各地的研究機(jī)構(gòu)和一些大學(xué)已開始集中研究微觀和納米尺度現(xiàn)象、器件和系統(tǒng)。雖然這一領(lǐng)域的研究產(chǎn)生了微納制造方面的先進(jìn)知識,但比較顯然,這些知識的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用將是增強(qiáng)這些技術(shù)未來增長的關(guān)鍵。雖然在這些領(lǐng)域的大規(guī)模生產(chǎn)方面已經(jīng)取得了進(jìn)步,但微納制造技術(shù)...
真空鍍膜:等離子體鍍膜:每個弧斑存在極短時(shí)間,爆發(fā)性地蒸發(fā)離化陰極改正點(diǎn)處的鍍料,蒸發(fā)離化后的金屬離子,在陰極表面也會產(chǎn)生新的弧斑,許多弧斑不斷產(chǎn)生和消失,所以又稱多弧蒸發(fā)。較早設(shè)計(jì)的等離子體加速器型多弧蒸發(fā)離化源,是在陰極背后配置磁場,使蒸發(fā)后的離子獲得霍爾...
磁控濺射制備薄膜的硬度可以通過以下幾種方式進(jìn)行控制:1.濺射材料的選擇:不同的材料具有不同的硬度,因此選擇硬度適合的材料可以控制薄膜的硬度。2.濺射參數(shù)的調(diào)節(jié):濺射參數(shù)包括濺射功率、氣壓、濺射時(shí)間等,這些參數(shù)的調(diào)節(jié)可以影響薄膜的成分、結(jié)構(gòu)和性質(zhì),從而控制薄膜的...
微納加工是一種利用微納技術(shù)對材料進(jìn)行加工和制造的方法,其發(fā)展趨勢主要包括以下幾個方面:自動化生產(chǎn):微納加工技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)自動化的生產(chǎn),例如利用機(jī)器人和自動化設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)微納器件的自動化加工和制造。未來的發(fā)展趨勢是進(jìn)一步提高微納加工技術(shù)的自動化水平,以提高生產(chǎn)的效...
21世紀(jì),人們?nèi)詴粩嘧非髼l件更好且可負(fù)擔(dān)的醫(yī)療保健服務(wù)、更高的生活品質(zhì)和質(zhì)量更好的日用消費(fèi)品,并盡力應(yīng)對由能源成本上漲和資源枯竭所帶來的風(fēng)險(xiǎn)等“巨大挑戰(zhàn)”。它們也是采用創(chuàng)新體系的商品擴(kuò)大市場的推動力。微納制造技術(shù)過去和現(xiàn)在一直都被認(rèn)為在解決上述挑戰(zhàn)方面大有用...
微納加工技術(shù)在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,下面將詳細(xì)介紹微納加工的應(yīng)用領(lǐng)域。生物醫(yī)學(xué):微納加工技術(shù)在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。例如,微納加工可以用于制造微型生物芯片、生物傳感器、生物芯片等。通過微納加工技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)對生物樣品的高通量分析、高靈敏度檢測和高精度控...
在等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝中,由等離子體輔助化學(xué)反應(yīng)過程。在等離子體輔助下,200 到500°C的工藝溫度足以實(shí)現(xiàn)成品膜層的制備,因此該技術(shù)降低了基材的溫度負(fù)荷。等離子可在接近基片的周圍被激發(fā)(近程等離子法)。而對于半導(dǎo)體硅片等敏感型基材,輻射...
利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn):1.均勻性和重復(fù)性好,可大面積成膜,適合批量生長2.可在低溫下成膜,對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生長方法階段 5.應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡單,易于產(chǎn)業(yè)化。評價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量,簡單的方...
原子層沉積(atomiclayer deposition,ALD)技術(shù),亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy,ALE)技術(shù),是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù)。原子層沉積技術(shù)起源于上世紀(jì)六七十年代,由前蘇聯(lián)科學(xué)家Alesko...
利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn):1.均勻性和重復(fù)性好,可大面積成膜,適合批量生長2.可在低溫下成膜,對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生長方法階段 5.應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡單,易于產(chǎn)業(yè)化。評價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量,簡單的方...
熱處理工藝是半導(dǎo)體器件加工中不可或缺的一環(huán),它涉及到對半導(dǎo)體材料進(jìn)行加熱處理,以改變其電學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)。常見的熱處理工藝包括退火、氧化和擴(kuò)散等。退火工藝主要用于消除材料中的應(yīng)力和缺陷,提高材料的穩(wěn)定性和可靠性。氧化工藝則是在材料表面形成一層致密的氧化物薄膜,用于...
真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,它利用某種物理過程,如物質(zhì)...
基片溫度對薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響,基片溫度高,使吸附原子的動能增大,跨越表面勢壘的幾率增多,容易結(jié)晶化,并使薄膜缺陷減少,同時(shí)薄膜內(nèi)應(yīng)力也會減少,基片溫度低,則易形成無定形結(jié)構(gòu)膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大,所以實(shí)驗(yàn)時(shí)必須控制好蒸發(fā)源溫度。蒸發(fā)鍍膜常用...
真空鍍膜:物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子或分子,或部分電離成離子,并通過低壓氣體(或等離子體)過程,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù),物理的氣相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD(物理的氣相沉...