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半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)實際上可以追溯到很久以前。1833年，英國科學(xué)家電子學(xué)之父法拉第先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但法拉第發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導(dǎo)體現(xiàn)象的初次發(fā)現(xiàn)。不久，1839...

半導(dǎo)體分類及性能：非晶態(tài)半導(dǎo)體。它又被叫做無定形半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于半導(dǎo)電性的一類材料。非晶半導(dǎo)體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結(jié)構(gòu)。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長程序。...

材料刻蝕是一種常見的微納加工技術(shù)，可以在材料表面或內(nèi)部形成微小的結(jié)構(gòu)和器件。不同的材料在刻蝕過程中會產(chǎn)生不同的效果，這些效果主要受到材料的物理和化學(xué)性質(zhì)的影響。首先，不同的材料具有不同的硬度和耐蝕性。例如，金屬材料通常比聚合物材料更難刻蝕，因為金屬具有更高的硬...

材料刻蝕是一種重要的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。優(yōu)化材料刻蝕的工藝參數(shù)可以提高加工質(zhì)量和效率，降低成本和能耗。首先，需要選擇合適的刻蝕工藝。不同的材料和加工要求需要不同的刻蝕工藝，如濕法刻蝕、干法刻蝕、等離子體刻蝕等。選擇合適的刻蝕...

材料刻蝕是一種重要的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。在材料刻蝕過程中，影響刻蝕效果的關(guān)鍵參數(shù)主要包括以下幾個方面：1.刻蝕氣體：刻蝕氣體的種類和流量對刻蝕速率和表面質(zhì)量有很大影響。常用的刻蝕氣體有氧氣、氟化氫、氬氣等。2.刻蝕時間：刻蝕...

材料刻蝕是一種通過化學(xué)或物理手段將材料表面的一部分或全部去除的過程。它在微電子制造、光學(xué)器件制造、納米加工等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。其原理主要涉及化學(xué)反應(yīng)、物理過程和表面動力學(xué)等方面?；瘜W(xué)刻蝕是通過化學(xué)反應(yīng)將材料表面的原子或分子去除。例如，酸性溶液可以與金屬表面反應(yīng)...

在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口，與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)（或這兩種反應(yīng)），從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法腐蝕中...

半導(dǎo)體技術(shù)材料問題：而且，材料是組件或 IC 的基礎(chǔ)，一旦改變，所有相關(guān)的設(shè)備與后續(xù)的流程都要跟著改變，真的是牽一發(fā)而動全身，所以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還在堅持，不到后面一刻肯定不去改變它。這也是為什么 CPU 會越來越燙，消耗的電力越來越多的原因。因為CPU 中，晶體管...

半導(dǎo)體器件加工是指將半導(dǎo)體材料加工成具有特定功能的器件的過程。它是半導(dǎo)體工業(yè)中非常重要的一環(huán)，涉及到多個步驟和工藝。下面將詳細介紹半導(dǎo)體器件加工的步驟。蝕刻：蝕刻是將光刻圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上的關(guān)鍵步驟。蝕刻是利用化學(xué)反應(yīng)將不需要的材料從晶圓表面去除的過程。常用的蝕...

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導(dǎo)與所加電場的方向有關(guān)，即它的導(dǎo)電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導(dǎo)通的；如果把電壓極性反過來，它就不導(dǎo)電，這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)，也是半導(dǎo)體所特有的第四種特性。同年，舒斯特又發(fā)現(xiàn)了銅與氧化銅的整流效應(yīng)。半導(dǎo)...

半導(dǎo)體技術(shù)重要性：在龐大的數(shù)據(jù)中搜索所需信息時，其重點在于如何制作索引數(shù)據(jù)。索引數(shù)據(jù)的總量估計會與原始數(shù)據(jù)一樣龐大。而且，索引需要經(jīng)常更新，不適合使用隨機改寫速度較慢的NAND閃存。因此，主要采用的是使用DRAM的內(nèi)存數(shù)據(jù)庫，但DRAM不僅容量單價高，而且耗電...

21世紀(jì)，人們?nèi)詴粩嘧非髼l件更好且可負擔(dān)的醫(yī)療保健服務(wù)、更高的生活品質(zhì)和質(zhì)量更好的日用消費品，并盡力應(yīng)對由能源成本上漲和資源枯竭所帶來的風(fēng)險等“巨大挑戰(zhàn)”。它們也是采用創(chuàng)新體系的商品擴大市場的推動力。微納制造技術(shù)過去和現(xiàn)在一直都被認為在解決上述挑戰(zhàn)方面大有用...

廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調(diào)控、加工方便等優(yōu)勢，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結(jié)構(gòu)材...

刻蝕在半導(dǎo)體器件加工中的作用主要有以下幾個方面：納米結(jié)構(gòu)制備：刻蝕可以制備納米結(jié)構(gòu)，如納米線、納米孔等。納米結(jié)構(gòu)具有特殊的物理和化學(xué)性質(zhì)，可以應(yīng)用于傳感器、光學(xué)器件、能量存儲等領(lǐng)域。 表面處理：刻蝕可以改變材料表面的性質(zhì)，如增加表面粗糙度、改變表面能等。表面處...

微納加工具有許多優(yōu)勢，以下是其中的一些：制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)：微納加工技術(shù)可以制造出復(fù)雜的微米和納米級結(jié)構(gòu)，如微通道、微閥門、微泵等。這些復(fù)雜結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)更多的功能，如流體控制、生物分析、能量轉(zhuǎn)換等。相比傳統(tǒng)的制造技術(shù)，微納加工可以實現(xiàn)更高的結(jié)構(gòu)復(fù)雜度，從而拓展了器件...

在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導(dǎo)與所加電場的方向有關(guān)，即它的導(dǎo)電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導(dǎo)通的；如果把電壓極性反過來，它就不導(dǎo)電，這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)，也是半導(dǎo)體所特有的第四種特性。同年，舒斯特又發(fā)現(xiàn)了銅與氧化銅的整流效應(yīng)。半導(dǎo)...

微納加工是一種高精度、高效率的制造方法，廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、生物醫(yī)學(xué)、納米材料等領(lǐng)域。微納加工技術(shù)包括以下幾種主要技術(shù)：原子力顯微鏡技術(shù)：原子力顯微鏡技術(shù)是一種利用原子力顯微鏡對材料進行成像和加工的技術(shù)。原子力顯微鏡技術(shù)具有高分辨率、高靈敏度和高精度的特...

在微納加工過程中，有許多因素會影響加工質(zhì)量和精度，包括材料選擇、加工設(shè)備、工藝參數(shù)等。下面將從這些方面詳細介紹如何保證微納加工的質(zhì)量和精度。工藝參數(shù)：工藝參數(shù)是影響微納加工質(zhì)量和精度的重要因素。工藝參數(shù)包括激光功率、曝光時間、刻蝕速率等。這些參數(shù)的選擇需要根據(jù)...

磁控濺射沉積的薄膜具有許多特殊的物理和化學(xué)特性。首先，磁控濺射沉積的薄膜具有高度的致密性和均勻性，這是由于磁控濺射過程中，離子束的高能量和高速度使得薄膜表面的原子和分子能夠緊密地結(jié)合在一起。其次，磁控濺射沉積的薄膜具有高度的化學(xué)純度和均勻性，這是由于磁控濺射過...

磁控濺射技術(shù)是一種常用的薄膜制備技術(shù)，其在電子產(chǎn)品制造中有著廣泛的應(yīng)用。其中，更為特殊的應(yīng)用是在顯示器制造中的應(yīng)用。在顯示器制造中，磁控濺射技術(shù)可以用于制備透明導(dǎo)電膜和色彩濾光膜。透明導(dǎo)電膜是顯示器中的關(guān)鍵部件，它可以使電子信號傳輸?shù)斤@示器的各個部位，從而實現(xiàn)...

磁控濺射是一種常用的薄膜制備技術(shù)，其工藝參數(shù)對薄膜性能有著重要的影響。首先，濺射功率和氣壓會影響薄膜的厚度和成分，較高的濺射功率和氣壓會導(dǎo)致薄膜厚度增加，成分變化，而較低的濺射功率和氣壓則會導(dǎo)致薄膜厚度減小，成分變化較小。其次，靶材的材料和形狀也會影響薄膜的性...

磁控濺射沉積是一種常用的薄膜制備技術(shù)，其制備的薄膜具有優(yōu)良的結(jié)構(gòu)、成分和性能。首先，磁控濺射沉積的薄膜結(jié)構(gòu)致密，具有高度的均勻性和致密性，能夠有效地提高薄膜的機械強度和耐腐蝕性。其次，磁控濺射沉積的薄膜成分可控，可以通過調(diào)節(jié)濺射源的材料和工藝參數(shù)來控制薄膜的成...

在過去的幾年中，全球各地的研究機構(gòu)和一些大學(xué)已開始集中研究微觀和納米尺度現(xiàn)象、器件和系統(tǒng)。雖然這一領(lǐng)域的研究產(chǎn)生了微納制造方面的先進知識，但比較顯然，這些知識的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用將是增強這些技術(shù)未來增長的關(guān)鍵。雖然在這些領(lǐng)域的大規(guī)模生產(chǎn)方面已經(jīng)取得了進步，但微納制造技術(shù)...

磁控濺射設(shè)備是一種常用的薄膜制備設(shè)備，主要由以下幾個組成部分構(gòu)成：1.真空系統(tǒng)：磁控濺射需要在高真空環(huán)境下進行，因此設(shè)備中必須配備真空系統(tǒng)，包括真空室、泵組、閥門、儀表等。2.靶材：磁控濺射的原理是利用高速電子轟擊靶材表面，使靶材表面原子或分子脫離并沉積在基底...

磁控濺射是一種常用的薄膜制備技術(shù)，但其工藝難點主要包括以下幾個方面：1.濺射材料的選擇：不同的材料對應(yīng)不同的工藝參數(shù)，如氣體種類、氣體壓力、電壓等，需要根據(jù)材料的物理化學(xué)性質(zhì)進行調(diào)整。2.濺射過程中的氣體污染：在濺射過程中，氣體中可能存在雜質(zhì)，會影響薄膜的質(zhì)量...

磁控濺射沉積是一種常用的薄膜制備技術(shù)，其制備的薄膜致密度較高。這是因為在磁控濺射沉積過程中，靶材被高能離子轟擊后，產(chǎn)生的原子和離子在真空環(huán)境中沉積在襯底表面上，形成薄膜。這種沉積方式可以使得薄膜中的原子和離子排列更加緊密，從而提高薄膜的致密度。此外，磁控濺射沉...

磁控濺射是一種常用的薄膜制備技術(shù)，其設(shè)備主要由以下關(guān)鍵組成部分構(gòu)成：1.磁控濺射靶材：磁控濺射靶材是制備薄膜的關(guān)鍵材料，通常由金屬或合金制成。靶材的選擇取決于所需薄膜的化學(xué)成分和物理性質(zhì)。2.磁控濺射靶材支架：磁控濺射靶材支架是將靶材固定在濺射室內(nèi)的關(guān)鍵組成部...

磁控濺射是一種常用的薄膜制備技術(shù)，其靶材種類繁多，常見的材料包括金屬、合金、氧化物、硅、氮化物、碳化物等。以下是常見的幾種靶材材料：1.金屬靶材：如銅、鋁、鈦、鐵、鎳、鉻、鎢等，這些金屬材料具有良好的導(dǎo)電性和熱導(dǎo)性，適用于制備導(dǎo)電性薄膜。2.合金靶材：如銅鋁合...

磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù)，其沉積速率是影響薄膜質(zhì)量和生產(chǎn)效率的重要因素之一。以下是提高磁控濺射沉積速率的幾種方法：1.提高濺射功率：增加濺射功率可以提高濺射粒子的能量和速度，從而增加沉積速率。2.優(yōu)化靶材：選擇高純度、高密度、低氣孔率的靶材，可以提高濺...

磁控濺射是一種常用的表面處理技術(shù)，可以在不同的應(yīng)用領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。以下是幾個主要的應(yīng)用領(lǐng)域：1.電子行業(yè)：磁控濺射可以用于制造半導(dǎo)體器件、顯示器、光電子器件等電子產(chǎn)品。通過控制濺射過程中的氣體種類和壓力，可以制備出具有不同電學(xué)性質(zhì)的薄膜材料，如金屬、氧化物...