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普通的光刻膠在成像過程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻膠圖形的對比度,從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小,入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能,人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂...
PECVD(等離子體增強化學氣相沉積法)工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激發(fā)的狀態(tài)容易發(fā)生反應,以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,可以在器件當中作為鈍化絕緣層,來提高...
真空鍍膜:離子鍍:離子鍍基本原理是在真空條件下,采用某種等離子體電離技術,使鍍料原子部分電離成離子,同時產生許多高能量的中性原子,在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下,離子沉積于基體表面形成薄膜。離子鍍借助于惰性氣體輝光放電,使鍍料(如金屬鈦)氣化蒸...
“刻蝕”指的是用化學和物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料,主要是晶圓制造中不可或缺的關鍵步驟??涛g技術按工藝可以分為濕法刻蝕與干法刻蝕,其中干法刻蝕是目前8英寸、12英寸先進制程中的主要刻蝕手段,干法刻蝕又多以“等離子體刻蝕”為主導。在刻蝕環(huán)節(jié)中,硅電...
相比刻蝕用單晶硅材料,芯片用單晶硅材料是芯片等終端產品的原材料,市場比較廣闊,國產替代的需求也十分旺盛。SEMI的統(tǒng)計顯示,2018年全球半導體制造材料市場規(guī)模為322.38億美元,其中硅材料的市場規(guī)模達到121.24億美元,占比高達37.61%??涛g用單晶硅...
在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝是:干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產生的等離子體,等離子體通過光刻膠中開出的窗口,與硅片發(fā)生物理或化學反應(或這兩種反應),從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法腐蝕...
干刻蝕是一類較新型,但迅速為半導體工業(yè)所采用的技術。其利用電漿(plasma)來進行半導體薄膜材料的刻蝕加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下,才有可能被激發(fā)出來;而干刻蝕采用的氣體,或轟擊質量頗巨,或化學活性極高,均能達成刻蝕的目的。干...
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層(有圖形的光刻膠)來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域,只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形,包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離...
ArF浸沒式兩次曝光技術已被業(yè)界認為是32nm節(jié)點較具競爭力的技術;在更低的22nm節(jié)點甚至16nm節(jié)點技術中,浸沒式光刻技術一般也具有相當大的優(yōu)勢。浸沒式光刻技術所面臨的挑戰(zhàn)主要有:如何解決曝光中產生的氣泡和污染等缺陷的問題;研發(fā)和水具有良好的兼容性且折射率...
刻蝕較簡單較常用分類主要是:干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見,它們的區(qū)別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程,是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。特點是:濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍...
真空鍍膜:眾所周知,在某些材料的表面上,只要鍍上一層薄膜,就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能。20世紀70年代,在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學鍍法。前者是通過通電,使電解液電解,被電解的離子鍍到作為另一個電極的基體表面上,因此這種鍍膜的條件...
當光刻膠曝光后,曝光區(qū)域的光致酸劑(PAG)將會產生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑,將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解?;瘜W放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍,對深紫外光源具有良好的光學敏感性,同時具有高對比度,對高分辨率等優(yōu)點。...
普通的光刻膠在成像過程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻膠圖形的對比度,從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小,入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能,人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂...
光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領域,是典型的技術密集行業(yè)。從事微電子化學品業(yè)務需要具備與電子產業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關鍵生產技術,如混配技術、分離技術、純化技術以及與生產過程相配套的分析檢驗技術、環(huán)境處理與監(jiān)測技術等。同時,下游電子產業(yè)多樣化的...
通常來說,在使用工藝方法一致的情況下,波長越短,加工分辨率越佳。靜態(tài)旋轉法:首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在襯底的中心,然后低速旋轉使得光刻膠鋪開,再以高速旋轉甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉的過程中,光刻膠中的溶劑會揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關鍵,量...
敏感度決定了光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值。抗蝕性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續(xù)刻蝕或離子注入工藝中,不被刻蝕或抗擊離子轟擊,從而保護被覆蓋的襯底。光刻膠依據不同的產品標準進行分類:按照化學反應和顯影的原理,光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻...
常用的光刻膠主要是兩種,正性光刻膠(positive photoresist)被曝光的部分會被顯影劑去除,負性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會被顯影劑去除。正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝,而負膠工藝主要應用于剝離工藝(li...
光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方...
在光刻圖案化工藝中,首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復雜的曝光裝置中,光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學變化,在隨后的化學顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中,會...
在光刻過程中可能會出現光刻膠未涂滿襯底的異常,主要原因可能以下幾個:滴膠量不、膠液偏離襯底中心、滴膠是有氣泡、滴膠是有“倒角”,主要的叫絕方法有:增加滴膠量、調整勻膠機水平位置、調整滴膠位置、在“倒角”處滴膠、消除“倒角”。光刻涂膠四周呈現放射性條紋,主要可能...
光聚合型,可形成正性光刻膠,是通過采用了烯類單體,在光作用下生成自由基從而進一步引發(fā)單體聚合,較后生成聚合物的過程;光分解型光刻膠可以制成正性膠,通過采用含有疊氮醌類化合物的材料在經過光照后,發(fā)生光分解反應的過程。光交聯型,即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料...
光聚合型,可形成正性光刻膠,是通過采用了烯類單體,在光作用下生成自由基從而進一步引發(fā)單體聚合,較后生成聚合物的過程;光分解型光刻膠可以制成正性膠,通過采用含有疊氮醌類化合物的材料在經過光照后,發(fā)生光分解反應的過程。光交聯型,即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料...
PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣,這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣柜中,通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時,反應氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等,因此需要嚴格控制氣體流量,通常采用質量流量計來實現精確控制。P...
利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點:1.均勻性和重復性好,可大面積成膜,適合批量生長2.可在低溫下成膜,對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生長方法階段 5.應用范圍廣,設備簡單,易于產業(yè)化。評價氧化硅薄膜的質量,簡單的方...
電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)的區(qū)別在于:電子束蒸發(fā)是用一束電子轟擊物體,產生高能量進行蒸發(fā), 熱蒸發(fā)通過加熱完成這一過程。與熱蒸發(fā)相比,電子束蒸發(fā)提供了高能量;但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的。在這種情況下,帶有厚度監(jiān)控器的良好熱蒸發(fā)器將更合適。 與熱蒸發(fā)相...
磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射,同時使用多個靶電源和不同靶材,例如TiW合金,通過單獨調整Ti、W的濺射速率,同時開始濺射2種材料,則在襯底上可以形成Ti/W合計,對不同材料的速率進行調節(jié),即能滿足不同組分的要求.磁控濺射由于其內部電場的存在,還可在襯底...
顯影液:正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因為會帶來可動離子污染(MIC,MovableIonContamination),所以在IC制造中一般不用。較普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨(TMAH)(標準當量濃度為0.26,溫度15~...
光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足,重點技術差距在半導體光刻膠領域,有2-3代差距,隨著下游半導體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展,未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。同時,國內光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴...
真空鍍膜的方法:化學氣相沉積:化學氣相沉積是一種化學生長方法,簡稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術。這種方法是把含有構成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質氣體供給基片,利用加熱、等離子體、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面...
真空鍍膜的方法很多,計有:真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,抽空后將膜料加熱到高溫,使蒸氣達到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,凝結而成薄膜。陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內,保持壓強約1。33~13。3...