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磁控濺射技術(shù)原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛倫茲力的影響，被束...

磁控濺射鍍膜注意事項：1、輻射：有些鍍膜要用到射頻電源，如功率大，需做好屏蔽處理。另外，歐洲標準在單室鍍膜機門框四周嵌裝金屬線屏蔽輻射；2、金屬污染：鍍膜材料有些對人體有害的，特別要注意真空室清理過程中出現(xiàn)的粉塵污染；3、噪音污染：如特別是一些大的鍍膜設(shè)備，機...

隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn)，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為代標的新一代納米電子學(xué)的發(fā)展.當微納加工技術(shù)應(yīng)用到光電子領(lǐng)域，就形成了新興的納米光電子技術(shù)，主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量...

磁控濺射的濺射技術(shù)：直流磁控濺射技術(shù)：為了解決陰極濺射的缺陷，人們在20世紀70年發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù)，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發(fā)展和普遍應(yīng)用。其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動...

MEMS制造是基于半導(dǎo)體制造技術(shù)上發(fā)展起來的；它融合了擴散、薄膜（PVD/CVD）、光刻、刻蝕（干法刻蝕、濕法腐蝕）等工藝作為前段制程，繼以減薄、切割、封裝與測試為后段，輔以精密的檢測儀器來嚴格把控工藝要求，來實現(xiàn)其設(shè)計要求。MEMS制程各工藝相關(guān)設(shè)備的極限能...

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬、半導(dǎo)體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。真空電鍍工藝中，ABS、PC以及TPU等材質(zhì)的使用較為普遍，但如果在注塑成型的過程中素材表面有脫模劑等油污的話，...

真空鍍膜：離子鍍特點：離子鍍是物理的氣相沉積方法中應(yīng)用較普遍的一種鍍膜工藝。離子鍍的基本特點是采用某種方法（如電子束蒸發(fā)磁控濺射，或多弧蒸發(fā)離化等）使中性粒子電離成離子和電子，在基體上必須施加負偏壓，從而使離子對基體產(chǎn)生轟擊，適當降低負偏壓后使離子進而沉積于基...

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很...

微納加工技術(shù)是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高質(zhì)量的制造業(yè)水平的標志之一，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種。很顯...

微納制造的加工材料多種多樣，相對金屬材料與硅和玻璃等無機材料而言，聚合物基材廉價易得且具有更好的生物兼容性、電絕緣隔離性、熱隔離性等性能。近年來，基于聚合物的微加工制造技術(shù)已成為微細加工中的又一研究熱點。大量學(xué)者對基于聚合物的微加工技術(shù)如微注射成型技術(shù)、微鑄造...

半導(dǎo)體電鍍是指在芯片制造過程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連。導(dǎo)體電鍍設(shè)備主要分為前道銅互連電鍍設(shè)備和后道先進封裝電鍍設(shè)備。前道銅互連電鍍設(shè)備針對55nn、40nm、28nm及20－14nm以下技術(shù)節(jié)點的前道銅互連鍍銅技術(shù)UltraECPma...

刻蝕技術(shù)是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。刻蝕技術(shù)不只是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過程大致如下...

磁控濺射設(shè)備原子的能量比蒸發(fā)原子的能量大許多倍;入射離子的能量很低時，濺射原子角散布就不完全符合余弦散布規(guī)律。角散布還與入射離子方向有關(guān)。從單晶靶濺射出來的原子趨向于集中在晶體密度大的方向,因為電子的質(zhì)量很小，所以即便運用具有高能量的電子炮擊靶材也不會發(fā)生濺射...

磁控濺射技術(shù)不只是科學(xué)研究和精密電子制造中常用的薄膜制備工藝技術(shù)，經(jīng)過多年的不斷完善和發(fā)展，該技術(shù)也已經(jīng)成為重要的工業(yè)化大面積真空鍍膜技術(shù)之一，普遍應(yīng)用于玻璃、汽車、醫(yī)療衛(wèi)生、電子工業(yè)等工業(yè)和民生領(lǐng)域。例如，采用磁控濺射工藝生產(chǎn)鍍膜玻璃，其膜層可以由多層金屬或...

真空鍍膜機磁控濺射方式：直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中，其工藝設(shè)備簡單，有較高的濺射速率。中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統(tǒng)中，與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶濺射系統(tǒng)中，中頻交流孿生靶濺射...

磁控濺射設(shè)備在光學(xué)范疇：IF關(guān)閉場非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜（例如抗反射涂層），低輻射率玻璃和通明導(dǎo)電玻璃中。特別地，通明導(dǎo)電玻璃現(xiàn)在普遍地用于平板顯示設(shè)備，太陽能電池，微波和射頻屏蔽設(shè)備和設(shè)備以及傳感器中。在機械加工工業(yè)中，自引入以來，外表功用膜，...

蝕刻是芯片生產(chǎn)過程中重要操作，也是芯片工業(yè)中的重頭技術(shù)。蝕刻技術(shù)把對光的應(yīng)用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光并配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。接下來停止光照并移除遮罩，使用特定的化學(xué)溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕...

MEMS加工技術(shù)：傳統(tǒng)機械加工方法指利用大機器制造小機器,再利用小機器制造微機器?？梢杂糜诩庸ひ恍┰谔厥鈭龊蠎?yīng)用的微機械裝置,例如微型機械手、微型工作臺等。特種微細加工技術(shù)是通過加工能量的直接作用，實現(xiàn)小至逐個分子或原子的切削加工。特種加工是利用電能、熱能、光...

在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子...

刻蝕是半導(dǎo)體制造工藝以及微納制造工藝中的重要步驟?？涛g狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩...

“納米制造”路線圖強調(diào)了未來納米表面制造的發(fā)展。問卷調(diào)查探尋了納米表面制備所面臨的機遇。調(diào)查中提出的問題旨在獲取納米表面特征的相關(guān)信息：這種納米表面結(jié)構(gòu)可以是形貌化、薄膜化的改良表面區(qū)域，也可以是具有相位調(diào)制或一定晶粒尺寸的涂層。這類結(jié)構(gòu)構(gòu)建于眾多固體材料表面...

射頻MEMS技術(shù)傳統(tǒng)上分為固定的和可動的兩類。固定的MEMS器件包括本體微機械加工傳輸線、濾波器和耦合器，可動的MEMS器件包括開關(guān)、調(diào)諧器和可變電容。按技術(shù)層面又分為由微機械開關(guān)、可變電容器和電感諧振器組成的基本器件層面；由移相器、濾波器和VCO等組成的組件...

單晶硅片是單晶硅棒經(jīng)由一系列工藝切割而成的，制備單晶硅的方法有直拉法（CZ法）、區(qū)熔法（FZ法）和外延法，其中直拉法和區(qū)熔法用于制備單晶硅棒材。區(qū)熔硅單晶的較大需求來自于功率半導(dǎo)體器件。直拉法簡稱CZ法。CZ法的特點是在一個直筒型的熱系統(tǒng)匯總，用石墨電阻加熱，...

真空磁控濺射技術(shù)的特點：磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題，成為鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以...

MEMS側(cè)重于超精密機械加工，涉及微電子、材料、力學(xué)、化學(xué)、機械學(xué)諸多學(xué)科領(lǐng)域。它的學(xué)科面涵蓋微尺度下的力、電、光、磁、聲、表面等物理、化學(xué)、機械學(xué)的各分支。常見的產(chǎn)品包括MEMS加速度計、MEMS麥克風、微馬達、微泵、微振子、MEMS光學(xué)傳感器、MEMS壓力...

微納加工中，材料濕法腐蝕是一個常用的工藝方法。材料的濕法化學(xué)刻蝕，包括刻蝕劑到達材料表面和反應(yīng)產(chǎn)物離開表面的傳輸過程，也包括表面本身的反應(yīng)。半導(dǎo)體技術(shù)中的許多刻蝕工藝是在相當緩慢并受速率控制的情況下進行的，這是因為覆蓋在表面上有一污染層。污染層厚度常有幾微米，...

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點：1、沉積速率大。由于采用高速磁控電極，可獲得的離子流很大，有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比，磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用。2、功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V...

微機械是指利用半導(dǎo)體技術(shù)（特別是平板印制術(shù)，蝕刻技術(shù)）設(shè)計和制造微米領(lǐng)域的三維力學(xué)系統(tǒng)，以及微米尺度的力學(xué)元件的技術(shù)。它開辟了制造集成到硅片上的微米傳感器和微米電機的嶄新可能性。微機械加工技術(shù)的迅速發(fā)展導(dǎo)致了微執(zhí)行器的誕生。人們在實踐中認識到，硅材料不只有優(yōu)異...

微納加工當中，GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來做掩膜，但是刻蝕GaN和光刻膠，選擇比接近1:1，如果需要刻蝕深度超過3微米以上就需要采用厚膠來做掩膜。對于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來做刻蝕的掩模，刻蝕GaN的氣體對于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達到8:1。...

射頻MEMS技術(shù)傳統(tǒng)上分為固定的和可動的兩類。固定的MEMS器件包括本體微機械加工傳輸線、濾波器和耦合器，可動的MEMS器件包括開關(guān)、調(diào)諧器和可變電容。按技術(shù)層面又分為由微機械開關(guān)、可變電容器和電感諧振器組成的基本器件層面；由移相器、濾波器和VCO等組成的組件...