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日本能把持光刻膠這么多年背后的深層次邏輯是什么？究其原因，主要是技術(shù)和市場兩大壁壘過高導致的。首先，光刻膠作為半導體產(chǎn)業(yè)的基礎材料，扮演著極其重要的角色，甚至可以和光刻機相媲美，但市場規(guī)模卻很小。2019年的全球光刻膠市場的規(guī)模才90億美元，不及一家大型IC設計企業(yè)的年營收，行業(yè)成長空間有限，自然進入的企業(yè)就少。另一方面，光刻膠又是一個具有極高技術(shù)壁壘的產(chǎn)業(yè)。由于不同的客戶會有不同的應用需求，同一個客戶也有不同的光刻應用需求。導致光刻膠的種類極其繁雜，必須通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化應用需求，這也是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。非接觸式曝光，掩膜板與光刻膠層的略微分開，可以避免與光刻膠直接接觸...

光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴重不足，重點技術(shù)差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距，隨著下游半導體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國產(chǎn)化替代空間巨大。同時，國內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴產(chǎn)的百年機遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務，力爭早日追上國際先進水平，打進國內(nèi)新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。在半導體和面板光刻膠領域，盡管國產(chǎn)光刻膠距離國際先進水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實現(xiàn)了技術(shù)突破。廣東省科學院...

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔，以便進行雜質(zhì)的定域擴散的一種加工技術(shù)。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘，氮氣保護）目的：a、除去表面的污染物（顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子）；b、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉裕鰪姳砻娴酿じ叫裕▽饪棠z或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。光刻其實是由多步工序所組成的。清洗：清洗襯底表面的有機物。旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面...

光刻膠要有極好的穩(wěn)定性和一致性，如果質(zhì)量稍微出點問題，損失將會是巨大的。去年2月，某半導體代工企業(yè)因為光刻膠的原因?qū)е戮A污染，報廢十萬片晶圓，直接導致5.5億美元的賬面損失。除了以上原因外，另一個重要原因是，經(jīng)過幾十年的發(fā)展，光刻膠已經(jīng)是一個相當成熟且固化的產(chǎn)業(yè)。2010年光刻膠的**出現(xiàn)井噴，2013年之后，相關(guān)專利的申請已經(jīng)開始銳減。市場較小，技術(shù)壁壘又高，這意味著對于企業(yè)來說，發(fā)展光刻膠性價比不高，即便研發(fā)成功一款光刻膠，也要面臨較長的認證周期，需要與下游企業(yè)建立合作關(guān)系。目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴重不足，重點技術(shù)差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距。廣東接觸式光刻光刻膠行業(yè)具有極高...

光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是促進了光刻膠的研究開發(fā)和應用。印刷工業(yè)是光刻膠應用的另一重要領域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工業(yè)的，以后才用于電子工業(yè)。光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面，而后**燥成膠膜。光刻膠的技術(shù)復雜，品種較多。根據(jù)其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能...

光刻曝光系統(tǒng)：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時掩模與晶片間相對關(guān)系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高，能滿足高集成度器件和電路生產(chǎn)的要求。但投影曝光設備復雜，技術(shù)難度高，因而不適于低檔產(chǎn)品的生產(chǎn)?，F(xiàn)代應...

敏感度決定了光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值?？刮g性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續(xù)刻蝕或離子注入工藝中，不被刻蝕或抗擊離子轟擊，從而保護被覆蓋的襯底。光刻膠依據(jù)不同的產(chǎn)品標準進行分類：按照化學反應和顯影的原理，光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相反，稱為負性光刻膠；如果顯影時曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相同，稱為正性光刻膠。根據(jù)感光樹脂的化學結(jié)構(gòu)來分類，光刻膠可以分為光聚合型、光分解型和光交聯(lián)型三種類別。負膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預處理、涂膠、軟烘、曝光、后烘、顯影、圖形檢查。中山光刻代工顯影液：正...

光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進步的“燃料”，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導制程的中心工藝，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配。現(xiàn)在，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。廣東省科學院半導體研究所。顯影液：正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。山西半導體光刻光刻層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上...

對于國產(chǎn)光刻膠來說，今年的九月是極為特殊的一個月份。9月23日，發(fā)改委聯(lián)合工信部、科技部、財政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導意見》，《意見》提出，加快新材料產(chǎn)業(yè)強弱項，具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領域?qū)崿F(xiàn)突破。而在《意見》還未發(fā)布之前，部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動了。除了幾家企業(yè)加大投資、研發(fā)國產(chǎn)光刻膠之外，還有兩家企業(yè)通過購買光刻機的方式，開展光刻膠的研發(fā)。光刻膠產(chǎn)業(yè)，尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持，這已不是什么鮮為人知的信息了。廣東省科學院半導體研究所。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產(chǎn)效率高...

光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。從事微電子化學品業(yè)務需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)，如混配技術(shù)、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測技術(shù)等。同時，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場景要求微電子化學品生產(chǎn)企業(yè)有較強的配套能力，以及時研發(fā)和改進產(chǎn)品工藝來滿足客戶的個性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過程是將感光材料、樹脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕1000級的黃光區(qū)潔凈房進行混合，在氮氣氣體保護下充分攪拌，使其充分混合形成均相液體，經(jīng)過多次過濾，并通過中間過程控制和檢驗，使其達到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求，較后做產(chǎn)品檢驗，合格...

光刻曝光系統(tǒng)：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時掩模與晶片間相對關(guān)系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高，能滿足高集成度器件和電路生產(chǎn)的要求。但投影曝光設備復雜，技術(shù)難度高，因而不適于低檔產(chǎn)品的生產(chǎn)?，F(xiàn)代應...

掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm?？梢员苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時引入了衍射效應，降低了分辨率。1970后適用，但是其較大分辨率*為2～4μm。c、投影式曝光（ProjectionPrinting）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。投影式曝光分類：掃描投影曝光（ScanningProjectPrinting）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；步進重復投影曝光（Stepping-repeatingProjectP...

通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越短，加工分辨率越佳。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在襯底的中心，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過程中，光刻膠中的溶劑會揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵，量少了會導致光刻膠不能充分覆蓋硅片，量大了會導致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質(zhì)量。動態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學院半導體研究所。接觸式光刻機的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。佛山激光直寫光刻光刻曝光系統(tǒng)：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時掩模與晶...

每顆芯片誕生之初，都要經(jīng)過光刻機的雕刻，精度要達到頭發(fā)絲的千分之一，如今，全世界能夠生產(chǎn)光刻機的國家只有四個，中國成為了其中的一員，實現(xiàn)了從無到有的突破。光刻機又被稱為：掩模對準曝光機、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩模對準光刻，所以它被稱為掩模對準系統(tǒng)。它指的是通過將硅晶片表面上的膠整平，然后將掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠，將器件或電路結(jié)構(gòu)暫時“復制”到硅晶片上的過程。它不是簡單的激光器，但它的曝光系統(tǒng)基本上使用的是復雜的紫外光源。光刻機是芯片制造的中心設備之一，根據(jù)用途可分為幾類：光刻機生產(chǎn)芯片；有光刻機包裝；還有一款投影光刻機用在LED制造領域。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂...

光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是促進了光刻膠的研究開發(fā)和應用。印刷工業(yè)是光刻膠應用的另一重要領域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工業(yè)的，以后才用于電子工業(yè)。光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面，而后**燥成膠膜。光刻膠的技術(shù)復雜，品種較多。根據(jù)其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能...

光刻膠供應商與客戶粘性大；一般情況下，為了保持光刻膠供應和效果的穩(wěn)定，下游客戶與光刻膠供應商一旦建立供應關(guān)系后，不會輕易更換。通過建立反饋機制，滿足個性化需求，光刻膠供應商與客戶的粘性不斷增加。后來者想要加入到供應商行列，往往需要滿足比現(xiàn)有供應商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對新進入者壁壘較高。通常光刻膠等微電子化學品不僅品質(zhì)要求高，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需。如果沒有規(guī)模效益，供應商就無法承擔滿足***多樣化需求帶來的開銷。因此，品種規(guī)模構(gòu)成了進入該行業(yè)的重要壁壘。對于有掩膜光刻，首先需要設計光刻版，常用的設計軟件有CAD、L-edit等軟件。上海半導體光刻光刻曝光系統(tǒng)：接觸式...

通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高，包括不同批次間的一致性，通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平，因此，光刻膠生產(chǎn)商不僅*要配臵齊全的測試儀器，還需要建立一套嚴格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過嚴格設計的復雜、精密的配方產(chǎn)品，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料，通過不同的排列組合，經(jīng)過復雜、精密的加工工藝而制成。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。對于半導體化學化學試劑的純度，際半導體設備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一標準，接觸式光...

光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進步的“燃料”，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導制程的中心工藝，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?，F(xiàn)在，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻技術(shù)成為一種精密的微細加工技術(shù)。中山微納光刻接觸式光刻曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。接觸式...

光刻膠是光刻工藝中較關(guān)鍵材料，國產(chǎn)替代需求緊迫。光刻工藝是指在光照作用下，借助光刻膠將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)，在半導體制造領域，隨著集成電路線寬縮小、集成度大為提升，光刻工藝技術(shù)難度大幅提升，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一。同時，器件和走線的復雜度和密集度大幅度提升，較好制程關(guān)鍵層次需要兩次甚至多次曝光來實現(xiàn)。其中，光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻膠經(jīng)過幾十年不斷的發(fā)展和進步，應用領域不斷擴大，衍生出非常多的種類。不同用途的光刻膠曝光光源、反應機理、制造工藝、成膜特性、加工圖形線路的精度等性能要求不同，導致對于材料的溶解性、耐蝕刻性、感光性能、耐熱...

光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進步的“燃料”，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導制程的中心工藝，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配。現(xiàn)在，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一。數(shù)字光刻價錢光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物；光分解型...

光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上，通過一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù)、平板印刷技術(shù)的基...

光刻膠供應商與客戶粘性大；一般情況下，為了保持光刻膠供應和效果的穩(wěn)定，下游客戶與光刻膠供應商一旦建立供應關(guān)系后，不會輕易更換。通過建立反饋機制，滿足個性化需求，光刻膠供應商與客戶的粘性不斷增加。后來者想要加入到供應商行列，往往需要滿足比現(xiàn)有供應商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對新進入者壁壘較高。通常光刻膠等微電子化學品不僅品質(zhì)要求高，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需。如果沒有規(guī)模效益，供應商就無法承擔滿足***多樣化需求帶來的開銷。因此，品種規(guī)模構(gòu)成了進入該行業(yè)的重要壁壘。光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一。數(shù)字光刻加工廠商光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。...

日本能把持光刻膠這么多年背后的深層次邏輯是什么？究其原因，主要是技術(shù)和市場兩大壁壘過高導致的。首先，光刻膠作為半導體產(chǎn)業(yè)的基礎材料，扮演著極其重要的角色，甚至可以和光刻機相媲美，但市場規(guī)模卻很小。2019年的全球光刻膠市場的規(guī)模才90億美元，不及一家大型IC設計企業(yè)的年營收，行業(yè)成長空間有限，自然進入的企業(yè)就少。另一方面，光刻膠又是一個具有極高技術(shù)壁壘的產(chǎn)業(yè)。由于不同的客戶會有不同的應用需求，同一個客戶也有不同的光刻應用需求。導致光刻膠的種類極其繁雜，必須通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化應用需求，這也是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。堅膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護下表面的能力。上海曝光光刻...

光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的中心材料。按顯示效果分類；光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致，區(qū)別在于主要原材料不同。按照化學結(jié)構(gòu)分類；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型，光交聯(lián)型和化學放大型。顯影液：正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。MEMS光刻光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。水坑（旋覆...

光刻膠供應商與客戶粘性大；一般情況下，為了保持光刻膠供應和效果的穩(wěn)定，下游客戶與光刻膠供應商一旦建立供應關(guān)系后，不會輕易更換。通過建立反饋機制，滿足個性化需求，光刻膠供應商與客戶的粘性不斷增加。后來者想要加入到供應商行列，往往需要滿足比現(xiàn)有供應商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對新進入者壁壘較高。通常光刻膠等微電子化學品不僅品質(zhì)要求高，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需。如果沒有規(guī)模效益，供應商就無法承擔滿足***多樣化需求帶來的開銷。因此，品種規(guī)模構(gòu)成了進入該行業(yè)的重要壁壘。廣東省科學院半導體研究所。光刻版材質(zhì)主要是兩種，一個是石英材質(zhì)一個是蘇打材質(zhì)，石英材料的透光率會比蘇打的透光率要高...

在光刻圖案化工藝中，首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復雜的曝光裝置中，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學變化，在隨后的化學顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，較后洗去剩余光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉(zhuǎn)移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經(jīng)過多次迭代，聯(lián)同其他多個物理過程，便產(chǎn)生集成電路。光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋，主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈。安徽微納光刻光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當中不可或缺的...

在光刻過程中可能會出現(xiàn)光刻膠未涂滿襯底的異常，主要原因可能以下幾個：滴膠量不、膠液偏離襯底中心、滴膠是有氣泡、滴膠是有“倒角”，主要的叫絕方法有：增加滴膠量、調(diào)整勻膠機水平位置、調(diào)整滴膠位置、在“倒角”處滴膠、消除“倒角”。光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋，主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈，表面有顆粒、滴膠后精致時間過長，部分光刻膠固話，解決的方法主要有更換光刻膠，使用新的光刻膠涂膠來測試一下、將襯底再清洗一次再涂膠、滴膠后馬上旋涂，以免光刻膠有所固化。光刻版材質(zhì)主要是兩種，一個是石英材質(zhì)一個是蘇打材質(zhì)，石英材料的透光率會比蘇打的透光率要高。光刻版就是在蘇打材料通過光刻、刻蝕等工藝在表面...

一般微電子化學品具有一定的腐蝕性，對生產(chǎn)設備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進行無塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程，以避免污染，提高質(zhì)量。因此，光刻膠等微電子化學品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒有強大的資金實力，企業(yè)就難以在設備、研發(fā)和技術(shù)服務上取得競爭優(yōu)勢，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學品行業(yè)具備較高的資金壁壘。廣東省科學院半導體研究所。光刻膠是一種有機化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會發(fā)生變化。浙江激光直寫光刻光刻膠按應用領域分類，可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體...

光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。水坑（旋覆浸沒）式顯影（PuddleDevelopment）。噴覆足夠（不能太多，較小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn)。一般采用多次旋覆顯影液：首先次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學品）并旋轉(zhuǎn)甩干。優(yōu)點：顯影液用量少；硅片顯影均勻；較小化了溫度梯度。接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時掩模與晶片間相對關(guān)系是貼緊還是分開。貴州紫外光刻對于國產(chǎn)光刻膠來說，今年的九月...

光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴重不足，重點技術(shù)差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距，隨著下游半導體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國產(chǎn)化替代空間巨大。同時，國內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴產(chǎn)的百年機遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務，力爭早日追上國際先進水平，打進國內(nèi)新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。在半導體和面板光刻膠領域，盡管國產(chǎn)光刻膠距離國際先進水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實現(xiàn)了技術(shù)突破。廣東省科學院...