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【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之單片膜色不均勻】： 原因：主要是由于基片凹凸嚴(yán)重，與傘片曲率差異較大，基片上部、或下部法線與蒸發(fā)源構(gòu)成的蒸發(fā)角差異較大。造成一片鏡片上各部位接受膜料的條件差異大，形成的膜厚差異大。另外鏡片被鏡圈（碟片）邊緣部遮擋、鏡圈（碟片）臟在蒸鍍時(shí)污染鏡片等也會造成膜色差異問題。 改善對策：改善鏡片邊緣的蒸發(fā)角 1. 條件許可，用行星夾具 2. 選用傘片平坦（R大）的機(jī)臺 3. 根據(jù)傘片孔位分布，基片形狀，制作專門的鋸齒形修正板。 4. 如果有可能，把蒸發(fā)源往真空室中間移動(dòng)，也可改善單片的膜色均勻性。 5. 改善鏡圈（碟片），防止遮擋。 6. 注意旋轉(zhuǎn)傘架的相應(yīng)部位對...

【真空鍍膜真空濺射法】： 真空濺射法是物理qi相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術(shù)的發(fā)展，濺射鍍膜技術(shù)飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨(dú)到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進(jìn)行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動(dòng)能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點(diǎn)為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)；鍍膜層致密、均勻；設(shè)備簡單，操作方便，容易控制。 主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應(yīng)用較多的是磁控濺射法。 真空鍍膜設(shè)備操作視頻。遼寧派瑞林真空鍍膜設(shè)備【真空鍍膜...

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之單片膜色不均勻】： 原因：主要是由于基片凹凸嚴(yán)重，與傘片曲率差異較大，基片上部、或下部法線與蒸發(fā)源構(gòu)成的蒸發(fā)角差異較大。造成一片鏡片上各部位接受膜料的條件差異大，形成的膜厚差異大。另外鏡片被鏡圈（碟片）邊緣部遮擋、鏡圈（碟片）臟在蒸鍍時(shí)污染鏡片等也會造成膜色差異問題。 改善對策：改善鏡片邊緣的蒸發(fā)角 1. 條件許可，用行星夾具 2. 選用傘片平坦（R大）的機(jī)臺 3. 根據(jù)傘片孔位分布，基片形狀，制作專門的鋸齒形修正板。 4. 如果有可能，把蒸發(fā)源往真空室中間移動(dòng)，也可改善單片的膜色均勻性。 5. 改善鏡圈（碟片），防止遮擋。 6. 注意旋轉(zhuǎn)傘架的相應(yīng)部位對...

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜強(qiáng)度】： 膜強(qiáng)度時(shí)鏡片鍍膜的一項(xiàng)重要指標(biāo)，也是鍍膜工序Zui常見的不良項(xiàng)。 膜強(qiáng)度的不良（膜弱）主要表現(xiàn)為： 1. 擦拭專yong膠帶拉撕，產(chǎn)生成片脫落 2. 擦拭專yong膠帶拉撕，產(chǎn)生點(diǎn)狀脫落 3. 水煮15分鐘后用專yong膠帶拉撕產(chǎn)生點(diǎn)狀或片狀脫落 4. 用專yong橡皮頭、1Kg力摩擦40次，有道子產(chǎn)生 5. 膜層擦拭或未擦拭出現(xiàn)龜裂紋、網(wǎng)狀細(xì)道子 改善思路：基片與膜層的結(jié)合是首要考慮的，其次是膜表面硬度光滑度以及膜應(yīng)力。 電子束蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備是什么？北京真空鍍膜設(shè)備維護(hù)【真空鍍膜真空的基本概念】： 真空的劃分： 粗真空 760Torr~1...

【真空鍍膜電阻加熱蒸發(fā)法】： 電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓電流通過，對蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡單、造價(jià)便宜、使用可靠，可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，尤其適用于對膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是：加熱所能達(dá)到的Zui高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，國內(nèi)外已采用壽命較長的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。 真空鍍膜設(shè)備哪個(gè)牌子的好？重慶真空鍍膜...

【光學(xué)鍍膜的目的】： &反射率的提高或透射率的降低 &反射率的降低或透射率的提高 &分光作用：中性分光、變色分光、偏極光分光 &光譜帶通、帶止及長波通或短波通之濾光作用 &相位改變 &液晶顯示功能之影顯 &色光顯示、色光反射、偽chao及有價(jià)證券之防止 &光波的引導(dǎo)、光開關(guān)及集體光路 a. 在膜層中，波的干涉結(jié)果，如R%, T%都是與膜質(zhì)本身和兩邊界邊的折射率率有關(guān)系，相位變化也是如此。 b. 由于干涉作用造成的反射率有時(shí)升高，有時(shí)反而降低，都要視磨蹭的折射率高于或低于基板折射率而定。若Nf>Ns,則反射率會提高（Ns為基底），若Nf

【濺射鍍膜定義】： 定義：所謂濺射，就是這充滿腔室的工藝氣體在高電壓的作用下，形成氣體等離子體（輝光放電），其中的陽離子在電場力作用下高速向靶材沖擊，陽離子和靶材進(jìn)行能量交換，使靶材原子獲得足夠的能量從靶材表面逸出（其中逸出的還可能包含靶材離子）。這一整個(gè)的動(dòng)力學(xué)過程，就叫做濺射。入射離子轟擊靶面時(shí)，將其部分能量傳輸給表層晶格原子，引起靶材中原子的運(yùn)動(dòng)。有的原子獲得能量后從晶格處移位，并克服了表面勢壘直接發(fā)生濺射；有的不能脫離晶格的束縛，只能在原位做振動(dòng)并波及周圍原子，結(jié)果使靶的溫度升高；而有的原子獲得足夠大的能量后產(chǎn)生一次反沖，將其臨近的原子碰撞移位，反沖繼續(xù)下去產(chǎn)生高次反沖，這一過程稱為級...

【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術(shù)作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應(yīng)用于許多方面，特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理等領(lǐng)域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀(jì)40年代濺射技術(shù)作為一種沉積鍍膜方法開始得到應(yīng)用和發(fā)展。60年代后隨著半導(dǎo)體工業(yè)的迅速崛起,這種技術(shù)在集成電路生產(chǎn)工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應(yīng)用。磁控濺射技術(shù)出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域得到極大地?cái)U(kuò)展,逐步成為制造許多產(chǎn)品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生...

【真空鍍膜二極濺射與磁控濺射對比】： 靶材利用率（TU）：是指發(fā)生濺射的靶材質(zhì)量占原靶材質(zhì)量的比率。 公式表示：靶材利用率={原靶材質(zhì)量（Kg）—濺射后靶材質(zhì)量}/原靶材質(zhì)量 注：①：磁控濺射靶材利用率稍低，電壓要求低，電流會高，濺射率提高，增加生產(chǎn)效率，降低成本。 ②：靶材使用壽命結(jié)素之前必須及時(shí)更換新靶材，防止靶材周圍物質(zhì)發(fā)生濺射（金屬箔片、連接片、陰極） 兩種濺射技術(shù)的區(qū)別： ①：靶材利用率不同 ②：濺射腔室和陰極設(shè)計(jì)要求不同 ③：放電電流和放電電壓不同 ④：濺射率不同：磁控濺射有更短的沉積時(shí)間，更高的沉積量和更短沉積周期。真空鍍膜設(shè)備為什么會越來越慢？安徽真空鍍膜設(shè)備廠【真空鍍膜產(chǎn)品常...

【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之機(jī)器故障和人為中斷】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之機(jī)器故障和人為中斷： 模擬：根據(jù)已經(jīng)實(shí)鍍的鏡片（測試比較片）實(shí)測分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值，再根據(jù)已經(jīng)掌握的膜系信息輸入，采用倒推法逐層優(yōu)化，模擬出實(shí)際鍍制的膜系數(shù)據(jù)。 *測試比較片是指隨鏡片一起鍍制（在傘片上、與鏡片同折射率），用于測...

【近些年來出現(xiàn)的新的鍍膜方法】： 除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，取長補(bǔ)短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點(diǎn)，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優(yōu)點(diǎn)。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實(shí)際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個(gè)濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實(shí)際的鍍膜機(jī)照片。該等離子體束在電磁場的作用下被引導(dǎo)到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時(shí)靶...

【離子鍍膜法之射頻離子鍍】： 射頻離子鍍(RFIP):利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體、反應(yīng)氣體氧氣、氮?dú)狻⒁胰驳入x化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，不純氣體少，成膜好，適合鍍化合物膜，但匹配較困難。可應(yīng)用于鍍光學(xué)器件、半導(dǎo)體器件、裝飾品、汽車零件等。射頻離子鍍膜設(shè)備對周遭環(huán)境沒有不利影響，符合現(xiàn)代綠色制造的工業(yè)發(fā)展方向。目前，該類型設(shè)備已經(jīng)guang泛用在硬質(zhì)合金立銑刀、可轉(zhuǎn)位銑刀、焊接工具、階梯鉆、鉆頭、鉸刀、油孔鉆、車刀、異型刀具、絲錐等工具的鍍膜處理上。 此外，離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍，感應(yīng)離子加熱鍍，集團(tuán)離子束鍍和多弧離子鍍...

【真空鍍膜簡介】： 真空（vacuum）是一種沒有任何物質(zhì)的空間狀態(tài)，因?yàn)檎婵罩袥]有介質(zhì)，所以像聲音這種需要介質(zhì)傳遞的能量在真空中是無法傳播的。1654年當(dāng)時(shí)的馬德堡市zhang奧&托&格里克在今tian德國雷根斯堡進(jìn)行了一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)，從而證明了真空是存在的?，F(xiàn)在我們所說的真空并不是指空間內(nèi)沒有任何物質(zhì)，而是指在一個(gè)既定的空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)，我們把這種稀薄的狀態(tài)稱為真空。現(xiàn)在的真空鍍膜技術(shù)是在真空中把金屬、合金進(jìn)行蒸發(fā)、濺射使其沉積在目標(biāo)物體上。 在當(dāng)今電子行業(yè)，很多的電子元器件都要使用真空鍍膜工藝，雖然我國的真空鍍膜技術(shù)起步較晚，但發(fā)展的十分迅速。真空鍍膜已經(jīng)成為電子元器件...

【離子鍍膜法介紹】： 離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍在基片上。根據(jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有：輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型，以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE...

【離子鍍膜法介紹】： 離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍在基片上。根據(jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有：輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型，以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE...

【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之其他情況】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之其他情況： 對于用錯(cuò)程序，錯(cuò)誤操作（預(yù)熔未關(guān)閉擋板等）人為中斷需要補(bǔ)救的；以及反光膜、濾光膜鍍后需要補(bǔ)救的情況處理方案： 模擬：將實(shí)測分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值。通過計(jì)算機(jī)模擬（一般是Zui后一層的膜厚確認(rèn)），找到與實(shí)現(xiàn)測試值結(jié)果相應(yīng)的膜系數(shù)據(jù)。...

【濺射的四要素】：①靶材物質(zhì)，②電磁場，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備 【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時(shí)，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素： ①等離子體中離子動(dòng)能, ②入射離子的入射角度; 3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì); 4)入射角度的影響因素 ①由電場決定,②靶材表面于入射源的相對角度。 【濺射率】： 定義：每單位時(shí)間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個(gè)數(shù)。 濺射率的影響因素：①離子動(dòng)能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統(tǒng)計(jì)學(xué)公式：Rs(統(tǒng)計(jì)學(xué))=d/t。 注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度...

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜內(nèi)色斑】： 色斑（也稱膜色亞克、燒蝕）是指鏡片上的膜色局部變異。有膜內(nèi)色斑和膜外色斑二種。 膜內(nèi)色斑改善對策： 1. 加快研磨（拋光）到鍍膜的周期，減少鏡片被污染服飾的幾率，注意：是鏡片的全部拋光面。 2. 拋光加工中，注意對另一已拋好光的面保護(hù) 3. 注意拋光加工中的工裝、夾具、加工方法，以免造成對鏡片表面局部腐蝕傷害 4. 拋光加工完成的光面，必須立即清潔干凈，不能有拋光粉或其他雜志附著干結(jié)。 5. 控制研磨拋光液的PH值 6. 鍍膜前，用拋光粉或碳酸鈣粉對鏡片拋光面復(fù)新。 7. 加強(qiáng)鍍前的離子轟擊 8. 對于可見光區(qū)減反膜，在滿足技術(shù)要求的前提下設(shè)...

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之破邊、炸裂】： 一般的鍍膜會對基片加熱，由于基片是裝架在金屬圈、碟內(nèi)，由于鏡圈或碟片與鏡片（基片）的熱膨脹系數(shù)不一致，冷卻過程中會造成鏡片的破便或炸裂。 有些大鏡片，由于出罩時(shí)的溫度較高，與室溫的溫差較大，鏡片的熱應(yīng)力作用造成鏡片炸裂或破邊。有些零件邊緣倒邊的形狀容易造成卡圈而破邊。 改善對策： 1. 夾具（鏡圈、碟片）的設(shè)計(jì)，在尺寸配合上要合理，充分考慮制造誤差帶來的影響。 2. 注意鏡圈、碟片的變形，已經(jīng)變形的夾具不能使用。 3. 選用合適的夾具才來哦（非導(dǎo)磁材料、不生銹、耐高溫不變性），不銹鋼較為理想（熱變形系數(shù)?。褪羌庸るy度大，價(jià)格貴。 4. ...

【真空鍍膜濺射種類】： 1、反應(yīng)濺射：氧化物，氮化物作為沉積物質(zhì) 現(xiàn)象：①：靶材分子分裂，其于工藝氣體離子發(fā)生反應(yīng)，形成化合物 ②：膜層性能改變 ③：靶材有可能中毒 2、二極濺射：二極濺射是一種經(jīng)典的標(biāo)準(zhǔn)濺射技術(shù)，其中等離子體和電子均只沿著電場方向運(yùn)動(dòng)。 特征：①：無磁場 ②：濺射率低 ③：放電電壓高（＞500V） ④：鍍膜底物受熱溫度極易升高（＞500°C） 用途：主要用于金屬靶材、絕緣靶材、磁性靶材等的濺射鍍。 3、磁控濺射：暗區(qū)無等離子體產(chǎn)生，在磁控濺射下，電子呈螺旋形運(yùn)動(dòng)，不會直接沖向陽極。而是在電場力和磁場力的綜合作用在腔室內(nèi)做螺旋運(yùn)動(dòng)。同時(shí)獲的能量而和工藝氣體以及濺射出的靶材原子進(jìn)...

【真空鍍膜設(shè)備撿漏方法】: 檢漏方法很多，根據(jù)被檢件所處的狀態(tài)可分為充壓檢漏法、真空檢漏法及其它檢漏法。 充壓檢漏法：在被檢件內(nèi)部充入一定壓力的示漏物質(zhì)，如果被檢件上有漏孔，示漏物質(zhì)便從漏孔漏出，用一定的方法或儀器在被檢件外部檢測出從漏孔漏出的示漏物質(zhì)，從而判定漏孔的存在、位置及漏率的大小，此即充壓檢漏法。 真空檢漏法：被檢件和檢漏器的敏感元件處于真空狀態(tài)，在被檢件的外部施加示漏物質(zhì)，如果有漏孔，示漏物質(zhì)就會通過漏孔進(jìn)入被檢件和敏感元件的空間，由敏感元件檢測出示漏物質(zhì)，從而可以判定漏孔的存在、位置利漏率的大小，這就是真空檢漏法。 其它檢漏法：被檢件既不充壓也不抽真空，或其外部受壓等方法歸入其它...

【真空鍍膜設(shè)備撿漏方法】: 檢漏方法很多，根據(jù)被檢件所處的狀態(tài)可分為充壓檢漏法、真空檢漏法及其它檢漏法。 充壓檢漏法：在被檢件內(nèi)部充入一定壓力的示漏物質(zhì)，如果被檢件上有漏孔，示漏物質(zhì)便從漏孔漏出，用一定的方法或儀器在被檢件外部檢測出從漏孔漏出的示漏物質(zhì)，從而判定漏孔的存在、位置及漏率的大小，此即充壓檢漏法。 真空檢漏法：被檢件和檢漏器的敏感元件處于真空狀態(tài)，在被檢件的外部施加示漏物質(zhì)，如果有漏孔，示漏物質(zhì)就會通過漏孔進(jìn)入被檢件和敏感元件的空間，由敏感元件檢測出示漏物質(zhì)，從而可以判定漏孔的存在、位置利漏率的大小，這就是真空檢漏法。 其它檢漏法：被檢件既不充壓也不抽真空，或其外部受壓等方法歸入其它...

【離子鍍的歷史】： 真空離子鍍膜技術(shù)是近幾十年才發(fā)展起來的一種新的鍍膜技術(shù)。在離子鍍技術(shù)興起的40多年來取得了巨大的進(jìn)步，我國也有將近30多年的離子鍍研究進(jìn)程。 【離子鍍的原理】： 蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽極，工件接陰極，當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于 真空罩內(nèi)充有惰性氬氣，在放電電場作用下部分氬氣被電離，從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負(fù)高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表 面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發(fā)源交流電源，蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā)...

【真空鍍膜機(jī)概述】： 真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空電阻加熱蒸發(fā)，電子搶加熱蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積，離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。 真空鍍膜機(jī)構(gòu)造的五大系統(tǒng)：排氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、蒸鍍系統(tǒng)、監(jiān)控系統(tǒng)、輔助系統(tǒng)。 真空鍍膜三要素：真空度、抽氣時(shí)間、溫度；任何鍍膜工藝都需要為這三個(gè)要素設(shè)定目標(biāo)值；因此，只有當(dāng)三個(gè)條件同時(shí)滿足時(shí)，自動(dòng)化程序才會自動(dòng)運(yùn)行。 真空鍍膜機(jī)需要做定期定期保養(yǎng)，目的在于：讓鍍膜機(jī)能長時(shí)間地正常運(yùn)轉(zhuǎn)；降低故障時(shí)間，避免影響產(chǎn)能，減少損失；提高機(jī)器精度，穩(wěn)定品質(zhì)；加快抽氣速度，提升機(jī)器利...

【濺射的四要素】：①靶材物質(zhì)，②電磁場，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備 【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時(shí)，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素： ①等離子體中離子動(dòng)能, ②入射離子的入射角度; 3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì); 4)入射角度的影響因素 ①由電場決定,②靶材表面于入射源的相對角度。 【濺射率】： 定義：每單位時(shí)間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個(gè)數(shù)。 濺射率的影響因素：①離子動(dòng)能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統(tǒng)計(jì)學(xué)公式：Rs(統(tǒng)計(jì)學(xué))=d/t。 注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度...

【真空鍍膜設(shè)備之渦輪分子泵】： 渦輪分子泵：渦輪分子泵是利用高速旋轉(zhuǎn)的動(dòng)葉輪將動(dòng)量傳給氣體分子，使氣體產(chǎn)生定向流動(dòng)而抽氣的真空泵。主要用于高真空或超高真空，屬于干泵，極限真空10&7~10&8Torr，烘烤后可到10&10Torr，抽速可從50L/S~3500L/S。分子泵是靠高速轉(zhuǎn)動(dòng)的渦輪轉(zhuǎn)子攜帶氣體分子而獲得高真空、超高真空的一種機(jī)械真空泵。泵的轉(zhuǎn)速為10000轉(zhuǎn)/分到50000轉(zhuǎn)/分，這種泵的抽速范圍很寬，但不能直接對大氣排氣，需要配置前級泵。分子泵抽速與被抽氣體的種類有關(guān)，如對氫的抽速比對空氣的抽速大20%。 紅外真空鍍膜設(shè)備制造商。廣西永康真空鍍膜設(shè)備【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善...

【濺射的四要素】：①靶材物質(zhì)，②電磁場，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備 【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時(shí)，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素： ①等離子體中離子動(dòng)能, ②入射離子的入射角度; 3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì); 4)入射角度的影響因素 ①由電場決定,②靶材表面于入射源的相對角度。 【濺射率】： 定義：每單位時(shí)間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個(gè)數(shù)。 濺射率的影響因素：①離子動(dòng)能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統(tǒng)計(jì)學(xué)公式：Rs(統(tǒng)計(jì)學(xué))=d/t。 注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度...

【真空鍍膜機(jī)常見故障】: 一、 當(dāng)正在鍍膜室真空突然下降 1. 蒸發(fā)源水路膠圈損壞（更換膠圈） 2. 坩堝被打穿（更換坩堝） 3. 高壓電極密封處被擊穿（更換膠圈） 4. 工轉(zhuǎn)動(dòng)密封處膠圈損壞（更換膠圈） 5. 預(yù)閥突然關(guān)閉可能是二位五通閥損壞（更換二位五通閥） 6. 高閥突然關(guān)閉可能是二位五通閥損壞（更換二位五通閥） 7. 機(jī)械泵停機(jī)可能是繼電器斷開（檢查繼電器是否工作正常） 8. 烘烤引入線電極密封處被擊穿（更換膠圈） 9. 擋板動(dòng)密封處膠圈損壞（更換膠圈） 10. 玻璃觀察視鏡出現(xiàn)裂紋、炸裂（更換玻璃） 二、長期工作的鍍膜機(jī)抽真空的時(shí)間很長且達(dá)不到工作真空、恢復(fù)真空、極限真空、保真空： ...

【真空鍍膜機(jī)概述】： 真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空電阻加熱蒸發(fā)，電子搶加熱蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積，離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。 真空鍍膜機(jī)構(gòu)造的五大系統(tǒng)：排氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、蒸鍍系統(tǒng)、監(jiān)控系統(tǒng)、輔助系統(tǒng)。 真空鍍膜三要素：真空度、抽氣時(shí)間、溫度；任何鍍膜工藝都需要為這三個(gè)要素設(shè)定目標(biāo)值；因此，只有當(dāng)三個(gè)條件同時(shí)滿足時(shí)，自動(dòng)化程序才會自動(dòng)運(yùn)行。 真空鍍膜機(jī)需要做定期定期保養(yǎng)，目的在于：讓鍍膜機(jī)能長時(shí)間地正常運(yùn)轉(zhuǎn)；降低故障時(shí)間，避免影響產(chǎn)能，減少損失；提高機(jī)器精度，穩(wěn)定品質(zhì)；加快抽氣速度，提升機(jī)器利...

【離子鍍膜法介紹】： 離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍在基片上。根據(jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有：輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型，以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE...