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肖特基二極管：肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航?.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極...

三極管放大電路的原理：共發(fā)射極放大電路共發(fā)射極放大器是應(yīng)用普遍的放大器。所謂的共發(fā)射極放大器就是信號(hào)輸入和信號(hào)輸出都要依靠發(fā)射極完成的放大器。是一種典型的共發(fā)射極放大器。在該放大器內(nèi)，VT是放大管，C1是輸入信號(hào)耦合電容，C2是輸出信號(hào)耦合電容，R1、R2是V...

二極管基本的工作狀態(tài)是導(dǎo)通和截止兩種，利用這一特性可以構(gòu)成限幅電路。所謂限幅電路就是限制電路中某一點(diǎn)的信號(hào)幅度大小，讓信號(hào)幅度大到一定程度時(shí)，不讓信號(hào)的幅度再增大，當(dāng)信號(hào)的幅度沒(méi)有達(dá)到限制的幅度時(shí)，限幅電路不工作，具有這種功能的電路稱為限幅電路，利用二極管來(lái)完...

開(kāi)關(guān)二極管的勢(shì)壘電容一般極小，這就相當(dāng)于堵住了勢(shì)壘電容這條路，達(dá)到了在高頻條件下還可以保持好的單向?qū)щ娦缘男Ч?。開(kāi)關(guān)二極管從截止(高阻狀態(tài))到導(dǎo)通(低阻狀態(tài))的時(shí)間叫開(kāi)通時(shí)間；從導(dǎo)通到截止的時(shí)間叫反向恢復(fù)時(shí)間；兩個(gè)時(shí)間之和稱為開(kāi)關(guān)時(shí)間。一般反向恢復(fù)時(shí)間大于開(kāi)通...

二極管的發(fā)現(xiàn)和發(fā)展:1874年，德國(guó)物理學(xué)家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開(kāi)發(fā)出的代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。20世紀(jì)初，由于無(wú)線電接收器探測(cè)器的需要，熱離子二極管（真空管）和固態(tài)二極管（半導(dǎo)體二...

晶體三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。從三個(gè)區(qū)引出相應(yīng)的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和...

三極管由于集電結(jié)是反向偏置電壓，空間電荷區(qū)的內(nèi)電場(chǎng)被進(jìn)一步加強(qiáng)(PN結(jié)變寬)，這樣反而對(duì)基區(qū)擴(kuò)散到集電結(jié)邊境的載流子電子有很強(qiáng)的吸引力(電子帶負(fù)電，同性相斥異性相吸)，使它們很快漂移過(guò)集電結(jié)(電場(chǎng)的吸引或排斥作用引起的載流子移動(dòng)叫做漂移)，從而形成集電極電流I...

三極管放大電路的原理：信號(hào)放大輸入信號(hào)Ui經(jīng)C1耦合到VT的基極，使VT的基極電流Ib隨Ui變化而變化，致使VT的發(fā)射極電流Ie隨之變化，并且變化量為（1+β）Ib。Ie在R2兩端產(chǎn)生隨之變化的壓降U2。U2經(jīng)C2耦合后得到交流輸出信號(hào)Uo。由于Uo與Ui的相...

判別三管極時(shí)應(yīng)首先確認(rèn)基極。對(duì)于NPN管，用黑表筆接假定的基極，用紅表筆分別接觸另外兩個(gè)極，若測(cè)得電阻都小，約為幾百歐~幾千歐；而將黑、紅兩表筆對(duì)調(diào)，測(cè)得電阻均較大，在幾百千歐以上，此時(shí)黑表筆接的就是基極。PNP管，情況正相反，測(cè)量時(shí)兩個(gè)PN結(jié)都正偏的情況下，...

制造三極管時(shí)，有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時(shí)基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）及基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過(guò)發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過(guò)...

三極管的工作狀態(tài)：飽和導(dǎo)通當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，并當(dāng)基極電流增大到一定程度時(shí)，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時(shí)三極管失去電流放大作用，集電極與發(fā)射極之間的電壓很小，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開(kāi)關(guān)...

BVCEO是三極管基極開(kāi)路時(shí)，集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電極與發(fā)射極之間的電壓超過(guò)這個(gè)數(shù)值時(shí)，將可能使三極管產(chǎn)生很大的集電極電流，這種現(xiàn)象叫擊穿。三極管擊穿后會(huì)造成性損壞或性能下降。 PCM是集電極大允許耗散功率。三極管在工作時(shí)，集電極電流...

二極管VD1溫度補(bǔ)償電路分析：根據(jù)二極管VD1在電路中的位置，對(duì)它的工作原理分析思路主要說(shuō)明下列幾點(diǎn)：（1）VD1的正極通過(guò)R1與直流工作電壓+V相連，而它的負(fù)極通過(guò)R2與地線相連，這樣VD1在直流工作電壓+V的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)。理解二極管導(dǎo)通的要點(diǎn)是：正極...

共基極放大電路共基極放大器的應(yīng)用較前兩種放大器要少得多。是一種典型的共基極放大器。在該放大器內(nèi)，VT是放大管，C1是輸入信號(hào)耦合電容，C2是輸出信號(hào)耦合電容，C3是基極的交流接地電容，R1、R2是VT基極的直流偏置電阻，R3是VT的集電極負(fù)載電阻，R4是VT的...

三極管的 β 值不是一個(gè)不變的常數(shù)。在實(shí)際使用中，調(diào)整三極管的集電極電流 I ， β 值會(huì)隨著發(fā)生變化。一般說(shuō)來(lái)，在 I c 很?。ɡ鐜资玻┗蚝艽螅唇咏姌O大允電流 I CM ）時(shí)， β 值都比較小，在 1mA 以上相當(dāng)寬的范圍內(nèi)，小功率管的 β 值...

半導(dǎo)體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據(jù)選擇不同的半導(dǎo)體材料和摻雜不同的雜質(zhì)從而形成雜質(zhì)半導(dǎo)體來(lái)改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開(kāi)關(guān)的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來(lái)調(diào)節(jié)電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護(hù)電路（雪崩二極管），無(wú)線電調(diào)諧（變...

三極管的電子運(yùn)動(dòng)原理：發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE發(fā)射結(jié)加正向電壓且發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度高，所以大量自由電子因擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)越過(guò)發(fā)射結(jié)到達(dá)基區(qū)。與此同時(shí)，空穴也從基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散，但由于基區(qū)雜質(zhì)濃度低，所以空穴形成的電流非常小，近似分析時(shí)可忽略不計(jì)?？梢?jiàn)，...

電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號(hào)一般都標(biāo)在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標(biāo)準(zhǔn)封裝。在老式的電子產(chǎn)品中還能見(jiàn)到3DG...

二極管的光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口，以便于接受光照。其特點(diǎn)是，當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時(shí)，可以成對(duì)地產(chǎn)生自由電子和空穴，使半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而線性增...

晶體三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。從三個(gè)區(qū)引出相應(yīng)的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和...

三極管基極有電流流動(dòng)時(shí)；由于B極和E極之間有正向電壓，所以電子從發(fā)射極向基極移動(dòng)，又因?yàn)镃極和E極間施加了反向電壓，因此，從發(fā)射極向基極移動(dòng)的電子，在高電壓的作用下，通過(guò)基極進(jìn)入集電極。于是，在基極所加的正電壓的作用下，發(fā)射極的大量電子被輸送到集電極，產(chǎn)生很大...

三極管（也稱晶體管）在中文含義里面只是對(duì)三個(gè)引腳的放大器件的統(tǒng)稱，我們常說(shuō)的三極管，可能是幾種器件。可以看到，雖然都叫三極管，其實(shí)在英文里面的說(shuō)法是千差萬(wàn)別的，三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形意義上的的詞匯?！癟riode”（電子三極管）這個(gè)是英漢詞典...

晶體管是一種與其他電路元件結(jié)合使用時(shí)可產(chǎn)生電流增益、電壓增益和信號(hào)功率增益的多結(jié)半導(dǎo)體器件。因此，晶體管稱為有源器件，而二極管稱為無(wú)源器件。晶體管的基本工作方式是在其兩端施加電壓時(shí)控制另一端的電流。晶體管兩種主要類型：雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)管(FET)...

二極管在汞弧閥（具有冷陰極的汞蒸氣離子閥）中，一種難熔的導(dǎo)電陽(yáng)極與一池作為陰極的液態(tài)汞之間會(huì)形成電弧，電壓?jiǎn)挝豢蛇_(dá)數(shù)百千瓦，這對(duì)高壓直流輸電的發(fā)展起到了促進(jìn)作用。一些小型的熱離子整流器有時(shí)候也用汞蒸氣填充，以減少他們的正向壓降并增加這種熱離子強(qiáng)真空器件的電流額...

三極管的穿透電流ICEO的數(shù)值近似等于管子的倍數(shù)β和集電結(jié)的反向電流ICBO的乘積。ICBO隨著環(huán)境溫度的升高而增長(zhǎng)很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大將直接影響管子工作的穩(wěn)定性，所以在使用中應(yīng)盡量選用ICEO小的管子。通過(guò)用萬(wàn)用表電阻...

三極管的發(fā)明晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開(kāi)關(guān)功能控制電流。真空電子管存在笨重、耗能、反應(yīng)慢等缺點(diǎn)。二戰(zhàn)時(shí)，上急切需要一種穩(wěn)定可靠、快速靈敏的電信號(hào)放大元件，研究成果在二戰(zhàn)結(jié)束后獲得。早期，由于鍺晶體較易獲得，主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極...

三極管BE結(jié)的非線性（相當(dāng)于一個(gè)二極管），基極電流必須在輸入電壓 大到一定程度后才能產(chǎn)生（對(duì)于硅管，常取0.7V）。當(dāng)基極與發(fā)射極之間的電壓小于0.7V時(shí)，基極電流就可以認(rèn)為是0。但實(shí)際中要放大的信號(hào)往往遠(yuǎn)比 0.7V要小，如果不加偏置的話，這么小的信號(hào)就不足...

三極管BE結(jié)的非線性（相當(dāng)于一個(gè)二極管），基極電流必須在輸入電壓 大到一定程度后才能產(chǎn)生（對(duì)于硅管，常取0.7V）。當(dāng)基極與發(fā)射極之間的電壓小于0.7V時(shí)，基極電流就可以認(rèn)為是0。但實(shí)際中要放大的信號(hào)往往遠(yuǎn)比 0.7V要小，如果不加偏置的話，這么小的信號(hào)就不足...

三極管的基本結(jié)構(gòu)：基本放大電路是放大電路中基本的結(jié)構(gòu)，是構(gòu)成復(fù)雜放大電路的基本單元。它利用雙極型半導(dǎo)體三極管輸入電流控制輸出電流的特性，或場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管輸入電壓控制輸出電流的特性，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。本章基本放大電路的知識(shí)是進(jìn)一步學(xué)習(xí)電子技術(shù)的重要基礎(chǔ)?；痉?..

場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻基本是無(wú)窮大，但是GS之間存在一個(gè)電容，而且場(chǎng)效應(yīng)管能承受電流越大，Cgs一般也越大，在高速開(kāi)關(guān)時(shí)，MOS會(huì)在突然導(dǎo)通與突然關(guān)斷之間切換，那么前級(jí)的推動(dòng)電路就需要對(duì)MOS的輸入電容進(jìn)行充放電，如果不要驅(qū)動(dòng)電路，推動(dòng)電路加在MOS上的電壓上升速度...