久久成人国产精品二三区,亚洲综合在线一区,国产成人久久一区二区三区,福利国产在线,福利电影一区,青青在线视频,日本韩国一级

失效機(jī)理分析及防護(hù)策略結(jié)合以上結(jié)果，電阻失效是由于經(jīng)典電化學(xué)遷移引起（ElectrochemicalMigration,ECM）。其中失效模型包含Ag、Sn、Pb等金屬元素，指的是在一定的偏壓電場(chǎng)條件下，作為陽極的電子元件發(fā)生陽極金屬溶解，溶解到電解質(zhì)中的金屬離子在電場(chǎng)作用下遷移到陰極，并發(fā)生沉積還原的行為，**終導(dǎo)致金屬離子以樹枝狀結(jié)晶形式向陽極生長[6]。因此電化學(xué)遷移現(xiàn)象有三個(gè)必要的過程：(1)陽極溶解形成金屬離子過程；(2)金屬離子遷移過程；(3)金屬離子在陰極沉積過程[7]。實(shí)現(xiàn)多通道電流同時(shí)采集，實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試樣品離子和材料絕緣劣化過程。浙江sir電阻測(cè)試有哪些電阻測(cè)試 廣州維柯信...

焊點(diǎn)助焊劑(Flux)清潔與否，將影響ECM發(fā)生多寡IC芯片封裝成BGA后，于植球時(shí)會(huì)使用助焊劑(Flux)確保兩種不同的金屬或合金連接順利。宜特可靠性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室就觀察到，F(xiàn)lux工藝后，若沒有進(jìn)行清潔動(dòng)作，不僅殘留物將阻礙Underfill流動(dòng)路徑(圖四)，導(dǎo)致填充膠無法填滿芯片底部，造成許多的氣泡(延伸閱讀:如何利用真空壓力烤箱消滅UnderfillVoid)，更會(huì)加劇ECM的發(fā)生?？煽啃则?yàn)證實(shí)驗(yàn)室，特別做了兩項(xiàng)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)，實(shí)驗(yàn)條件套用HAST常見的溫度:130°C/濕度:85%RH，使用助焊劑為坊間常見免清洗型助焊劑。***項(xiàng)DOE樣品不做助焊劑清潔(Flux clean)，第二...

表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素：銅、電壓、濕度和離子種類。當(dāng)環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時(shí)，能夠與表面上的任何離子相互作用，使離子沿著電路板表面移動(dòng)。離子與銅發(fā)生反應(yīng)，它們?cè)陔妷旱淖饔孟?，被推?dòng)著在銅電路之間遷移。這通常被總結(jié)為一系列步驟：水吸附、陽極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長。線路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產(chǎn)生的影響因素：無論是線路板材料和阻焊層、元器件的清潔度，還是制板工藝或組裝工藝產(chǎn)生的任何殘留物（包括助焊劑殘留物）。由于這種失效機(jī)制是動(dòng)態(tài)變化的，理想狀況是對(duì)每種設(shè)計(jì)和裝配都進(jìn)行測(cè)試。但這是不可行的。這就提出了一個(gè)問題：如何比...

ROSE是用2-丙醇和水溶液，通過手工、動(dòng)態(tài)和靜態(tài)三種方法萃取板表面的任何殘留物。通常是將整個(gè)板子浸入溶液中，然后測(cè)量這種萃取物的電阻率，測(cè)量值由板子表面所有可溶性離子種類的離子含量決定。每種萃取方法在如何準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)這一過程上各不相同。通常，**測(cè)試電阻率是不夠的，因?yàn)樗荒軈^(qū)分是哪些離子導(dǎo)致萃取電阻率下降。為了評(píng)估哪些離子存在，必須進(jìn)行額外的離子色譜檢測(cè)。通過允許操作人員從過程中識(shí)別離子含量的來源，來完成測(cè)試。此外，過程控制從組裝工藝的開始就要進(jìn)行，線路板和元器件的進(jìn)廠清潔度與組裝的**終清潔度同樣重要。這也可以通過一種能夠在較小規(guī)模上從表面萃取的測(cè)試方法更有效地實(shí)現(xiàn)。精度高：優(yōu)于同業(yè)產(chǎn)品。...

在96個(gè)小時(shí)的靜置時(shí)間后，測(cè)試電壓和偏置電壓的極性必須是始終一致的。在整個(gè)測(cè)試過程中，建議每24到100個(gè)小時(shí)需要換用另外的電阻檢測(cè)器，確保測(cè)試電壓和偏置電壓的極性始終一致。在電阻測(cè)量過程中，為了保證測(cè)試的準(zhǔn)確性，如果觀察到周期性的電阻突降，也應(yīng)該被算作一次失效。因?yàn)殛枠O導(dǎo)電絲是很細(xì)的，很容易被破壞掉。當(dāng)50%的部分已經(jīng)失效了，測(cè)試即可停止。當(dāng)CAF發(fā)生時(shí)，電阻偏小，施加到CAF失效兩端的電壓會(huì)下降。當(dāng)測(cè)試網(wǎng)絡(luò)的阻值接近限流電阻的阻值時(shí)，顯得尤為明顯。所以在整個(gè)測(cè)試過程中，并不需要調(diào)整電壓。9、500個(gè)小時(shí)的偏置電壓后（一共596個(gè)小時(shí)），像之前一樣重新進(jìn)行絕緣電阻的測(cè)量。10、在500小時(shí)的...

產(chǎn)品可靠性系統(tǒng)解決方案1、可靠性試驗(yàn)方案定制2、可靠性企標(biāo)制定與輔導(dǎo)3、壽命評(píng)價(jià)及預(yù)估4、可靠性競品分析5、產(chǎn)品評(píng)測(cè)6、器件質(zhì)量提升二、常規(guī)環(huán)境與可靠性項(xiàng)目檢測(cè)方法1、電子元器件環(huán)境可靠性高/低溫試驗(yàn)、溫濕度試驗(yàn)、交變濕熱試驗(yàn)、冷熱沖擊試驗(yàn)、快速溫度變化試驗(yàn)、鹽霧試驗(yàn)、低氣壓試驗(yàn)、高壓蒸煮（HAST）、CAF試驗(yàn)、氣體腐蝕試驗(yàn)、防塵防水/IP等級(jí)、UV/氙燈老化/太陽輻射等。2、電子元器件機(jī)械可靠性振動(dòng)試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)、碰撞試驗(yàn)、跌落試驗(yàn)、三綜合試驗(yàn)、包裝運(yùn)輸試驗(yàn)/ISTA等級(jí)、疲勞壽命試驗(yàn)、插拔力試驗(yàn)。3、電氣性能可靠性耐電壓、擊穿電壓、絕緣電阻、表面電阻、體積電阻、介電強(qiáng)度、電阻率、導(dǎo)電率、...

焊點(diǎn)助焊劑(Flux)清潔與否，將影響ECM發(fā)生多寡IC芯片封裝成BGA后，于植球時(shí)會(huì)使用助焊劑(Flux)確保兩種不同的金屬或合金連接順利。宜特可靠性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室就觀察到，F(xiàn)lux工藝后，若沒有進(jìn)行清潔動(dòng)作，不僅殘留物將阻礙Underfill流動(dòng)路徑(圖四)，導(dǎo)致填充膠無法填滿芯片底部，造成許多的氣泡(延伸閱讀:如何利用真空壓力烤箱消滅UnderfillVoid)，更會(huì)加劇ECM的發(fā)生?？煽啃则?yàn)證實(shí)驗(yàn)室，特別做了兩項(xiàng)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)，實(shí)驗(yàn)條件套用HAST常見的溫度:130°C/濕度:85%RH，使用助焊劑為坊間常見免清洗型助焊劑。***項(xiàng)DOE樣品不做助焊劑清潔(Flux clean)，第二...

過程控制方法的討論J-STD-001文件定義了焊接電氣和電子組件的要求。第8節(jié)討論了清洗過程的要求和電化學(xué)可靠性相關(guān)的測(cè)試。本節(jié)參考了幾種測(cè)試方法，這些方法可用于評(píng)估印刷電路板表面什么樣的離子含量可以降低電阻值。它還包括用戶和供應(yīng)商同意的方法選項(xiàng)。TM-650方法提供了三種過程控制方法，即利用溶劑萃取物的電阻率檢測(cè)和測(cè)量可電離表面污染物，通常稱為ROSE測(cè)試。溶劑萃取物的電阻率（ROSE）這種測(cè)試方法已經(jīng)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)幾十年了。然而，這一方法近年來在一些發(fā)表的論文中，受到了越來越多的研究。加強(qiáng)監(jiān)測(cè)的明顯原因是：在某些情況下，這種測(cè)試方法已被確定與SIR的結(jié)果相***。除了正在進(jìn)行的討論內(nèi)容之外，...

失效機(jī)理分析及防護(hù)策略結(jié)合以上結(jié)果，電阻失效是由于經(jīng)典電化學(xué)遷移引起（ElectrochemicalMigration,ECM）。其中失效模型包含Ag、Sn、Pb等金屬元素，指的是在一定的偏壓電場(chǎng)條件下，作為陽極的電子元件發(fā)生陽極金屬溶解，溶解到電解質(zhì)中的金屬離子在電場(chǎng)作用下遷移到陰極，并發(fā)生沉積還原的行為，**終導(dǎo)致金屬離子以樹枝狀結(jié)晶形式向陽極生長[6]。因此電化學(xué)遷移現(xiàn)象有三個(gè)必要的過程：(1)陽極溶解形成金屬離子過程；(2)金屬離子遷移過程；(3)金屬離子在陰極沉積過程[7]。梳形電路“多指狀”互相交錯(cuò)的密集線路圖形，用板面清潔度、綠油絕緣性等，高電壓測(cè)試的一種特殊線路圖形。廣西電阻測(cè)...

CAF形成過程：1、常規(guī)FR4 P片是由玻璃絲編輯成玻璃布，然后涂環(huán)氧樹脂半固化后制成；2、樹脂與玻纖之間的附著力不足，或含浸時(shí)親膠性不良，兩者之間容易出現(xiàn)間隙；3、鉆孔等機(jī)械加工過程中，由于切向拉力及縱向沖擊力的作用對(duì)樹脂的粘合力進(jìn)一步破壞；4、距離較近的兩孔若電勢(shì)不同，則正極部分銅離子在電壓驅(qū)動(dòng)下逐漸向負(fù)極遷移。CAF產(chǎn)生的原因：1、原料問題1) 樹脂身純度不良，如雜質(zhì)太多而招致附著力不佳 ；2) 玻纖束之表面有問題，如耦合性不佳，親膠性不良 ；3) 樹脂之硬化劑不良，容易吸水 ；4) 膠片含浸中行進(jìn)速度太快；常使得玻纖束中應(yīng)有的膠量尚未全數(shù)充實(shí)填飽 造成氣泡殘存。導(dǎo)通電阻和接觸電阻測(cè)試...

表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素：銅、電壓、濕度和離子種類。當(dāng)環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時(shí)，能夠與表面上的任何離子相互作用，使離子沿著電路板表面移動(dòng)。離子與銅發(fā)生反應(yīng)，它們?cè)陔妷旱淖饔孟?，被推?dòng)著在銅電路之間遷移。這通常被總結(jié)為一系列步驟：水吸附、陽極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長。線路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產(chǎn)生的影響因素：無論是線路板材料和阻焊層、元器件的清潔度，還是制板工藝或組裝工藝產(chǎn)生的任何殘留物（包括助焊劑殘留物）。由于這種失效機(jī)制是動(dòng)態(tài)變化的，理想狀況是對(duì)每種設(shè)計(jì)和裝配都進(jìn)行測(cè)試。但這是不可行的。這就提出了一個(gè)問題：如何比...

SIR測(cè)試模型允許將此測(cè)試組件安裝在溫度為40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體中，如IPC TM-650所述。有一個(gè)輕微的偏差，因?yàn)榘鍥]有固定，并有不同的方向相對(duì)于氣流確保在測(cè)試期間SIR測(cè)試模塊上沒有明顯的冷凝現(xiàn)象。根據(jù)IPC標(biāo)準(zhǔn)，通過測(cè)試的模塊，在整個(gè)測(cè)試過程中，其電阻都高于108Ω。測(cè)試結(jié)果將根據(jù)這個(gè)限定值判定為通過或失敗。相關(guān)研究的目的是描述不同回流曲線對(duì)助焊劑殘留物的影響。在以前的工作中，據(jù)說曾經(jīng)觀察到與回流工藝產(chǎn)出的組件相比，使用電烙鐵加熱和更快冷卻速度的返工工位完成的組件顯示出更高的離子殘留物水平。SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：使用新色敷形涂料或工藝。湖北pcb絕緣電阻測(cè)試前景電...

可靠的電子組裝產(chǎn)品必須能在不同的環(huán)境中經(jīng)受住各種影響因素的考驗(yàn)，例如：熱、機(jī)械、化學(xué)、電等因素。測(cè)試每一種考驗(yàn)因素對(duì)系統(tǒng)的影響，通常以加速老化的方式來測(cè)試。這也就是說，測(cè)試環(huán)境比起正常老化的環(huán)境是要極端得多的。此文中的研究對(duì)象主要是各種測(cè)試電化學(xué)可靠性的方法。IPC將電化學(xué)遷移定義為：在直流偏壓的影響下，印刷線路板上的導(dǎo)電金屬纖維絲的生長。這種生長可能發(fā)生在外部表面、內(nèi)部界面或穿過大多數(shù)復(fù)合材料本體。增長的金屬纖維絲是含有金屬離子的溶液經(jīng)過電沉積形成的。電沉積過程是從陽極溶解電離子，由電場(chǎng)運(yùn)輸重新沉積在陰極上。在電路與組裝材料發(fā)生的反應(yīng)過程中，隨著時(shí)間的推移而逐漸形成這種失效。當(dāng)金屬纖維絲在線...

SIR測(cè)試模型允許將此測(cè)試組件安裝在溫度為40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體中，如IPC TM-650所述。有一個(gè)輕微的偏差，因?yàn)榘鍥]有固定，并有不同的方向相對(duì)于氣流確保在測(cè)試期間SIR測(cè)試模塊上沒有明顯的冷凝現(xiàn)象。根據(jù)IPC標(biāo)準(zhǔn)，通過測(cè)試的模塊，在整個(gè)測(cè)試過程中，其電阻都高于108Ω。測(cè)試結(jié)果將根據(jù)這個(gè)限定值判定為通過或失敗。相關(guān)研究的目的是描述不同回流曲線對(duì)助焊劑殘留物的影響。在以前的工作中，據(jù)說曾經(jīng)觀察到與回流工藝產(chǎn)出的組件相比，使用電烙鐵加熱和更快冷卻速度的返工工位完成的組件顯示出更高的離子殘留物水平。GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)搭配廣州維柯CAF測(cè)試軟件，更好...

有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)90%以上的電阻在大氣環(huán)境中使用[1]，因此不可避免地受到工作環(huán)境中的溫度、濕度、灰塵顆粒及大氣污染物的影響，很容易發(fā)生電化學(xué)遷移。電化學(xué)遷移被認(rèn)為是電阻在電場(chǎng)與環(huán)境作用下發(fā)生的一種重要的失效形式，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品在服役期間發(fā)生漏電、短路等故障。1失效分析某一批智能水表上的電路板使用大約2年后其內(nèi)部電阻存在短路失效的情況。1.1機(jī)械開封機(jī)械開封后1#電阻樣品表面形貌如圖1所示，可明顯發(fā)現(xiàn)電阻表面有一層金屬光澤異物粘附，異物呈樹枝狀結(jié)晶，由一端電極往另一端電極方向生長，并連接了電阻兩端電極；一端電表表面發(fā)生溶解，且溶解的端電極表面存在黑色腐蝕產(chǎn)物。多通道導(dǎo)通電阻實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)，可監(jiān)測(cè)溫度范...

可靠性研究的兩大內(nèi)容就是失效分析和可靠性測(cè)試（包括破壞性實(shí)驗(yàn)）。兩者之間是相互影響和相互制約的。電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ)，元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此，必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作，通過分析確定失效機(jī)理，找出失效原因，反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用，共同研究和實(shí)施糾正措施，提高電子元器件的可靠性。電子元器件失效分析的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象，分辨其失效模式和失效機(jī)理，確認(rèn)結(jié)果的失效原因，提出改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝的建議，防止失效的重復(fù)出現(xiàn)，提高元器件可靠性。SIR測(cè)試目的變動(dòng)電路板設(shè)計(jì)或布局。湖北...

電阻表面枝晶狀遷移物SEM放大形貌和EDS能譜分析見圖2所示，枝晶狀遷移物由一端電極往另一端電極方向生長，圖2(b)EDS測(cè)試結(jié)果表明枝晶狀遷移物主要含有Sn，Pb等元素，局部區(qū)域存在Cl元素，此產(chǎn)品生產(chǎn)中采用的SnPb焊料為Sn63Pb37，說明SnPb焊料中的Sn，Pb金屬元素發(fā)生電化學(xué)遷移導(dǎo)致枝晶的生長，連通電阻兩極，導(dǎo)致電阻短路失效。對(duì)失效電阻樣品表面遷移物區(qū)域和原工藝生產(chǎn)用SnPb焊料取樣進(jìn)行離子色譜分析，所得的結(jié)果如表1所示。從表1中可以得出失效電阻表面存在Cl-的含量為1.403mg/cm2。目前行業(yè)內(nèi)為避免印刷電路板發(fā)生腐蝕和電化學(xué)遷移而導(dǎo)致失效，控制表面殘留的Cl-含量不高于...

隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來越小，電遷移問題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。電遷移失效同常規(guī)的過應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶的使用過程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長期累積下產(chǎn)生的失效。所以，通過在樣品上施加各類綜合應(yīng)力來評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。精度高：優(yōu)于同業(yè)產(chǎn)品。浙江sir電阻測(cè)試發(fā)展電阻測(cè)試可靠性研究的兩大內(nèi)容就是失效分析和可靠性...

廣州維柯信息技術(shù)有限公司成立于2006年，是一家專業(yè)致力于檢測(cè)檢驗(yàn)實(shí)驗(yàn)室行業(yè)產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)生產(chǎn)、集成銷售為一體的技術(shù)型公司。 SIR系列絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)依據(jù)IPC標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造，具有偏置電壓測(cè)試時(shí)間任意設(shè)置、多模塊**分組、絕緣電阻測(cè)試、漂移電流測(cè)試、測(cè)試產(chǎn)品評(píng)估、環(huán)境試驗(yàn)參數(shù)監(jiān)控等功能。系統(tǒng)測(cè)試可在IPC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的環(huán)境條件下對(duì)試驗(yàn)樣品進(jìn)行高效、準(zhǔn)確的絕緣電阻測(cè)試和漏電流監(jiān)測(cè)。測(cè)試結(jié)果可通過曲線、表格的形式進(jìn)行顯示和交互，測(cè)試數(shù)據(jù)通過后臺(tái)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行存儲(chǔ)和管理，用戶可對(duì)已存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行回放和比較，方便用戶進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和篩選，對(duì)測(cè)試樣品的分析更加直觀和準(zhǔn)確。 導(dǎo)通電阻和接觸電阻測(cè)試系統(tǒng)...

在96個(gè)小時(shí)的靜置時(shí)間后，測(cè)試電壓和偏置電壓的極性必須是始終一致的。在整個(gè)測(cè)試過程中，建議每24到100個(gè)小時(shí)需要換用另外的電阻檢測(cè)器，確保測(cè)試電壓和偏置電壓的極性始終一致。在電阻測(cè)量過程中，為了保證測(cè)試的準(zhǔn)確性，如果觀察到周期性的電阻突降，也應(yīng)該被算作一次失效。因?yàn)殛枠O導(dǎo)電絲是很細(xì)的，很容易被破壞掉。當(dāng)50%的部分已經(jīng)失效了，測(cè)試即可停止。當(dāng)CAF發(fā)生時(shí)，電阻偏小，施加到CAF失效兩端的電壓會(huì)下降。當(dāng)測(cè)試網(wǎng)絡(luò)的阻值接近限流電阻的阻值時(shí)，顯得尤為明顯。所以在整個(gè)測(cè)試過程中，并不需要調(diào)整電壓。9、500個(gè)小時(shí)的偏置電壓后（一共596個(gè)小時(shí)），像之前一樣重新進(jìn)行絕緣電阻的測(cè)量。10、在500小時(shí)的...

在96個(gè)小時(shí)的靜置時(shí)間后，測(cè)試電壓和偏置電壓的極性必須是始終一致的。在整個(gè)測(cè)試過程中，建議每24到100個(gè)小時(shí)需要換用另外的電阻檢測(cè)器，確保測(cè)試電壓和偏置電壓的極性始終一致。在電阻測(cè)量過程中，為了保證測(cè)試的準(zhǔn)確性，如果觀察到周期性的電阻突降，也應(yīng)該被算作一次失效。因?yàn)殛枠O導(dǎo)電絲是很細(xì)的，很容易被破壞掉。當(dāng)50%的部分已經(jīng)失效了，測(cè)試即可停止。當(dāng)CAF發(fā)生時(shí)，電阻偏小，施加到CAF失效兩端的電壓會(huì)下降。當(dāng)測(cè)試網(wǎng)絡(luò)的阻值接近限流電阻的阻值時(shí)，顯得尤為明顯。所以在整個(gè)測(cè)試過程中，并不需要調(diào)整電壓。9、500個(gè)小時(shí)的偏置電壓后（一共596個(gè)小時(shí)），像之前一樣重新進(jìn)行絕緣電阻的測(cè)量。10、在500小時(shí)的...

銅鏡實(shí)驗(yàn)IPC-TM-650方法_2.3.32用來測(cè)試未加熱的助焊劑如何與銅反應(yīng)，也叫做助焊劑誘發(fā)腐蝕測(cè)試。本質(zhì)上講，就是滴一滴定量的助焊劑到涂敷了一層銅膜的玻璃片上，然后在特定環(huán)境中放置一段時(shí)間。這個(gè)環(huán)境接近室溫環(huán)境，相對(duì)濕度是50%。24小時(shí)后清理掉助焊劑，并在白色背景下觀察銅膜被腐蝕掉多少。腐蝕穿透銅膜的程度決定了助焊劑的活性等級(jí)，通常用L、M和H表示。銅板腐蝕實(shí)驗(yàn)IPC-TM-650方法2.6.15是用來測(cè)試極端條件下，助焊劑殘留物對(duì)銅的腐蝕性。助焊劑和焊料在銅板上加熱直到形成焊接。然后把銅板放置在一個(gè)溫度為40°C的潮濕環(huán)境，這樣可以加速助焊劑殘留物和銅可能發(fā)生的反應(yīng)。銅板需要在測(cè)試...

隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來越小，電遷移問題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。電遷移失效同常規(guī)的過應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶的使用過程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長期累積下產(chǎn)生的失效。所以，通過在樣品上施加各類綜合應(yīng)力來評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)搭配廣州維柯CAF測(cè)試軟件，更好更快速...

隨著電子產(chǎn)品的高密度化及電子制造的無鉛化，PCB及PCBA產(chǎn)品的技術(shù)水平、質(zhì)量要求也面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，PCB的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)加工及組裝過程中需要更嚴(yán)格的工藝與原材料的控制。目前由于尚處于技術(shù)和工藝的轉(zhuǎn)型期，客戶對(duì)PCB制程及組裝的認(rèn)識(shí)尚有較大差異，于是類似漏電、開路（線路、孔）、焊接不良、爆板分層之類的失效常常發(fā)生，常引起供應(yīng)商與用戶間的質(zhì)量責(zé)任糾紛，為此導(dǎo)致了嚴(yán)重的經(jīng)濟(jì)損失。通過對(duì)PCB及PCBA的失效現(xiàn)象進(jìn)行失效分析，通過一系列分析驗(yàn)證，找出失效原因，挖掘失效機(jī)理，對(duì)提高產(chǎn)品質(zhì)量，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，仲裁失效事故有重要意義。導(dǎo)通電阻和接觸電阻測(cè)試系統(tǒng)用于新材料新技術(shù)的自動(dòng)評(píng)估測(cè)試及焊點(diǎn)可靠性故障分析研...

電化學(xué)遷移是PCB組件常見的失效模式。無論是在設(shè)計(jì)過程開發(fā)階段，還是在生產(chǎn)過程、控制過程中，都需要充分的測(cè)試。在電子組裝行業(yè)，有許多可用的方法可以來評(píng)估組件表面的電化學(xué)遷移傾向。根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試將繼續(xù)為SIR。這是因?yàn)樵摐y(cè)試**接近組件的正常使用壽命中導(dǎo)致電化學(xué)遷移的條件，而且它考慮了所有促進(jìn)電化學(xué)遷移機(jī)制的四個(gè)因素之間的相互作用。當(dāng)測(cè)試集中在一個(gè)或一些因素上時(shí)，例如測(cè)試離子含量，它們可能表明每個(gè)組件上離子種類的變化，但它們不能直接評(píng)估電化學(xué)遷移的傾向。在銅、電壓、濕度和離子含量之間的相互作用中存在著一些關(guān)鍵因素，電解會(huì)導(dǎo)致枝晶生長，這將繼續(xù)推動(dòng)測(cè)試的最佳實(shí)踐朝著直接測(cè)試表面絕緣電阻的方向發(fā)展...

金屬離子在陰極沉積過程在陰極區(qū)，陽極溶解生成的金屬離子（主要為錫離子和鉛離子）在電場(chǎng)的作用下，在電解液中遷移到陰極得到電子直接生成金屬單質(zhì)；或者與陰極生成的氫氧根離子相遇而生成氫氧化物的沉淀物，氫氧化物的沉淀物發(fā)生脫水分解為氧化物，氧化物繼續(xù)還原為金屬單質(zhì)。伴隨著枝晶的生長過程，陰極區(qū)還發(fā)生的反應(yīng)為電解質(zhì)中溶解氧氣的還原反應(yīng)及水的還原反應(yīng)，反應(yīng)方程式如下：Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4...

可靠性試驗(yàn)中，有一項(xiàng)，叫做高加速應(yīng)力試驗(yàn)(簡稱HAST)，主要是在測(cè)試IC封裝體對(duì)溫濕度的抵抗能力，藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項(xiàng)試驗(yàn)方式是需透過外接電源供應(yīng)器，將DC電壓源送入高壓鍋爐機(jī)臺(tái)設(shè)備內(nèi)，再連接到待測(cè)IC插座(Socket)與測(cè)試版(HASTboard)，進(jìn)行待測(cè)IC的測(cè)試。然而這項(xiàng)試驗(yàn)，看似簡單，但在宜特20多年的可靠性驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)中，卻發(fā)現(xiàn)客戶都會(huì)遇到一些難題需要克服。特別是芯片應(yīng)用日益復(fù)雜，精密度不斷提升，芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array，簡稱BGA)和芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale package，簡稱CSP）封裝比例越來越高，且錫球間距也越來越小，在執(zhí)行HA...

局部萃取法會(huì)把板子表面所有殘留離子都溶解。電路板上離子材料的常見來源是多種多樣的，包括電路板制造和電鍍殘留物、人機(jī)交互殘留物、助焊劑殘留物等。這包括有意添加的化學(xué)物質(zhì)和無意的污染?？紤]到這一點(diǎn)，每當(dāng)遇到不可接受的結(jié)果時(shí)，這種方法就被用來調(diào)查在過程和材料清單中發(fā)生了什么變化。在流程開發(fā)過程中，應(yīng)該定義一個(gè)“正?！钡慕Y(jié)果范圍，但是當(dāng)結(jié)果超出預(yù)期范圍時(shí)，可能會(huì)有許多潛在的原因。使用類似SIR測(cè)試模塊的68針LCC。這種設(shè)計(jì)有足夠的熱量，允許一個(gè)范圍內(nèi)的回流曲線。元件的高度和底部端子**了一個(gè)典型的組裝案例，其中助焊劑殘留物和其他污染物可以被截留在元件底部。在局部萃取過程中，噴嘴比組件小得多，且能滿足...

什么是PCB/PCBA絕緣失效？PCB/PCBA絕緣失效是指電介質(zhì)在電壓作用下會(huì)產(chǎn)生能量損耗，這種損耗很大時(shí)，原先的電能轉(zhuǎn)化為熱能，使電介質(zhì)溫度升高，絕緣老化，甚至使電介質(zhì)熔化、燒焦，終喪失絕緣性能而發(fā)生熱擊穿。電介質(zhì)的損耗是衡量其絕緣性能的重要指標(biāo)，電介質(zhì)即絕緣材料，是電氣設(shè)備、裝置中用來隔離存在不同點(diǎn)位的導(dǎo)體的物質(zhì)，通過各類導(dǎo)體間的絕緣隔斷功能控制電流的方向。PCB/PCBA絕緣失效的表征電介質(zhì)長期受到點(diǎn)場(chǎng)、熱能、機(jī)械應(yīng)力等的破壞。在電場(chǎng)的作用下，電介質(zhì)會(huì)發(fā)生極化、電導(dǎo)、耗損和擊穿等現(xiàn)象，這些現(xiàn)象的相關(guān)物理參數(shù)可以用相對(duì)介電系數(shù)、電導(dǎo)率、介質(zhì)損耗因數(shù)、擊穿電壓來表征。測(cè)量離子與非離子污染物...

確認(rèn)適當(dāng)?shù)钠秒妷阂呀?jīng)被加載在樣品上進(jìn)行周期性測(cè)試。為了比較不同內(nèi)層材料和制程的耐CAF性能，使用100V直流偏壓的標(biāo)準(zhǔn)CAF測(cè)試條件。為了確認(rèn)測(cè)試結(jié)果與實(shí)際壽命之間的關(guān)系，第二個(gè)偏置電壓條件需要選擇給定的最高工作電壓的兩倍。當(dāng)一個(gè)較小的偏置電壓不能有效地區(qū)別更多不同的耐CAF材料和制程時(shí)，更高的偏置電壓由于會(huì)線性地影響失效時(shí)間，應(yīng)該被避免采用。這是因?yàn)檫^高的偏置電壓會(huì)抵消掉相對(duì)濕度的影響，而相對(duì)濕度由于局部加熱的原因是非常重要的失效機(jī)制部分。操作方便：充分考慮實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用場(chǎng)景，方便工程師實(shí)施工作。浙江多功能電阻測(cè)試操作電阻測(cè)試 廣州維柯信息技術(shù)有限公司成立于2006年，是一家專業(yè)致力于檢測(cè)檢...