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接太陽能電池提供了一條實現(xiàn)路徑?！? 雖然科學(xué)家們?yōu)榱藢崿F(xiàn)更具效率的太陽能電池已經(jīng)努力多年，這一方法具有兩個創(chuàng)新之處。首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見于紅外激光器和光電探測器等應(yīng)用之中。這種新型的基于銻化鎵的太陽能電池被組裝成堆棧式結(jié)構(gòu)，同時在傳統(tǒng)基底上生長能捕捉較短波長的太陽光的高效太陽能電池。此外，堆疊過程使用了一種名為轉(zhuǎn)印的技術(shù)，這一技術(shù)能以高精度三維組裝這些微小的設(shè)備。 這種太陽能電池非常昂貴，但研究者認為其**重要的是如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對太陽熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率。湖北下打光太陽光譜模擬價格用于比較光譜儀分辨能力的兩條氧氣...

第五計算單元325，用于根據(jù)太陽高度角和所述拍攝位置高程，計算相對大氣光學(xué)質(zhì)量；第六計算單元326，用于根據(jù)相對大氣光學(xué)質(zhì)量，計算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計算散射輻射大氣透明度系數(shù)；第七計算單元327，用于根據(jù)大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度、所述直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計算所述太陽直接輻射強度；第八計算單元328，用于根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計算太陽散射輻射強度。需要說明的是，裝置部分的實施例方式與方法部分的實施例方式對應(yīng)類似，具體細節(jié)請參照方法實施例部分，在此不再贅述。本發(fā)明實施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制...

例如，獲取模塊310、***計算模塊320、第二計算模塊330和第三計算模塊340中的任意多個可以合并在一個模塊中實現(xiàn)，或者其中的任意一個模塊可以被拆分成多個模塊?；蛘?，這些模塊中的一個或多個模塊的至少部分功能可以與其他模塊的至少部分功能相結(jié)合，并在一個模塊中實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，獲取模塊310、***計算模塊320、第二計算模塊330及第三計算模塊340中的至少一個可以至少被部分地實現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過對電路進行集成或封裝的任何其他的合理方式等硬件或固件來實現(xiàn)，...

根據(jù)本發(fā)明的實施例的模塊、單元中的任意多個、或其中任意多個的至少部分功能可以在一個模塊中實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以被拆分成多個模塊來實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以至少被部分地實現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過對電路進行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來實現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當組合來實現(xiàn)?；蛘?，根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的一個或多個可以至少被部分地實現(xiàn)為計算機程序模...

HN-9332儀器的寬波長覆蓋范圍允許在整個光譜的可見區(qū)域進行快速的“測量”光譜。然而，許多夫瑯和費譜線和大多數(shù)大氣譜線都比HN-9332儀器的分辨率窄。需要更高分辨率的光譜儀來詳細檢查太陽光譜的感興趣區(qū)域；例如HF-8989。02高分辨率太陽光譜下圖顯示了太陽光譜中一個特別有趣的區(qū)域。這個位于689nm附近的區(qū)域主要是由地球大氣中的氧氣引起的大地吸收。在這里，可以清楚地觀察到氧帶的R-和P-分支中的單個吸收線，較強的吸收線在線中心顯示~100%的吸收。左邊是一個高分辨率的太陽光譜，它是用629nm波段的HF-8989-3光譜儀拍攝的。在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通...

可選地，根據(jù)拍攝時刻和地理經(jīng)度，計算拍攝時刻的太陽時角，包括：根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)計算太陽時角，其中，t為拍攝時刻，ω(x，t)為坐標為(x，y)的像素點在t時刻對應(yīng)的太陽時角?？蛇x地，根據(jù)太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度，計算拍攝時刻的太陽高度角，包括：根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)]，計算太陽高度角α(x，y，d，t)?？蛇x地，根據(jù)太陽高度角和拍攝位置高程，計算相對大氣光學(xué)質(zhì)量，包括：根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對大氣光學(xué)質(zhì)量...

WTi-Al2O3金屬陶瓷基太陽光譜選擇性吸收涂層在600℃退火前后反射光譜變化圖、微結(jié)構(gòu)和熱強化機理示意圖 金屬納米粒子嵌入到陶瓷基體中組成的金屬陶瓷薄膜是太陽光譜選擇性吸收涂層的**工作層，其熱穩(wěn)定性和綜合光學(xué)性能直接決定著整個涂層的光熱轉(zhuǎn)換效率。高溫下，金屬陶瓷膜內(nèi)金屬納米粒子的團聚、長大、氧化及涂層內(nèi)層間原子的擴散遷徙，往往會導(dǎo)致成分和微結(jié)構(gòu)的變化，從而誘發(fā)涂層光學(xué)性能的衰減 (不可逆性)。如何解決上述問題，構(gòu)建熱穩(wěn)定性優(yōu)異、熱發(fā)射率低且吸收率高的太陽光譜選擇性吸收涂層，是光熱技術(shù)應(yīng)用所面臨的重要材料基礎(chǔ)問題。 相對的，目前大部分常見太陽能電池只能將25%的可用能量轉(zhuǎn)換為電力。寧...

示意性示出了本發(fā)明實施例太陽光照補償值計算方法的流程圖，如圖1所示，該方法例如可以包括操作s1～s1。s1，獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程。該尺寸包括地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的長或?qū)挘?，獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像。地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程例如可以從數(shù)據(jù)庫中獲取。s2，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程，計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度。制得的吸收膜的外表...

然而，對于大多數(shù)光譜儀而言，必須使用透鏡收集陽光，光纖的輸入端位于透鏡的焦點處?？梢酝ㄟ^商用光纖準直器C將陽光耦合到光纖中。準直器可以安裝在穩(wěn)定的三腳架上，對準太陽，從而可以手動跟蹤太陽在天空中的運動。或者利用太陽望遠鏡A,B，它們將能夠自動跟蹤太陽的軌跡。LightMachinery可以提供目鏡適配器D，將太陽光耦合到光纖中。01利用LightMachinery光譜儀測試太陽光譜一旦太陽光被成功地耦合到光譜儀中，一個條紋圖像將被相機傳感器捕獲。這些條紋中，白色條紋中的深**域?qū)?yīng)于太陽吸收線。正是在這些窄波長區(qū)域，太陽的光強度被吸收而降低。這一方法不同于一般在房頂或者田野中看到的那種太陽能電...

為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體，相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進行反應(yīng)，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進行。相反地，如果通入過量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進行反應(yīng)，也會在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。因此，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對太陽熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問題。技術(shù)實現(xiàn)要素：本申請?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進行的步驟。黑龍江生產(chǎn)太陽光譜模擬購買根據(jù)τs(α，z)...

在本實施例一可行的方式中，根據(jù)計算坐標為(x，y)的像素點對應(yīng)的地理經(jīng)度l(x)。根據(jù)計算坐標為(x，y)的像素點對應(yīng)的地理緯度b(y)；其中，(b0，l0)為坐標值(0，0)為的像素點對應(yīng)的地理坐標。s22，根據(jù)拍攝日期，計算拍攝日期對應(yīng)的太陽赤緯角和大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度。在本實施例一可行的方式中，可根據(jù)計算太陽赤緯角。根據(jù)計算大氣層上界垂直入射時，太陽輻射強度。其中，d表示計算拍攝日期在一年中所處的天數(shù)，即將每年的一月一日當做***天。δ(d)為太陽赤緯角，e(d)為太陽輻射強度。撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻。江蘇太陽光譜模擬AM1.5該儀器能夠快速顯示...

針對自研的太陽光譜輻照度計入射光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特征,分析了引入余弦誤差的因素,研究了直、漫射輻照度以及漫射-總輻射比的余弦校正方法,開展了實驗室余弦響應(yīng)特性測量和多種儀器的敦煌外場比對試驗.結(jié)果顯示,余弦誤差與積分球入口黑色陽極化內(nèi)壁及結(jié)構(gòu)有關(guān),在入射角為60°時,440nm、500nm、670nm和870nm波段太陽光譜輻照度計的余弦誤差為4.3%~9.1%;由太陽光譜輻照度計獲取的直射輻照度反演得到的大氣光學(xué)厚度受到余弦誤差的嚴重影響,余弦校正前后與CE318太陽光度計反演結(jié)果相比,偏差分別為0.11~0.13和小于0.012;基于天空輻亮度各向同性分布假設(shè),余弦校正后四個波段漫射輻照度數(shù)值...

以AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜作為吸收層，成功構(gòu)建了AgAl-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。在氮氣氣氛下經(jīng)500℃退火1002 h，其太陽光譜吸收率穩(wěn)定在95%左右，400℃紅外發(fā)射率約在10-11%，如圖1所示（Advanced Materials Interfaces 2016, 3, 1600248）。 目前國內(nèi)外研究人員積極開發(fā)基于熔融鹽（如60% KNO3+40% NaNO3）熱工質(zhì)的高溫太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其工作溫度常在550℃以上，客觀上對太陽光譜選擇性吸收涂層提出了更為苛刻的要求，如何獲得600℃下具備優(yōu)異熱穩(wěn)定性的太陽光譜選擇性吸收涂層是亟需攻克的難題之一。此外，如...

1)反應(yīng)性濺鍍制備強化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜；步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片；步驟1)中，靶材為鉻靶，功率為9kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為120sccm，氧氣流量為80sccm，制得的強化膜的厚度為70nm；膜厚是根據(jù)工藝要求可調(diào)整的；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；本申請?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備...

顯示的區(qū)域約1納米寬，中心在628納米左右。通過*0.7秒的單次曝光記錄太陽光譜的可見區(qū)域，演示了HN-9332光譜儀的寬波長覆蓋范圍。圖的左側(cè)部分顯示了SpectraLoK軟件直接顯示的整個425-700nm波長范圍。圖的右部分顯示了在517nm附近鎂三重態(tài)周圍連續(xù)擴展的區(qū)域。HN-9332光譜儀的儀器分辨率比較好用頻率單位來表示——儀器波長覆蓋范圍約20GHz，對應(yīng)于425nm處約15pm、550nm處約2pμm和700nm處約30pm的分辨率。因此，圖中顯示的數(shù)據(jù)可以理解為相當于>10000個分辨率點，所有這些分辨率點都記錄在不到1秒的單次曝光中。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原...

可選地，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻及拍攝位置高程，計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度，包括：根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間，計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中每個像素對應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度；根據(jù)拍攝日期，計算拍攝日期對應(yīng)的太陽赤緯角及大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度；根據(jù)拍攝時刻和地理經(jīng)度，計算拍攝時刻的太陽時角；根據(jù)太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度，計算拍攝時刻的太陽高度角；根據(jù)太陽高度角和拍攝位置高程，計算相對大氣光學(xué)質(zhì)量；根據(jù)相對大氣光學(xué)質(zhì)量，計算直射輻...

伴隨工作溫度的升高，如何抑制高溫下熱輻射損失顯得愈發(fā)重要?；谇捌诘难芯炕A(chǔ)，研究組開發(fā)出另一種新型金屬陶瓷薄膜WTi-Al2O3。借助光學(xué)模擬設(shè)計，獲得太陽光譜選擇性吸收涂層結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化范圍，構(gòu)建了WTi-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。經(jīng)600℃長時間（840 h）退火，WTi-Al2O3涂層仍保持較高的吸收率~93%，500℃下的熱發(fā)射率*有10.3%，遠低于文獻報道值（>13%@500℃）。研究表明，WTi合金納米粒子內(nèi)金屬Ti的外擴散、偏析及部分氧化可有效抑制W納米粒子的團聚和長大，從而提高涂層的熱穩(wěn)定性，實現(xiàn)對WTi-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性的雙重調(diào)控...

在本申請的一個實施例中，步驟2)中，靶材為銅靶，氬氣流量為50～500sccm，制得的低發(fā)射率膜的厚度為180～220nm。在本申請的一個實施例中，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮氣流量為10～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。在本申請的一個實施例中，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮氣流量為10～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。在本申請的一個實施例中，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120...

伴隨工作溫度的升高，如何抑制高溫下熱輻射損失顯得愈發(fā)重要?；谇捌诘难芯炕A(chǔ)，研究組開發(fā)出另一種新型金屬陶瓷薄膜WTi-Al2O3。借助光學(xué)模擬設(shè)計，獲得太陽光譜選擇性吸收涂層結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化范圍，構(gòu)建了WTi-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。經(jīng)600℃長時間（840 h）退火，WTi-Al2O3涂層仍保持較高的吸收率~93%，500℃下的熱發(fā)射率*有10.3%，遠低于文獻報道值（>13%@500℃）。研究表明，WTi合金納米粒子內(nèi)金屬Ti的外擴散、偏析及部分氧化可有效抑制W納米粒子的團聚和長大，從而提高涂層的熱穩(wěn)定性，實現(xiàn)對WTi-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性的雙重調(diào)控...

具體實施方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本申請?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜；濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室...

可選地，根據(jù)拍攝時刻和地理經(jīng)度，計算拍攝時刻的太陽時角，包括：根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)計算太陽時角，其中，t為拍攝時刻，ω(x，t)為坐標為(x，y)的像素點在t時刻對應(yīng)的太陽時角。可選地，根據(jù)太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度，計算拍攝時刻的太陽高度角，包括：根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)]，計算太陽高度角α(x，y，d，t)?？蛇x地，根據(jù)太陽高度角和拍攝位置高程，計算相對大氣光學(xué)質(zhì)量，包括：根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對大氣光學(xué)質(zhì)量...

2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜；在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)...

因此，對于地球靜止軌道光學(xué)遙感衛(wèi)星在不同日期、不同時間、不同地點拍攝圖像的太陽光照補償值為δet＝et(x1，y1，z1，d1，t1)-et(x2，y2，z2，d2，t2)，(2)其中，下角標1和2**兩個不同拍攝日期、和/或時間和/或位置。至此，通過獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程，基于上述方法，實現(xiàn)對于不同日期、不同時間、不同地點拍攝的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽光照補償值計算。圖3示意性示出了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的太陽光照補償值計算裝置的框圖，如圖3所示，該裝置300例如可以包括獲取模塊310、***計算模塊3...

針對自研的太陽光譜輻照度計入射光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特征,分析了引入余弦誤差的因素,研究了直、漫射輻照度以及漫射-總輻射比的余弦校正方法,開展了實驗室余弦響應(yīng)特性測量和多種儀器的敦煌外場比對試驗.結(jié)果顯示,余弦誤差與積分球入口黑色陽極化內(nèi)壁及結(jié)構(gòu)有關(guān),在入射角為60°時,440nm、500nm、670nm和870nm波段太陽光譜輻照度計的余弦誤差為4.3%~9.1%;由太陽光譜輻照度計獲取的直射輻照度反演得到的大氣光學(xué)厚度受到余弦誤差的嚴重影響,余弦校正前后與CE318太陽光度計反演結(jié)果相比,偏差分別為0.11~0.13和小于0.012;基于天空輻亮度各向同性分布假設(shè),余弦校正后四個波段漫射輻照度數(shù)值...

反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜；5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；反應(yīng)性濺鍍制備強化膜...

1)反應(yīng)性濺鍍制備強化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜；步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片；步驟1)中，靶材為鉻靶，功率為9kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為120sccm，氧氣流量為80sccm，制得的強化膜的厚度為70nm；膜厚是根據(jù)工藝要求可調(diào)整的；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；這種太陽能電池非常昂貴，但研究者認為其**重要的是...

在本申請的一個實施例中，步驟2)中，靶材為銅靶，氬氣流量為50～500sccm，制得的低發(fā)射率膜的厚度為180～220nm。在本申請的一個實施例中，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮氣流量為10～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。在本申請的一個實施例中，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮氣流量為10～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。在本申請的一個實施例中，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120...

具體實施方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本申請?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜；雖然科學(xué)家們?yōu)榱藢崿F(xiàn)更具效率的太陽能...

反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜；5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；對本發(fā)明實施例中的技...

本申請?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，吸熱體由基材以及設(shè)置在基材的外表面上的膜層構(gòu)成，膜層包括6層，從下到上依次為氧化鉻材質(zhì)的強化膜、銅材質(zhì)的低發(fā)射率膜、氮化鉻材質(zhì)的緩沖膜、氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻的混合物材質(zhì)的過渡膜、氧化鉻材質(zhì)的吸收膜、二氧化硅材質(zhì)的抗反射膜，其中強化膜、緩沖膜、過渡膜、吸收膜以及抗反射膜均為通過反應(yīng)性濺就鍍制備得到，銅材質(zhì)的低發(fā)射率膜為通過直流濺鍍制備得到；通過降低成本和回收利用這些生長基底，未來類似的產(chǎn)品可能將被推向市場。福建銷售太陽光譜模擬銷量本發(fā)明涉及圖像處理領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽光照補償值計算方法。背景技術(shù)：地球靜止軌道光學(xué)遙感衛(wèi)星的軌道周期與...