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DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來智能手機、智能電視、AI技術(shù)的風(fēng)起云涌，人們對容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計算機存儲器的需求不斷提高，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場的需求和技術(shù)的升級推陳出新。目前，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進(jìn)到了DDR5了，但市場上對經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測試痛點測試和驗證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存，客戶一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳；如何探測和驗證突發(fā)的讀寫脈沖信號；配置測試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測試。DDR有那些測試解決方案；USB測試DDR測試USB測試trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合...

實際的電源完整性是相當(dāng)復(fù)雜的，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號的切換頻率和PCB耗電網(wǎng)絡(luò)。對于PCB設(shè)計來說，目標(biāo)阻抗的去耦設(shè)計是相對來說比較簡單的，也是比較實際的解決方案。在DDR的設(shè)計上有三類電源，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細(xì)在JEDEC里有敘述。通過電源層的平面電容和用的一定數(shù)量的去耦電容，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個左右。另外，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴(yán)格的容差性，但是它承載著比較小的電流。顯然，它只需要很窄的走線，且通過一兩個去耦電容就可以...

DDR測試 測試軟件運行后，示波器會自動設(shè)置時基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測量并匯總成一個測試報告，測試報告中列出了測試的項目、是否通過、spec的要求、實測值、margin等。圖5.17是自動測試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測量的一個例子。信號質(zhì)量的測試還可以輔助用戶進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能，用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻，并分析對信號質(zhì)量的影響。除了一致性測試以外，DDR測試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個關(guān)鍵參數(shù)測試失敗后，可以針對這個參數(shù)進(jìn)行Debug。此時，測試軟件會捕獲、存儲一段時間的波...

trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合而影響，一種在不需要提高其間距的情況下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然，sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是，依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時延不同的原因，所以，在實際的設(shè)計時，要借助于CAD工具進(jìn)行嚴(yán)格的計算，從而控制走線的時延匹配?？紤]到在圖2中6層板上的過孔的因素，當(dāng)一個地過孔靠近信號過孔放置時，則在時延方面的影響是必須要考慮的。先舉個例子，在TOP層的微帶線長度是150mils，BOTTOM層的微帶線也是150mils，線寬都為4mils，且過孔的參數(shù)為：barreldiamet...

DDR測試 什么是DDR？ DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態(tài)隨機內(nèi)存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現(xiàn)在被稱為SDR）與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節(jié)省輸入管腳，采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS，存儲的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動態(tài)隨機內(nèi)存（SDRDRAM)將時鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合，RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據(jù)時鐘指示，可以預(yù)測數(shù)據(jù)和其它信號的位置。因而，數(shù)據(jù)...

對于DDR2和DDR3，時鐘信號是以差分的形式傳輸?shù)模贒DR2里，DQS信號是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當(dāng)以高度速率工作時則采用差分的方式。顯然，在同樣的長度下，差分線的切換時延是小于單端線的。根據(jù)時序仿真的結(jié)果，時鐘信號和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長一點。另外，必須確保時鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個字節(jié)里，它們要有嚴(yán)格的長度匹配，而且不能有過孔。差分信號對阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時優(yōu)先考慮布時鐘線和DQS。DDR...

4.為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)，可以反映正常工作狀態(tài)下的波形，可以提高測試效率。5.為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提出技術(shù)方案：6.一種ddr4內(nèi)存信號測試方法，所述方法包括以下步驟：7.s1，將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號并確定標(biāo)志信號；8.s2，根據(jù)標(biāo)志信號對示波器進(jìn)行相關(guān)參數(shù)配置，利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的信號進(jìn)行讀寫信號分離；9.s3，利用示波器對分離后的讀寫信號進(jìn)行測試。10.在本發(fā)明的一個實施例中，所述將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集d...

DDR測試 要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以DDR的信號質(zhì)量測試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時涉及這兩類芯片的測試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號質(zhì)量的要求，因此DDR的自動測試軟件也只對這一側(cè)的信號質(zhì)量進(jìn)行測試。對于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號質(zhì)量來說，不同控制器芯片廠商有不同的要求，目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號質(zhì)量的測試還只能使用手動的方法。這時用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測試點，并借助合適的信號讀/寫分離手段來進(jìn)行手動測試。 DDR3規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義；遼寧DDR測試商家 DDR測試 內(nèi)存條測試對內(nèi)存條測試的要求是千差...

DDR測試 DDR5的接收端容限測試 前面我們在介紹USB3.0、PCIe等高速串行總線的測試時提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測試以驗證接收均衡器和CDR在惡劣信號下的表現(xiàn)。對于DDR來說，DDR4及之前的總線接收端還相對比較簡單，只是做一些匹配、時延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時代(圖5.19),由于信號速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變增益調(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測試中不曾涉及的。 解決DDR內(nèi)存系統(tǒng)測試難題？上海DDR測試安裝 DDR測試 測...

如何測試DDR？ DDR測試有具有不同要求的兩個方面：芯片級測試DDR芯片測試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測試儀通常是內(nèi)存自動測試設(shè)備，其價值一般在數(shù)百萬美元以上。測試儀的部分是一臺可編程的高分辨信號發(fā)生器。測試工程師通過編程來模擬實際工作環(huán)境；另外，他也可以對計時脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來尋找平衡點。自動測試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機內(nèi)存深度的局限性，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因為DDR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此，測試儀的映象隨機內(nèi)存容量會很快被消耗殆盡。為...

對于DDR2和DDR3，時鐘信號是以差分的形式傳輸?shù)模贒DR2里，DQS信號是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當(dāng)以高度速率工作時則采用差分的方式。顯然，在同樣的長度下，差分線的切換時延是小于單端線的。根據(jù)時序仿真的結(jié)果，時鐘信號和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長一點。另外，必須確保時鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個字節(jié)里，它們要有嚴(yán)格的長度匹配，而且不能有過孔。差分信號對阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時優(yōu)先考慮布時鐘線和DQS。DDR...

DDR測試 主要的DDR相關(guān)規(guī)范，對發(fā)布時間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長度、端接、接收機均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對比?？梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn)，同時也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來實現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例，相 對于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn)，比如在接收機內(nèi)部有均衡器補償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號時序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測等。 DDR的規(guī)范要求進(jìn)行需...

只在TOP和BOTTOM層進(jìn)行了布線，存儲器由兩片的SDRAM以菊花鏈的方式所構(gòu)成。而在DIMM的案例里，只有一個不帶緩存的DIMM被使用。對TOP/BOTTOM層布線的一個閃照圖和信號完整性仿真圖。 ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時鐘頻率在800 MHz，數(shù)據(jù)通信率為1600Mbps ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時鐘頻率在400 MHz，數(shù)據(jù)通信率為800Mbps ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò) 個經(jīng)過比較過的數(shù)據(jù)信號眼圖，一個是仿真的結(jié)果，而另一個是實際測量的。在...

4.為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)，可以反映正常工作狀態(tài)下的波形，可以提高測試效率。5.為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提出技術(shù)方案：6.一種ddr4內(nèi)存信號測試方法，所述方法包括以下步驟：7.s1，將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號并確定標(biāo)志信號；8.s2，根據(jù)標(biāo)志信號對示波器進(jìn)行相關(guān)參數(shù)配置，利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的信號進(jìn)行讀寫信號分離；9.s3，利用示波器對分離后的讀寫信號進(jìn)行測試。10.在本發(fā)明的一個實施例中，所述將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集d...

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數(shù)約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當(dāng)使用6層來走線時，設(shè)計一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得更加容易，同時由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性。互聯(lián)通道的另一參數(shù)阻抗，在DDR2的設(shè)計時必須是恒定連續(xù)的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上，且做到阻抗匹配，而對于差分信號，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端，比如CLOCK和DQS信號。另外，所...

DDR測試信號和協(xié)議測試 DDR4一致性測試工作臺（用示波器中的一致性測試軟件分析DDR仿真波形）對DDR5來說，設(shè)計更為復(fù)雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應(yīng)用IBIS模型針對基于DDR5顆?；駾IMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗證，比如仿真驅(qū)動能力、隨機抖動/確定性抖動、寄生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時間、AGC(自動增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。 克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室 地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) DDR測試信號問題排查；PCI-E測試DDR測試價格優(yōu)惠DDR5具備如下幾個特點：·更高的數(shù)據(jù)速率·DDR5比較...

對于DDR源同步操作，必然要求DQS選通信號與DQ數(shù)據(jù)信號有一定建立時間tDS和保持時間tDH要求，否則會導(dǎo)致接收鎖存信號錯誤，DDR4信號速率達(dá)到了，單一比特位寬為，時序裕度也變得越來越小，傳統(tǒng)的測量時序的方式在短時間內(nèi)的采集并找到tDS/tDH差值，無法大概率體現(xiàn)由于ISI等確定性抖動帶來的對時序惡化的貢獻(xiàn)，也很難準(zhǔn)確反映隨機抖動Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動因素，基于雙狄拉克模型分解抖動和噪聲的隨機性和確定性成分，外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協(xié)會在規(guī)范中明確了在DDR4中測試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓，確保滿足在Vcent周圍Tdivw時...

DDR測試 內(nèi)存條測試對內(nèi)存條測試的要求是千差萬別的。DDR內(nèi)存條的制造商假定已經(jīng)進(jìn)行過芯片級半導(dǎo)體故障的測試，因而他們的測試也就集中在功能執(zhí)行和組裝錯誤方面。通過采用DDR雙列直插內(nèi)存條和小型雙列直插內(nèi)存條，可以有三種不同內(nèi)存條測試儀方案：雙循環(huán)DDR讀取測試。這恐怕是簡單的測試儀方案。大多數(shù)的測試儀公司一般對他們現(xiàn)有的SDR測試儀作一些很小的改動就將它們作為DDR測試儀推出。SDR測試儀的寫方式是將同一數(shù)據(jù)寫在連續(xù)排列的二個位上。在讀取過程中，SDR測試儀能首先讀DDR內(nèi)存條的奇數(shù)位數(shù)據(jù)。然后，通過將數(shù)據(jù)鎖存平移半個時鐘周期，由第二循環(huán)讀偶數(shù)位。這使得測試儀能完全訪問DDR內(nèi)存單...

DDR測試 在進(jìn)行接收容限測試時，需要用到多通道的誤碼儀產(chǎn)生帶壓力的DQ、DQS等信號。測試中被測件工作在環(huán)回模式，DQ引腳接收的數(shù)據(jù)經(jīng)被測件轉(zhuǎn)發(fā)并通過LBD引腳輸出到誤碼儀的誤碼檢測端口。在測試前需要用示波器對誤碼儀輸出的信號進(jìn)行校準(zhǔn)，如DQS與DQ的時延校準(zhǔn)、信號幅度校準(zhǔn)、DCD與RJ抖動校準(zhǔn)、壓力眼校準(zhǔn)、均衡校準(zhǔn)等。圖5.21展示了一整套DDR5接收端容限測試的環(huán)境。 克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室 地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 不同種類的DDR協(xié)議測試探頭；測試服務(wù)DDR測試價格優(yōu)惠6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信...

這里有三種方案進(jìn)行對比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達(dá)362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。 由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時延方面顯得尤為重要。 DDR信號質(zhì)量自動測試軟件；數(shù)字信號DDR測試測試流程 DDR...

DDR測試 DDR5的接收端容限測試 前面我們在介紹USB3.0、PCIe等高速串行總線的測試時提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測試以驗證接收均衡器和CDR在惡劣信號下的表現(xiàn)。對于DDR來說，DDR4及之前的總線接收端還相對比較簡單，只是做一些匹配、時延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時代(圖5.19),由于信號速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變增益調(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測試中不曾涉及的。 DDR3規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義；機械DDR測試修理 DDR測...

對于DDR2-800，這所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都適用，只是有少許的差別。然而，也是知道的，菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)被證明在SI方面是具有優(yōu)勢的。對于超過兩片的SDRAM，通常，是根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設(shè)計的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，只有A和D是適合4層板的PCB設(shè)計。然而，對于DDR2-800，所列的這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都能滿足其波形的完整性，而在DDR3的設(shè)計中，特別是在1600Mbps時，則只有D是滿足設(shè)計的。DDR工作原理與時序問題；天津機械DDR測試DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM(StaticRAM)和動態(tài)隨機存儲器...

這里有三種方案進(jìn)行對比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達(dá)362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。 由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時延方面顯得尤為重要。 DDR2總線上的信號波形；江蘇DDR測試修理 DDR測試 ...

如何測試DDR？ DDR測試有具有不同要求的兩個方面：芯片級測試DDR芯片測試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測試儀通常是內(nèi)存自動測試設(shè)備，其價值一般在數(shù)百萬美元以上。測試儀的部分是一臺可編程的高分辨信號發(fā)生器。測試工程師通過編程來模擬實際工作環(huán)境；另外，他也可以對計時脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來尋找平衡點。自動測試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機內(nèi)存深度的局限性，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因為DDR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此，測試儀的映象隨機內(nèi)存容量會很快被消耗殆盡。為...

DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來智能手機、智能電視、AI技術(shù)的風(fēng)起云涌，人們對容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計算機存儲器的需求不斷提高，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場的需求和技術(shù)的升級推陳出新。目前，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進(jìn)到了DDR5了，但市場上對經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測試痛點測試和驗證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存，客戶一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳；如何探測和驗證突發(fā)的讀寫脈沖信號；配置測試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測試。DDR4信號質(zhì)量測試 DDR4-DRAM的工作原理分析；江蘇DDR測試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)DDR5發(fā)送端測試隨著信號速...

4.時延匹配在做到時延的匹配時，往往會在布線時采用trombone方式走線，另外，在布線時難免會有切換板層的時候，此時就會添加一些過孔。不幸的是，但所有這些彎曲的走線和帶過孔的走線，將它們拉直變?yōu)榈乳L度理想走線時，此時它們的時延是不等的， 顯然，上面講到的trombone方式在時延方面同直走線的不對等是很好理解的，而帶過孔的走線就更加明顯了。在中心線長度對等的情況下，trombone走線的時延比直走線的實際延時是要來的小的，而對于帶有過孔的走線，時延是要來的大的。這種時延的產(chǎn)生，這里有兩種方法去解決它。一種方法是，只需要在EDA工具里進(jìn)行精確的時延匹配計算，然后控制走線的長度就可以了...

一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明涉及計算機測試技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)。背景技術(shù)：2.為保證服務(wù)器的平穩(wěn)運行以及服務(wù)器ddr4內(nèi)存的完好使用，測量服務(wù)器內(nèi)存的信號完整性是否符合標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成了服務(wù)器研發(fā)過程中必不可少的重要流程。目前服務(wù)器主流都是適用ddr4內(nèi)存，為了保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，ddr4鏈路的測試對服務(wù)器存儲性能評估有著至關(guān)重要的影響。3.目前服務(wù)器ddr4信號的測試無法進(jìn)行正常工作狀態(tài)的讀寫分離，只能利用主控芯片進(jìn)行讀寫命令來進(jìn)行相應(yīng)讀或?qū)懙臏y試，效率較低且不能完全反映正常工作狀態(tài)下的波形，在信號完整性測試上有比較...

克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng)，以成為高數(shù)信號傳輸測試界的帶頭者為奮斗目標(biāo)。 克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室重心團隊成員從業(yè)測試領(lǐng)域10年以上。實驗室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、誤碼儀、協(xié)議分析儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及附件，使用PCIE/USB-IF/WILDER等行業(yè)指定品牌夾具。堅持以專業(yè)的技術(shù)人員，嚴(yán)格按照行業(yè)測試規(guī)范，配備高性能的權(quán)能測試設(shè)備，提供給客戶更精細(xì)更權(quán)能的全方面的專業(yè)服務(wù)。 克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室提供具深度的專業(yè)知識及一系列認(rèn)證測試、預(yù)認(rèn)證測試及錯誤排除信號完整性測試、多端口矩陣測試、HDMI...

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當(dāng)未符合此容差要求時，將會導(dǎo)致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數(shù)據(jù)抖動和串?dāng)_。這里，可以很好的理解與去偶相關(guān)的理論，現(xiàn)在從”目標(biāo)阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關(guān)鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網(wǎng)絡(luò)必須確保它的阻抗等于或小于目標(biāo)阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構(gòu)成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在...

DDR測試 測試軟件運行后，示波器會自動設(shè)置時基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測量并匯總成一個測試報告，測試報告中列出了測試的項目、是否通過、spec的要求、實測值、margin等。圖5.17是自動測試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測量的一個例子。信號質(zhì)量的測試還可以輔助用戶進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能，用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻，并分析對信號質(zhì)量的影響。除了一致性測試以外，DDR測試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個關(guān)鍵參數(shù)測試失敗后，可以針對這個參數(shù)進(jìn)行Debug。此時，測試軟件會捕獲、存儲一段時間的波...