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DDR規(guī)范沒有定義模板，這給用眼圖方式分析信號(hào)時(shí)判斷信號(hào)是否滿足規(guī)范要求帶來挑戰(zhàn)。有基于JEDEC規(guī)范定義的，ds、，dh、-H(ac)min和rIL(ac)max參數(shù),得出的DDR2533寫眼圖的模板，中間的區(qū)域就是模板，中間的線是DQS的有效邊沿即有效的上升沿或下降沿。嚴(yán)格按規(guī)范來說的話，中間的模板應(yīng)該定義為橫著的梯形，因?yàn)楸３謺r(shí)間是相對(duì)于DC參數(shù)的，不過用長方形可以定義一個(gè)更嚴(yán)格的參數(shù)要求。 DDR總線一致性測(cè)試對(duì)示波器帶寬的要求 因?yàn)镴edec規(guī)范沒有給岀DDR具體的快的上升、下降時(shí)間，通過預(yù)估的方式可以得岀 快的邊沿時(shí)間，但是往往比實(shí)際要快，是基于實(shí)際PCB板材的情況...

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性 對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì)，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào)，也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào)，接收器能接受和判別什么樣的信號(hào)，用術(shù)語講，就是信號(hào)的DC和AC特性要求。 在DDR規(guī)范文件JEDEC79R2.pdf的第51頁[TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDCOPERATINGCONDITIONS]中對(duì)DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5V+0.2V，Vref=+1.25V±0.05V，VTT=Vref±0.04V. 在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中，除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外，還需要對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)...

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 DDR SDRAM即我們通常所說的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前 DDR4已經(jīng)成為市場的主流，DDR5也開始進(jìn)入市場。對(duì)于DDR總線來說，我們通常說的 速率是指其數(shù)據(jù)線上信號(hào)的快跳變速率。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是 1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線 上會(huì)有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等，因此其實(shí)際的總線傳輸速率 達(dá)不到這個(gè)理想值。 DDR3信號(hào)質(zhì)量測(cè)試,信號(hào)一致性測(cè)試。湖北DDR一致性測(cè)試聯(lián)系方式 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊(cè)，ApplicationN...

DDR規(guī)范沒有定義模板，這給用眼圖方式分析信號(hào)時(shí)判斷信號(hào)是否滿足規(guī)范要求帶來挑戰(zhàn)。有基于JEDEC規(guī)范定義的，ds、，dh、-H(ac)min和rIL(ac)max參數(shù),得出的DDR2533寫眼圖的模板，中間的區(qū)域就是模板，中間的線是DQS的有效邊沿即有效的上升沿或下降沿。嚴(yán)格按規(guī)范來說的話，中間的模板應(yīng)該定義為橫著的梯形，因?yàn)楸３謺r(shí)間是相對(duì)于DC參數(shù)的，不過用長方形可以定義一個(gè)更嚴(yán)格的參數(shù)要求。 DDR總線一致性測(cè)試對(duì)示波器帶寬的要求 因?yàn)镴edec規(guī)范沒有給岀DDR具體的快的上升、下降時(shí)間，通過預(yù)估的方式可以得岀 快的邊沿時(shí)間，但是往往比實(shí)際要快，是基于實(shí)際PCB板材的情況...

如果PCB的密度較高，有可能期望測(cè)量的引腳附近根本找不到合適的過孔(比如采用雙面BGA貼裝或采用盲埋孔的PCB設(shè)計(jì)時(shí)),這時(shí)就需要有合適的手段把關(guān)心的BGA引腳上的信號(hào)盡可能無失真地引出來。為了解決這種探測(cè)的難題，可以使用一種專門的BGAInterposer(BGA芯片轉(zhuǎn)接板，有時(shí)也稱為BGA探頭)。這是一個(gè)專門設(shè)計(jì)的適配器，使用時(shí)要把適配器焊接在DDR的內(nèi)存顆粒和PCB板中間，并通過轉(zhuǎn)接板周邊的焊盤把被測(cè)信號(hào)引出。BGA轉(zhuǎn)接板內(nèi)部有專門的埋阻電路設(shè)計(jì)，以盡可能減小信號(hào)分叉對(duì)信號(hào)的影響。一個(gè)DDR的BGA探頭的典型使用場景。DDR3信號(hào)質(zhì)量測(cè)試,信號(hào)一致性測(cè)試。遼寧信號(hào)完整性測(cè)試DDR一致性測(cè)...

(2)根據(jù)讀/寫信號(hào)的幅度不同進(jìn)行分離。如果PCB走線長度比較 長，在不同位置測(cè)試時(shí)可能讀/寫信號(hào)的幅度不太一樣，可以基于幅度進(jìn)行觸發(fā)分離。但是 這種方法對(duì)于走線長度不長或者讀/寫信號(hào)幅度差別不大的場合不太適用。 (3)根據(jù)RAS、CAS、CS、WE等控制信號(hào)進(jìn)行分離。這種方法使用控制信號(hào)的讀/寫 來判決當(dāng)前的讀寫指令，是可靠的方法。但是由于要同時(shí)連接多個(gè)控制信號(hào)以及Clk、 DQS、DQ等信號(hào)，要求示波器的通道數(shù)多于4個(gè)，只有帶數(shù)字通道的混合信號(hào)示波器才能 滿足要求，而且數(shù)字通道的采樣率也要比較高。圖5.11是用帶高速數(shù)字通道的示波器觸發(fā) 并采集到的DDR信號(hào)波形。 DDR4...

DDR總線一致性測(cè)試 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線一致性測(cè)量概述 高速數(shù)字系統(tǒng)使用了各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線，對(duì)這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線進(jìn)行規(guī)范一致性測(cè)量是確 保系統(tǒng)工作穩(wěn)定和可靠的關(guān)鍵點(diǎn)之一?！耙恢滦浴笔菍?duì)英文單詞“Compliance”的中文解釋， 美國把按工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范進(jìn)行的電氣參數(shù)測(cè)量叫作一致性測(cè)量。 測(cè)試這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線，完整和可靠的測(cè)試方案是非常重要的。完整的測(cè)試方案不僅保證測(cè)試準(zhǔn)確度，還可以大量節(jié)省測(cè)試時(shí)間，提高工作效率。 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線完整的測(cè)試方案一般包括幾部分：測(cè)試夾具；探頭和附件；自動(dòng)測(cè)試軟件;測(cè)試儀器。 用于 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 調(diào)試和驗(yàn)證的總線解碼器。青海D...

前面介紹過，JEDEC規(guī)范定義的DDR信號(hào)的要求是針對(duì)DDR顆粒的引腳上的，但 是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測(cè)試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方 式，其測(cè)試到的信號(hào)與芯片引腳處的信號(hào)也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳 處的信號(hào)質(zhì)量， 一種常用的方法是在示波器中對(duì)PCB走線和測(cè)試夾具的影響進(jìn)行軟件的 去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個(gè)鏈路上各部分的S參數(shù)模型 文件(通常通過仿真或者實(shí)測(cè)得到),并根據(jù)實(shí)際測(cè)試點(diǎn)和期望觀察到的點(diǎn)之間的傳輸函數(shù)， 來計(jì)算期望位置處的信號(hào)波形，再對(duì)這個(gè)信號(hào)做進(jìn)一步的波形參數(shù)測(cè)量和統(tǒng)計(jì)。展示了典型的DDR4和DDR5信號(hào)...

通常測(cè)量眼圖很有效的一種方法就是使用示波器的眼圖測(cè)量功能，即用時(shí)鐘做觸發(fā)對(duì)數(shù) 據(jù)信號(hào)進(jìn)行累積，看累積結(jié)果的差情況是否在可以容許的范圍內(nèi)。但遺憾的是，想用這種 方法直接測(cè)量DDR的信號(hào)質(zhì)量非常困難，因?yàn)镈DR信號(hào)讀寫時(shí)序是不一樣的。 可以看到，寫數(shù)據(jù)(DQ)的跳變位置對(duì)應(yīng)著鎖存信號(hào)(DQS)的中心，而 讀數(shù)據(jù)的跳變位置卻對(duì)應(yīng)著鎖存信號(hào)的邊沿，而且在總線上還有三態(tài)，因此如果直接用DQS 觸發(fā)對(duì)DQ累積進(jìn)行眼圖測(cè)量的話，會(huì)得到的結(jié)果。 擴(kuò)展 DDR4 和 LPDDR4 合規(guī)性測(cè)試軟件的功能。北京DDR一致性測(cè)試聯(lián)系方式 DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性 對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)...

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性 對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì)，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào)，也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào)，接收器能接受和判別什么樣的信號(hào)，用術(shù)語講，就是信號(hào)的DC和AC特性要求。 在DDR規(guī)范文件JEDEC79R2.pdf的第51頁[TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDCOPERATINGCONDITIONS]中對(duì)DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5V+0.2V，Vref=+1.25V±0.05V，VTT=Vref±0.04V. 在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中，除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外，還需要對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)...

DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)過程，以及將實(shí)際的設(shè)計(jì)需求和DDR規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合，我們以一個(gè)實(shí)際的設(shè)計(jì)分析實(shí)例來說明，如何在一個(gè)DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，解讀并使用DDR規(guī)范中的參數(shù)，應(yīng)用到實(shí)際的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。某項(xiàng)目中，對(duì)DDR系統(tǒng)的功能模塊細(xì)化框圖。在這個(gè)系統(tǒng)中，對(duì)DDR的設(shè)計(jì)需求如下。 整個(gè)DDR功能模塊由四個(gè)512MB的DDR芯片組成，選用Micron的DDR存諸芯片MT46V64M8BN-75。每個(gè)DDR芯片是8位數(shù)據(jù)寬度，構(gòu)成32位寬的2GBDDR存諸單元，地址空間為Add<13..0>，分四個(gè)Bank，尋址信號(hào)為BA<1..0>。 DDR4 和 LPDDR4 一致性測(cè)試應(yīng)用軟件提供了多種...

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性 對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì)，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào)，也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào)，接收器能接受和判別什么樣的信號(hào)，用術(shù)語講，就是信號(hào)的DC和AC特性要求。 在DDR規(guī)范文件JEDEC79R2.pdf的第51頁[TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDCOPERATINGCONDITIONS]中對(duì)DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5V+0.2V，Vref=+1.25V±0.05V，VTT=Vref±0.04V. 在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中，除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外，還需要對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)...

DDR總線上需要測(cè)試的參數(shù)高達(dá)上百個(gè)，而且還需要根據(jù)信號(hào)斜率進(jìn)行復(fù)雜的查表修 正。為了提高DDR信號(hào)質(zhì)量測(cè)試的效率，比較好使用御用的測(cè)試軟件進(jìn)行測(cè)試。使用自動(dòng) 測(cè)試軟件的優(yōu)點(diǎn)是：自動(dòng)化的設(shè)置向?qū)П苊膺B接和設(shè)置錯(cuò)誤；優(yōu)化的算法可以減少測(cè)試時(shí) 間；可以測(cè)試JEDEC規(guī)定的速率，也可以測(cè)試用戶自定義的數(shù)據(jù)速率；自動(dòng)讀/寫分離技 術(shù)簡化了測(cè)試操作；能夠多次測(cè)量并給出一個(gè)統(tǒng)計(jì)的結(jié)果；能夠根據(jù)信號(hào)斜率自動(dòng)計(jì)算建 立/保持時(shí)間的修正值。DDR4 和 LPDDR4 一致性測(cè)試軟件。浙江DDR一致性測(cè)試配件制定DDR 內(nèi)存規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)化組織是JEDEC(Joint Electron Device Engineer...

DDR總線上需要測(cè)試的參數(shù)高達(dá)上百個(gè)，而且還需要根據(jù)信號(hào)斜率進(jìn)行復(fù)雜的查表修 正。為了提高DDR信號(hào)質(zhì)量測(cè)試的效率，比較好使用御用的測(cè)試軟件進(jìn)行測(cè)試。使用自動(dòng) 測(cè)試軟件的優(yōu)點(diǎn)是：自動(dòng)化的設(shè)置向?qū)П苊膺B接和設(shè)置錯(cuò)誤；優(yōu)化的算法可以減少測(cè)試時(shí) 間；可以測(cè)試JEDEC規(guī)定的速率，也可以測(cè)試用戶自定義的數(shù)據(jù)速率；自動(dòng)讀/寫分離技 術(shù)簡化了測(cè)試操作；能夠多次測(cè)量并給出一個(gè)統(tǒng)計(jì)的結(jié)果；能夠根據(jù)信號(hào)斜率自動(dòng)計(jì)算建 立/保持時(shí)間的修正值。DDR數(shù)據(jù)總線的一致性測(cè)試。海南信息化DDR一致性測(cè)試我們看到，在用通用方法進(jìn)行的眼圖測(cè)試中，由于信號(hào)的讀寫和三態(tài)都混在一起，因此很難對(duì)信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。要進(jìn)行信號(hào)的評(píng)估，第...

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性 對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì)，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào)，也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào)，接收器能接受和判別什么樣的信號(hào)，用術(shù)語講，就是信號(hào)的DC和AC特性要求。 在DDR規(guī)范文件JEDEC79R2.pdf的第51頁[TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDCOPERATINGCONDITIONS]中對(duì)DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5V+0.2V，Vref=+1.25V±0.05V，VTT=Vref±0.04V. 在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中，除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外，還需要對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)...

需要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以 DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定 了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求，因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信 號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來說，不同控制器芯片廠商有不同的要 求，目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在 內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn)，并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。DDR2 3 4物理層一致性測(cè)試；遼寧DDR一致性測(cè)試維修D(zhuǎn)DR總線上需要測(cè)試的參數(shù)高達(dá)上百個(gè)，而且還需要根據(jù)信號(hào)斜率進(jìn)行復(fù)雜...

由于讀/寫時(shí)序不一樣造成的另一個(gè)問題是眼圖的測(cè)量。在DDR3及之前的規(guī)范中沒 有要求進(jìn)行眼圖測(cè)試，但是很多時(shí)候眼圖測(cè)試是一種快速、直觀衡量信號(hào)質(zhì)量的方法，所以 許多用戶希望通過眼圖來評(píng)估信號(hào)質(zhì)量。而對(duì)于DDR4的信號(hào)來說，由于時(shí)間和幅度的余量更小，必須考慮隨機(jī)抖動(dòng)和隨機(jī)噪聲帶來的誤碼率的影響，而不是做簡單的建立/保 持時(shí)間的測(cè)量。因此在DDR4的測(cè)試要求中，就需要像很多高速串行總線一樣對(duì)信號(hào)疊加 生成眼圖，并根據(jù)誤碼率要求進(jìn)行隨機(jī)成分的外推，然后與要求的小信號(hào)張開窗口(類似 模板)進(jìn)行比較。圖5 . 8是DDR4規(guī)范中建議的眼圖張開窗口的測(cè)量方法(參考資料： JEDEC STAN...

大部分的DRAM都是在一個(gè)同步時(shí)鐘的控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時(shí)鐘采樣方式的不同，又分為SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR SDRAM只在時(shí)鐘的上升或者下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時(shí)鐘的上升和下降 沿都會(huì)進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對(duì)于時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)是一樣的。用于 DDR、DDR...

DDR時(shí)鐘總線的一致性測(cè)試 DDR總線參考時(shí)鐘或時(shí)鐘總線的測(cè)試變得越來越復(fù)雜，主要測(cè)試內(nèi)容可以分為兩方面：波形參數(shù)和抖動(dòng)。波形參數(shù)主要包括：Overshoot（過沖）；Undershoot（下沖）；SlewRate（斜率）；RiseTime（上升時(shí)間）和FallTime（下降時(shí)間）；高低時(shí)間；DutyCycle（占空比失真）等，測(cè)試較簡單，在此不再贅述。抖動(dòng)測(cè)試則越來越復(fù)雜，以前一般只是測(cè)試Cycle-CycleJitter（周期到周期抖動(dòng)），但是當(dāng)速率超過533MT/S的DDR2&3時(shí)，測(cè)試內(nèi)容相當(dāng)多，不可忽略。表7-15是DDR2667的規(guī)范參數(shù)。對(duì)這些抖動(dòng)參數(shù)的測(cè)試需要用軟件實(shí)...

相關(guān)器件的應(yīng)用手冊(cè)，ApplicationNote:在這個(gè)文檔中，廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議，甚至參考設(shè)計(jì)，有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊(cè)的一部分出現(xiàn)在器件手冊(cè)文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。 參考設(shè)計(jì)，ReferenceDesiqn:對(duì)于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì)，以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。 IBIS 文件:這個(gè)對(duì)高速設(shè)計(jì)而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過。 擴(kuò)展 DDR5 發(fā)射機(jī)合規(guī)性測(cè)試軟件的功能。貴州測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試 以上只是 一 些進(jìn)行DDR讀/寫信號(hào)分...

DDR5的接收端容限測(cè)試 前面我們?cè)诮榻BUSB3 . 0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過很多高速的串行總線 由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣 信 號(hào) 下 的 表 現(xiàn) 。 對(duì) 于 D D R 來 說 ， D D R 4 及 之 前 的 總 線 接 收 端 還 相 對(duì) 比 較 簡 單 ， 只 是 做 一 些 匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5 . 19),由于信號(hào)速率更高，因此接收端也 開 始 采 用 很 多 高 速 串 行 總 線 中 使 用 的 可 變 增 益 調(diào) 整 以 及 均 衡 器 技 術(shù) ， 這 也 使 得 ...

DDR總線一致性測(cè)試 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線一致性測(cè)量概述 高速數(shù)字系統(tǒng)使用了各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線，對(duì)這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線進(jìn)行規(guī)范一致性測(cè)量是確 保系統(tǒng)工作穩(wěn)定和可靠的關(guān)鍵點(diǎn)之一?！耙恢滦浴笔菍?duì)英文單詞“Compliance”的中文解釋， 美國把按工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范進(jìn)行的電氣參數(shù)測(cè)量叫作一致性測(cè)量。 測(cè)試這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線，完整和可靠的測(cè)試方案是非常重要的。完整的測(cè)試方案不僅保證測(cè)試準(zhǔn)確度，還可以大量節(jié)省測(cè)試時(shí)間，提高工作效率。 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線完整的測(cè)試方案一般包括幾部分：測(cè)試夾具；探頭和附件；自動(dòng)測(cè)試軟件;測(cè)試儀器。 DDR4 電氣一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。江西DDR一致性測(cè)試維修價(jià)格 軟件運(yùn)行...

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 DDR SDRAM即我們通常所說的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前 DDR4已經(jīng)成為市場的主流，DDR5也開始進(jìn)入市場。對(duì)于DDR總線來說，我們通常說的 速率是指其數(shù)據(jù)線上信號(hào)的快跳變速率。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是 1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線 上會(huì)有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等，因此其實(shí)際的總線傳輸速率 達(dá)不到這個(gè)理想值。 DDR4 電氣一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。安徽DDR一致性測(cè)試方案 測(cè)試軟件運(yùn)行后，示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)...

由于DDR4的數(shù)據(jù)速率會(huì)達(dá)到3.2GT/s以上，DDR5的數(shù)據(jù)速率更高，所以對(duì)邏輯分析儀的要求也要很高，需要狀態(tài)采樣時(shí)鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps 以上的數(shù)據(jù)速率?；诟咚龠壿嫹治鰞x的DDR4/5協(xié)議測(cè)試系統(tǒng)。圖中是通過 DIMM條的適配器夾具把上百路信號(hào)引到邏輯分析儀，相應(yīng)的適配器要經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試，確 保在其標(biāo)稱的速率下不會(huì)因?yàn)樾盘?hào)質(zhì)量問題對(duì)協(xié)議測(cè)試結(jié)果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號(hào)的采集和分析。完整的 DDR4調(diào)試、分析和一致性測(cè)試.青海眼圖測(cè)試DDR一致性測(cè)試 DDR簡介與信號(hào)和協(xié)議測(cè)試 DDR/LPDDR簡介 目前在計(jì)算機(jī)主...

為了針對(duì)復(fù)雜信號(hào)進(jìn)行更有效的讀/寫信號(hào)分離，現(xiàn)代的示波器還提供了很多高級(jí)的信號(hào) 分離功能，在DDR測(cè)試中常用的有圖形區(qū)域觸發(fā)的方法和基于建立/保持時(shí)間的觸發(fā)方法。 圖形區(qū)域觸發(fā)是指可以用屏幕上的特定區(qū)域(Zone)定義信號(hào)觸發(fā)條件。用 區(qū)域觸發(fā)功能對(duì)DDR的讀/寫信號(hào)分離的 一 個(gè)例子。用鎖存信號(hào)DQS信號(hào)觸發(fā)可以看到 兩種明顯不同的DQS波形， 一 種是讀時(shí)序的DQS波形，另 一 種是寫信號(hào)的DQS波形。打 開區(qū)域觸發(fā)功能后，通過在屏幕上的不同區(qū)域畫不同的方框，就可以把感興趣區(qū)域的DQS 波形保留下來，與之對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線DQ上的波形也就保留下來了。 DDR 設(shè)計(jì)、測(cè)試、驗(yàn)證和一致性測(cè)...

制定DDR 內(nèi)存規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)化組織是JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,)。按照J(rèn)EDEC組織的定義， DDR4 的比較高數(shù)據(jù)速率已經(jīng) 達(dá)到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數(shù)據(jù)速率則達(dá)到了6400MT/s以上。在2016年之 前，LPDDR的速率發(fā)展一直比同一代的DDR要慢一點(diǎn)。但是從LPDDR4開始，由于高性 能移動(dòng)終端的發(fā)展，LPDDR4的速率開始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在 2019年完成標(biāo)準(zhǔn)制定，并于2020年在的移動(dòng)終端上開始使用。DDR5的規(guī)范 (JESD79-5)于2020年發(fā)布，并在202...

以上只是 一 些進(jìn)行DDR讀/寫信號(hào)分離的常用方法，根據(jù)不同的信號(hào)情況可以做選 擇。對(duì)于DDR信號(hào)的 一 致性測(cè)試來說，用戶還可以選擇另外的方法，比如根據(jù)建立/保持 時(shí)間的不同進(jìn)行分離或者基于CA信號(hào)突發(fā)時(shí)延的方法(CA高接下來對(duì)應(yīng)讀操作，CA低 接下來對(duì)應(yīng)寫操作)等，甚至未來有可能采用一些機(jī)器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的方法對(duì) 讀/寫信號(hào)進(jìn)行判別。讀時(shí)序和寫時(shí)序波形分離出來以后，就可以方便地進(jìn)行波形參數(shù)或者 眼圖模板的測(cè)量。 克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 DDR 設(shè)計(jì)和測(cè)試解決方案；吉林DDR一致性測(cè)試聯(lián)系方式 DDR時(shí)鐘總線的一致性測(cè)試 DDR總線參考時(shí)鐘或...

如果PCB的密度較高，有可能期望測(cè)量的引腳附近根本找不到合適的過孔(比如采用雙面BGA貼裝或采用盲埋孔的PCB設(shè)計(jì)時(shí)),這時(shí)就需要有合適的手段把關(guān)心的BGA引腳上的信號(hào)盡可能無失真地引出來。為了解決這種探測(cè)的難題，可以使用一種專門的BGAInterposer(BGA芯片轉(zhuǎn)接板，有時(shí)也稱為BGA探頭)。這是一個(gè)專門設(shè)計(jì)的適配器，使用時(shí)要把適配器焊接在DDR的內(nèi)存顆粒和PCB板中間，并通過轉(zhuǎn)接板周邊的焊盤把被測(cè)信號(hào)引出。BGA轉(zhuǎn)接板內(nèi)部有專門的埋阻電路設(shè)計(jì)，以盡可能減小信號(hào)分叉對(duì)信號(hào)的影響。一個(gè)DDR的BGA探頭的典型使用場景。DDR時(shí)鐘總線的一致性測(cè)試。廣西電氣性能測(cè)試DDR一致性測(cè)試 相關(guān)器...

DDR地址、命令總線的一致性測(cè)試 DDR的地址、命令總線的信號(hào)完整性測(cè)試主要測(cè)試其波形和時(shí)序參數(shù)。地址總線An、 命令總線/RAS、/CAS、/WE、/CS需要測(cè)試的信號(hào)品質(zhì)主要包括：Vmax （最大電壓值）；Vmin （小電壓值）；Overshoot （過沖）和Undershoot （下沖）的持續(xù)時(shí)間的大值；Slew Rate （斜率）；Ringback （回溝）等。還需要測(cè)試相對(duì)于時(shí)鐘邊沿的Setup Time （建立時(shí)間）和Hold Time （保持時(shí)間）。建立時(shí)間和保持時(shí)間的定義如圖7.134所示，其中加為建立時(shí)間，如為 保持時(shí)間，針對(duì)DDR400,加和如為0.7ns。 ...

需要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以 DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定 了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求，因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信 號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來說，不同控制器芯片廠商有不同的要 求，目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在 內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn)，并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。DDR4 總線物理層仿真測(cè)試和協(xié)議層的測(cè)試方案；河南DDR一致性測(cè)試項(xiàng)目 (2)根據(jù)讀/寫信號(hào)的幅度不同進(jìn)行分離。如果PCB...