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企業(yè)商機-深圳安美斯科技有限公司
  • 中文資料BEILING貝嶺BL66A0242
    中文資料BEILING貝嶺BL66A0242

    BL0939是一款由上海貝嶺(Belling)公司生產(chǎn)的智能插座計量芯片。它是一款高度集成化的電能測量解決方案,適用于單相多功能電能表、智能插座、智能家電、電動自行車充電樁等應用。 BL0939芯片的主要功能和特點包括: 三路Sigma...

    2024-03-09
  • 中文資料BEILING貝嶺BLPO4N10-P/B
    中文資料BEILING貝嶺BLPO4N10-P/B

    BL13232ESO是一款由上海貝嶺生產(chǎn)的RS232接口芯片。這款芯片是專為RS232通信接口設計的,能夠?qū)崿F(xiàn)與RS232設備的通信。 以下是BL13232ESO的主要特點和規(guī)格: RS232接口:芯片支持RS232通信協(xié)議,使得設備能...

    2024-03-08
  • 代理分銷商BEILING貝嶺BL24C02A
    代理分銷商BEILING貝嶺BL24C02A

    BLM3401是一款由上海貝嶺(Belling)生產(chǎn)的功率MOSFET,屬于P溝道增強型功率MOSFET,其型號為BLM3401。該MOSFET具有VDS=30V、VGS=±20V、ID=4.2A和P=1.2W的特性,封裝規(guī)格為SOT23。 ...

    2024-03-08
  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5325E
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5325E

    WNM6001:單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET 產(chǎn)品描述: WNM6001是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的槽型技術(shù)和設計,以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和...

    2024-03-06
  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2167
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2167

    ESD9B5VL:單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述 ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應力影響。...

    2024-03-05
  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPMD2010
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WPMD2010

    ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD5451X可提供高達±30k...

    2024-03-05
  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPT2F30
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WPT2F30

    WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲(DPDT)CMOS模擬開關(guān),可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設計,如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。W...

    2024-03-04
  • 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATHD1-4/TR
    中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATHD1-4/TR

    WNM2016A:N溝道增強型MOSFET場效應晶體管 產(chǎn)品描述: WNM2016A它采用先進的溝槽技術(shù)和設計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型...

    2024-03-04
  • 中文資料WILLSEMI韋爾WNM2091A
    中文資料WILLSEMI韋爾WNM2091A

    ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應...

    2024-03-03
  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56201D10
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56201D10

    WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管,利用先進的溝槽和電荷控制設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負載開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性: ...

    2024-03-02
  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD63124D
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD63124D

    BL1551B是一款模擬開關(guān),具體地說:它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲(SPDT)模擬開關(guān)。這種開關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號的切換。 以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢: 高帶寬:BL1551B具有高達350MHz的帶寬,這使得...

    2024-03-02
  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56161D05
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56161D05

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器,具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了經(jīng)濟高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護,還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。 產(chǎn)...

    2024-03-01
  • 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATRL0-4/TR
    中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATRL0-4/TR

    ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述: ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD...

    2024-03-01
  • 中文資料WILLSEMI韋爾WNM3061
    中文資料WILLSEMI韋爾WNM3061

    BL1551B是一款模擬開關(guān),具體地說:它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲(SPDT)模擬開關(guān)。這種開關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號的切換。 以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢: 高帶寬:BL1551B具有高達350MHz的帶寬,這使得...

    2024-03-01
  • 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5682E24
    中文資料WILLSEMI韋爾ESD5682E24

    WPM1481:單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產(chǎn)品描述: WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)...

    2024-03-01
  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2836D
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2836D

    WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管,利用先進的溝槽和電荷控制設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負載開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性: ...

    2024-02-29
  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3052
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3052

    WAS4729QB:低導通電阻(0.8?)雙SPDT模擬開關(guān),具有負擺幅音頻功能 產(chǎn)品描述: WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲(SPDT)模擬開關(guān),具有負擺幅音頻功能,其典型導通電阻Ron為0.8?(在3.6VVCC下)。該開...

    2024-02-29
  • 中文資料WILLSEMI韋爾WPM2006
    中文資料WILLSEMI韋爾WPM2006

    ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低...

    2024-02-29
  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WSB5568N
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WSB5568N

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各...

    2024-02-29
  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM2077
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM2077

    WS4601是一款具有極低導通電阻的P-MOSFET高側(cè)開關(guān)。集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護電源。WS4601還集成了反向保護功能,當設備關(guān)閉時,可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設備關(guān)閉時,輸出自動放電,...

    2024-02-29
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