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常見到的是發(fā)紅光、綠光或黃光的發(fā)光二極管，翠綠色是人眼感覺較舒服的顏色，所以發(fā)翠綠光的發(fā)光二極管使用的較多，同時(shí)價(jià)格也就較便宜，比如手機(jī)上的按鍵燈顏色大多是翠綠色的。每種顏色的發(fā)光二極管內(nèi)阻是不同的，這就造成了同樣電壓和電流情況下，發(fā)出的光線強(qiáng)度不同，比如電路...

對(duì)于PNP型三極管，分析方法類似，不同的地方就是電流方向跟NPN的剛好相反，因此發(fā)射極上面那個(gè)箭頭方向也反了過來。電阻R1基極偏置用,電阻R2有限流作用,也是三極管集電極的負(fù)載電阻。發(fā)光二極管D指示作用,三極管T開關(guān)作用,電池E供電。三極管可以看成是2個(gè)PN結(jié)...

下面對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)...

場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場(chǎng)...

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用，由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇，當(dāng)V8V存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當(dāng)V8V為低時(shí)，VSIN由8V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟，...

三極管的應(yīng)用領(lǐng)域，三極管作為一種重要的電子器件，普遍應(yīng)用于電子工業(yè)、電力系統(tǒng)、通訊系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域。它可以被用作信號(hào)放大器、開關(guān)、振蕩器、調(diào)制器等電路中。在電子工程師的日常工作中，三極管也是非常重要的組成部分。本文介紹了三極管的定義、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。...

對(duì)于開關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話，相對(duì)延時(shí)太多，且...

發(fā)光二極管，施加正向偏置，可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。激光二極管，當(dāng)LED產(chǎn)生的光是帶寬極窄的同調(diào)光（Coherent Light）時(shí)，則稱為激光二極管。光電二極管，光線射入PN結(jié)，P區(qū)空穴、N區(qū)...

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管，VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不只繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐...

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體...

Zener二極管：Zener二極管是一種具有特殊穩(wěn)壓特性的二極管，可以在一定范圍內(nèi)穩(wěn)定地維持電壓輸出，普遍應(yīng)用于電源穩(wěn)壓器、電路保護(hù)器等領(lǐng)域?？傊O管在電子領(lǐng)域中應(yīng)用非常普遍，不同類型的二極管在不同的電路中都有不同的作用和功能。肖特基二極管： 基本原理是在...

二極管是否損壞如何判斷：?jiǎn)呜?fù)導(dǎo)電性能的檢測(cè)及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向...

二極管是否損壞如何判斷：反向擊穿電壓的檢測(cè)，二極管反向擊穿電壓（耐壓值）可以用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表測(cè)量。其方法是：測(cè)量二極管時(shí)，應(yīng)將測(cè)試表的“NPN/PNP”選擇鍵設(shè)置為NPN狀態(tài)，再將被測(cè)二極管的正極接測(cè)試表的“C”插孔內(nèi)，負(fù)極插入測(cè)試表的“e”插孔，然后按...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NM...

MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在...

三極管的起源，1947年12月23日，巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士發(fā)現(xiàn)，在他們發(fā)明的器件中通過的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流，因而產(chǎn)生了放大效應(yīng)，這個(gè)器件就叫晶體管。三極管的發(fā)展沿革，在晶體管電子流出端的襯底外，沉積一層對(duì)應(yīng)材料，...

什么是三極管，三極管，不管是在模電還是數(shù)電中都是常見的電子器件，利用它的特性，在模電中通常作放大作用，而在數(shù)電中則作開關(guān)或者邏輯轉(zhuǎn)換。三極管的主要結(jié)構(gòu)是PN結(jié)，可以是NPN組合，也可以是PNP組合。三極管較基本的作用是放大，把微弱的電信號(hào)放大成一定強(qiáng)度的信號(hào)，...

二極管是否損壞如何判斷：反向擊穿電壓的檢測(cè)，二極管反向擊穿電壓（耐壓值）可以用晶體管直流參數(shù)測(cè)試表測(cè)量。其方法是：測(cè)量二極管時(shí)，應(yīng)將測(cè)試表的“NPN/PNP”選擇鍵設(shè)置為NPN狀態(tài)，再將被測(cè)二極管的正極接測(cè)試表的“C”插孔內(nèi)，負(fù)極插入測(cè)試表的“e”插孔，然后按...

如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào)，一個(gè)工程師可能說，"PMOS Vt從0.6V...

二極管的分類：一、按半導(dǎo)體材料分類，二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。二、按封裝形式分類，二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無引線圓柱形二極管...

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通，在漏——源極...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開啟電壓 UGSTH時(shí)，MOS 不導(dǎo)通?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū)：UDS 變化，I_DID 變化很小。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時(shí)，MOS 被擊穿，I_DID 突然增大，如果沒有限...

SOA失效的預(yù)防措施：1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2：將OCP功能一定要做精確細(xì)致。在進(jìn)行OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí)，一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電...

MOS管的工作原理，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。N...

印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了頭一個(gè)使用晶體檢測(cè)無線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發(fā)明了硅晶檢波器，并在...

對(duì)于開關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般取（400～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話，相對(duì)延時(shí)太多，且...

變?nèi)荻O管：變?nèi)荻O管英文名稱為Varactor Diodes，又稱可變電抗二極管，是利用PN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻O管的電容量一般較小，其較大值為幾十pF到幾百pF，較大電容與較小電容...

三極管的應(yīng)用：放大作用，三極管較主要的功能就是放大功能。通過控制輸入信號(hào)的大小，三極管可以對(duì)電流進(jìn)行放大，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的增強(qiáng)。其基于小電流控制大電流的原則，通過較小的基極電流IB來控制較大的集電極電流IC。當(dāng)基極電流IB有微小的變化時(shí)，會(huì)引發(fā)集電極電流IC和...

對(duì)于PNP型三極管，分析方法類似，不同的地方就是電流方向跟NPN的剛好相反，因此發(fā)射極上面那個(gè)箭頭方向也反了過來。電阻R1基極偏置用,電阻R2有限流作用,也是三極管集電極的負(fù)載電阻。發(fā)光二極管D指示作用,三極管T開關(guān)作用,電池E供電。三極管可以看成是2個(gè)PN結(jié)...

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子...