本發(fā)明屬于光電催化技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種sr摻雜batio3/znte光陰極材料的制備方法,可以實(shí)現(xiàn)znte光生載流子的定向分離,并加速界面co2還原反應(yīng)的活性。背景技術(shù):能源危機(jī)和溫室效應(yīng)是人類目前急需解決的關(guān)鍵科學(xué)難題,以太陽(yáng)能驅(qū)動(dòng)的co2還原為解決這些問(wèn)題提供了一個(gè)理想的途徑,該反應(yīng)綠色、**,條件溫和,吸引了多國(guó)和科研人員的目光。光電催化反應(yīng)技術(shù)整合光催化和電催化技術(shù)的優(yōu)勢(shì),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)co2還原更高的效率和更理想的選擇性。目前,光電催化co2還原的效率依然很低,太陽(yáng)能到化學(xué)能的轉(zhuǎn)化效率遠(yuǎn)低于工業(yè)應(yīng)用所需的10%效率,根本原因在于載流子復(fù)合嚴(yán)重,界面反應(yīng)動(dòng)力學(xué)緩慢。為了推進(jìn)光電催化co2還原技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用,關(guān)鍵是開發(fā)**載流子分離的光陰極材料。znte是一種可見光響應(yīng)的p型半導(dǎo)體(),其導(dǎo)帶邊電勢(shì)()遠(yuǎn)負(fù)于其它半導(dǎo)體,能克服co2還原的熱力學(xué)勢(shì)壘,是目前光(電)催化co2還原的理想材料。但是,單一znte光電極材料依然無(wú)法**分離光生載流子,大部分載流子在界面反應(yīng)發(fā)生之前復(fù)合損失。構(gòu)建半導(dǎo)體納米異質(zhì)結(jié)是分離光生載流子的通用途徑,但該方法往往需要兩個(gè)半導(dǎo)體之間的能帶匹配,且兩相界面需有利于載流子傳輸。這樣,很大地限制了半導(dǎo)體材料的選擇。因此。世華高硅光電二極管攜手暢享智能體驗(yàn)。廣州硅pin硅光電二極管哪家好
這樣的線路起到了光電控制作用。圖⑥(b)是暗通的光控線路,與圖⑥。a)相比電路中2CU與R-2-的位置對(duì)調(diào)了。當(dāng)有光照時(shí)2CU內(nèi)阻變小。它兩端的壓降減小,這樣使BG-1-截止,BG-2-也截止,繼電器觸點(diǎn)不吸合,當(dāng)無(wú)光照時(shí)2CU的內(nèi)阻增大。它兩端的壓降增大,使BG-1-導(dǎo)通,BG-2-也導(dǎo)通,繼電器觸點(diǎn)吸合。三、2DU型硅光電二極管在電路中的接法:我廠生產(chǎn)的2DU型硅光電二極管的前極、后極以及環(huán)極可按圖①。b)所示來(lái)分辨。2DU型硅光電二極管使用時(shí)電原理圖見圖⑦,2DU管的后極接電源的負(fù)極,環(huán)極接電源的正極,前極通過(guò)負(fù)載電阻R-L-接到電源的正極。有了R-L-使環(huán)極的電位比前極電位高,這樣表面漏電流從環(huán)極流出而不經(jīng)過(guò)前極,使前極暗電流減小,從而提高了管子的穩(wěn)定性。利用2DU型硅光電二極管組成的光控電路見圖⑧所示,電路原理同圖⑥(b),這里不再重述。硅光電二極管的選用如果我們把光電管用于一般的光電控制電路時(shí),在設(shè)備的體積許可條件下,可以盡量選用光照窗口面積大的管子,如選用2CU-1-,2CU-2-或2DUB等型的管子。2DUA和2CU3型硅光電二極管的體積較小,特別是2DUA類型的管子,外殼寬度只有2毫米。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司。福州光電硅光電二極管特性硅光電二極管具有體積小、功能多、壽命長(zhǎng)、精度高、響應(yīng)速度快-世華高。
當(dāng)反向工作電壓大于10伏時(shí),光電流基本上不隨反向電壓增加而增加,反映在平行曲線簇上就是平直那段(例如AB段)。由圖③清楚地看出在反向工作電壓大于10伏的條件下管子有較高的靈敏度。圖④表示在反向工作電壓大于10伏情況下,光電流與入射光強(qiáng)度的關(guān)系。從圖④看出在反向工作電壓大于10伏的條件下光電流隨入射光強(qiáng)度的變化基本上是線性的。上述這些,就是硅光電二極管的反向工作電壓必須大于10伏的原因所在。2.硅光電二極管的光電流、暗電流隨溫度的變化均有變化。在環(huán)境溫度0℃以上,反向工作電壓不變的條件下,環(huán)境溫度變化(25~30)℃時(shí),硅光電二極管的暗電流將變化10倍,光電流變化10%左右,所以在要求穩(wěn)定性高的電路中要考慮溫度補(bǔ)償?shù)膯?wèn)題。二、2CU型硅光電二極管在電路中接法:2CU型硅光電二極管在接入電路前先要按產(chǎn)品說(shuō)明書所述來(lái)分清“+”、“(-)”極。例如2CU-1-和2CU-2-型管子。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。
其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu),分布在中國(guó)、印度、泰國(guó)、伊朗、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。因此擴(kuò)散時(shí)間很短;從而實(shí)現(xiàn)硅基光電二極管高響應(yīng)度與高響應(yīng)速度同時(shí)提升。該結(jié)構(gòu)中,襯底材料107不用進(jìn)行背面處理,直接與金屬形成良好的歐姆接觸;外延層厚度取決于耗盡區(qū)寬度。進(jìn)一步的,所述外延層101的電阻率為500~1000ohm·cm,外延層101厚度wepi根據(jù)耗盡區(qū)寬度wd確定:wepi≈wd,而wd≥w入/2,其中w入=f(λ),w入為入射光入射深度,λ為入射光波長(zhǎng);所述的高反層109由折射率~~;高反層109上開設(shè)的刻蝕孔為矩陣排列的圓形孔,或者為同心環(huán)形孔。所述的刻蝕孔為均勻分布的圓形孔時(shí),孔直徑為10~50um,孔間距為15~50um,圓形孔的總面積為結(jié)面積的1/2;所述的刻蝕孔為同心環(huán)形孔時(shí),同心環(huán)中心與正面金屬電極106的中心重合,同心環(huán)中心為刻蝕區(qū),相鄰環(huán)間距5~20um。具體的,高反層109可以為多孔結(jié)構(gòu),可采用矩陣排列(比如采用正方形陣列排列)。世華高為你提供硅光電二極管解決方案。
本發(fā)明具有以下有益的技術(shù)效果:本發(fā)明提供的高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管,通過(guò)適當(dāng)減小耗盡區(qū)寬度和減小擴(kuò)散區(qū)電阻率,耗盡區(qū)寬度減小導(dǎo)致響應(yīng)度的降低,本發(fā)明通過(guò)增加高反層使得光子在耗盡區(qū)中二次吸收來(lái)補(bǔ)償;高反層的形成使得器件保持對(duì)長(zhǎng)波響應(yīng)度的同時(shí),降低響應(yīng)時(shí)間;由于擴(kuò)散區(qū)(耗盡區(qū)以外的區(qū)域)材料電阻率很低,擴(kuò)散區(qū)阻抗很小,因此擴(kuò)散時(shí)間很短;從而實(shí)現(xiàn)硅基光電二極管高響應(yīng)度與高響應(yīng)速度同時(shí)提升。本發(fā)明提供的高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管,由于通過(guò)低阻材料降低了擴(kuò)散區(qū)電阻,縮短了擴(kuò)散時(shí)間;而高反層的設(shè)置提高了長(zhǎng)波的吸收效率,降低了耗盡區(qū)的物理厚度,縮短了漂移時(shí)間,并且在其上開孔減小了擴(kuò)散區(qū)的阻抗;襯底采用低電阻率材料,背面不用進(jìn)行減薄注入,直接背面金屬化形成背面電極,避免了加工過(guò)程中碎片的情況。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖示意圖;圖2為本發(fā)明的等效電路示意圖;圖3為本發(fā)明的高反層原理示意圖;圖4為多孔結(jié)構(gòu)高反層的示意圖;圖5-1~圖5-7分別為本發(fā)明的逐層制備示意圖。圖6為本發(fā)明的硅基光電二極管的響應(yīng)度測(cè)試曲線;圖7為本發(fā)明的硅基光電二極管的頻率特性測(cè)試曲線。硅光電二極管供應(yīng)商就選世華高。福州濱松硅光電二極管型號(hào)
世華高硅光電二極管物體檢測(cè)效果很好,使用壽命也很長(zhǎng)。廣州硅pin硅光電二極管哪家好
其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu),分布在中國(guó)、印度、泰國(guó)、伊朗、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。實(shí)施例一一種sr摻雜batio3/znte光陰極材料的制備方法,具體步驟如下:稱取、,依次加入2ml乙酸、6ml乙醇和6ml水,攪拌一定時(shí)間,使固體粉末完全溶解;然后,加入,攪拌24h,得到紡絲溶液;移取7ml紡絲溶液到10ml注射器中,設(shè)置靜電紡絲工藝參數(shù):注射器推進(jìn)速度3mm/h,紡絲電壓18kv,接收距離8cm,滾筒轉(zhuǎn)速200r/min,在固定于滾筒上的fto玻璃上接收固化的復(fù)合纖維,150℃烘箱中干燥過(guò)夜,烘干后置于600℃馬弗爐中煅燒2h,熱分解后即可獲得sr摻雜batio3薄膜電極;配制30ml濃度為5mmol/l硝酸鋅、5mmol/l碲酸鈉和,攪拌均勻,轉(zhuǎn)入50ml水熱反應(yīng)釜中;將sr摻雜batio3薄膜電極放入反應(yīng)釜內(nèi),fto導(dǎo)電面朝下,密封水熱反應(yīng)釜,置于恒溫干燥箱中,160℃水熱反應(yīng)10h;反應(yīng)結(jié)束,取出fto電極,水洗3次,60℃下真空干燥8h;干燥后,將薄膜放入管式爐內(nèi),氮?dú)獗Wo(hù)條件下煅燒。廣州硅pin硅光電二極管哪家好