電池濕法設備Perc工藝，濕法制絨設備功能是去除切割損傷層和表面臟污2.使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率3.增加硅片表面積，進而PN結面積也響應增加。設備優(yōu)勢?采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。工藝槽采用經(jīng)典的內外槽循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法設備能改善電池表面微觀結構，提升硅片表面潔凈度，降低表面污染，從而提升電池轉化效率。電池濕法背拋清洗設備（Topcon工藝）慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離。廣州全自動濕法三頭

光伏電池濕法制絨設備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結構、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質量和效率。太陽能光伏濕法設備包括濕法制絨設備（Perc 工藝）、制絨設備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設備（Topcon工藝）、濕法制絨設備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設備（XBC工藝）、制絨清洗設備（XBC工藝）等深圳高效濕法設備Perc工藝光伏電池濕法制絨設備能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。

釜川高效六籃濕法制絨清洗設備在安全性方面，設備主要結構采用阻燃或不燃材料，確保安全可靠。進風離子風扇和去靜電環(huán)提供雙重保護，加熱部件則采用多重相異方式保護，從而明顯降低了安全風險。大功率工業(yè)熱水機可以加快配槽速度，通過優(yōu)化程序實現(xiàn)能耗平衡。階梯節(jié)水和新型工藝槽換熱進水加溫結構，有效降低了能耗，從而降低了電池生產(chǎn)成本。釜川生產(chǎn)制造的濕法設備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結構、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質量和效率。

濕法是一種化學反應過程，其中反應介質通常是液態(tài)。這些液體可以是水、有機溶劑或酸性/堿性溶液。濕法反應通常用于制備化學品、金屬提取和其他化學反應。在濕法反應中，反應介質的選擇取決于反應的性質和所需的產(chǎn)物。例如，水是一種常見的反應介質，因為它是一種普遍的溶劑，可以溶解許多化學物質。水還可以用作酸堿反應的介質，因為它可以作為質子或氫離子的來源。有機溶劑也是常見的反應介質，因為它們可以溶解許多有機化合物。有機溶劑還可以用于制備有機化合物，例如醇、酮和醛等。酸性/堿性溶液也是常見的反應介質，因為它們可以用于酸堿反應和中和反應。例如，硫酸可以用作酸性介質，用于制備硫酸鹽和其他化學品。氫氧化鈉可以用作堿性介質，用于制備氫氧化物和其他化學品?？傊?，反應介質的選擇取決于反應的性質和所需的產(chǎn)物。在濕法反應中，反應介質通常是液態(tài)，可以是水、有機溶劑或酸性/堿性溶液。濕法刻蝕設備（Perc 工藝）拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時。

濕法設備Topcon工藝，拋清洗設備，功能是去除背面BSG和拋光處理。閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構運動平穩(wěn)性。拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法RCA槽式清洗設備（Topcon工藝）采用閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構運動平穩(wěn)性。南京光伏濕法設備XBC工藝

電池濕法設備在制造過程中注重工藝流程的優(yōu)化和改進，不斷提高產(chǎn)品質量和性能。廣州全自動濕法三頭

電池濕法設備XBC工藝背拋清洗設備，功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢：進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內控溫精度誤差＜±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結面積也相應增加。廣州全自動濕法三頭