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安徽晶片濕法清洗設(shè)備

來源: 發(fā)布時間:2024-02-21

濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。閉環(huán)運(yùn)動控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動平穩(wěn)性。拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時,對背面作拋光處理。烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。光伏電池濕法制絨設(shè)備(Topcon工藝)能提高硅片對長波的吸收。安徽晶片濕法清洗設(shè)備

安徽晶片濕法清洗設(shè)備,濕法

濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。HJT濕法設(shè)備價格太陽能光伏電池濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)能去除切割硅片損傷層和表面臟污。

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專業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。

電池濕法設(shè)備的成本因設(shè)備規(guī)模、生產(chǎn)能力、設(shè)備品質(zhì)等因素而異。一般來說,電池濕法設(shè)備的成本包括設(shè)備本身的采購費(fèi)用、安裝調(diào)試費(fèi)用、運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用等。設(shè)備本身的采購費(fèi)用是影響成本的主要因素之一,一般來說,設(shè)備規(guī)模越大,生產(chǎn)能力越高,設(shè)備品質(zhì)越好,成本也就越高。此外,設(shè)備的運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用也是影響成本的重要因素之一,包括能源消耗、人工維護(hù)費(fèi)用、設(shè)備壽命等。因此,在選擇電池濕法設(shè)備時,需要綜合考慮設(shè)備的采購費(fèi)用、運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用等因素,以確保設(shè)備的成本合理、經(jīng)濟(jì)。電池濕法制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,槽內(nèi)控溫精度誤差<±1℃。

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濕法是一種化學(xué)反應(yīng)過程,其中反應(yīng)介質(zhì)通常是液態(tài)。這些液體可以是水、有機(jī)溶劑或酸性/堿性溶液。濕法反應(yīng)通常用于制備化學(xué)品、金屬提取和其他化學(xué)反應(yīng)。在濕法反應(yīng)中,反應(yīng)介質(zhì)的選擇取決于反應(yīng)的性質(zhì)和所需的產(chǎn)物。例如,水是一種常見的反應(yīng)介質(zhì),因?yàn)樗且环N普遍的溶劑,可以溶解許多化學(xué)物質(zhì)。水還可以用作酸堿反應(yīng)的介質(zhì),因?yàn)樗梢宰鳛橘|(zhì)子或氫離子的來源。有機(jī)溶劑也是常見的反應(yīng)介質(zhì),因?yàn)樗鼈兛梢匀芙庠S多有機(jī)化合物。有機(jī)溶劑還可以用于制備有機(jī)化合物,例如醇、酮和醛等。酸性/堿性溶液也是常見的反應(yīng)介質(zhì),因?yàn)樗鼈兛梢杂糜谒釅A反應(yīng)和中和反應(yīng)。例如,硫酸可以用作酸性介質(zhì),用于制備硫酸鹽和其他化學(xué)品。氫氧化鈉可以用作堿性介質(zhì),用于制備氫氧化物和其他化學(xué)品??傊磻?yīng)介質(zhì)的選擇取決于反應(yīng)的性質(zhì)和所需的產(chǎn)物。在濕法反應(yīng)中,反應(yīng)介質(zhì)通常是液態(tài),可以是水、有機(jī)溶劑或酸性/堿性溶液。電池濕法設(shè)備的生產(chǎn)流程環(huán)保節(jié)能,減少對環(huán)境的影響,實(shí)現(xiàn)綠色制造和可持續(xù)發(fā)展。浙江智能濕法設(shè)備Topcon工藝

電池濕法設(shè)備的生產(chǎn)過程中,需要進(jìn)行多次調(diào)試和優(yōu)化,提高生產(chǎn)效率和電池質(zhì)量。安徽晶片濕法清洗設(shè)備

光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。安徽晶片濕法清洗設(shè)備