開關(guān)二極管的勢壘電容一般極小，這就相當(dāng)于堵住了勢壘電容這條路，達(dá)到了在高頻條件下還可以保持好的單向?qū)щ娦缘男Чｉ_關(guān)二極管從截止(高阻狀態(tài))到導(dǎo)通(低阻狀態(tài))的時(shí)間叫開通時(shí)間；從導(dǎo)通到截止的時(shí)間叫反向恢復(fù)時(shí)間；兩個(gè)時(shí)間之和稱為開關(guān)時(shí)間。一般反向恢復(fù)時(shí)間大于開通時(shí)間，故在開關(guān)二極管的使用參數(shù)上只給出反向恢復(fù)時(shí)間。開關(guān)二極管的開關(guān)速度是相當(dāng)快的，像硅開關(guān)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間只有幾納秒，即使是鍺開關(guān)二極管，也不過幾百納秒。開關(guān)二極管具有開關(guān)速度快、體積小、壽命長、可靠性高等特點(diǎn)，普遍應(yīng)用于電子設(shè)備的開關(guān)電路、檢波電路、高頻和脈沖整流電路及自動(dòng)控制電路中。二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴Ｖ猩骄w二極管功率

二極管VD1溫度補(bǔ)償電路分析根據(jù)二極管VD1在電路中的位置，對(duì)它的工作原理分析思路主要說明下列幾點(diǎn)：（1）VD1的正極通過R1與直流工作電壓+V相連，而它的負(fù)極通過R2與地線相連，這樣VD1在直流工作電壓+V的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)。理解二極管導(dǎo)通的要點(diǎn)是：正極上電壓高于負(fù)極上電壓。（2）利用二極管導(dǎo)通后有一個(gè)0.6V管壓降來解釋電路中VD1的作用是行不通的，因?yàn)橥ㄟ^調(diào)整R1和R2的阻值大小可以達(dá)到VT1基極所需要的直流工作電壓，根本沒有必要通過串入二極管VD1來調(diào)整VT1基極電壓大小。嘉興普通二極管現(xiàn)貨發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。

二極管在20世紀(jì)20年代由熱離子二極管所取代。20世紀(jì)50年代，高純度的半導(dǎo)體材料出現(xiàn)。因?yàn)樾鲁霈F(xiàn)的鍺二極管價(jià)格便宜，晶體收音機(jī)重新開始被大規(guī)模使用。貝爾實(shí)驗(yàn)室還開發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀(jì)40年代中后期，美國電話電報(bào)公司在美國四處新建的微波塔上開始應(yīng)用這種微波接收器，主要用于傳輸電話和網(wǎng)絡(luò)電視信號(hào)。不過貝爾實(shí)驗(yàn)室并未研發(fā)出效果令人滿意的熱離子二極管微波接收器。之后隨著量子力學(xué)和半導(dǎo)體材料的發(fā)展和應(yīng)用，逐漸發(fā)展并形成了目前人們使用的半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)和配套的應(yīng)用產(chǎn)業(yè)。

二極管電路分析思路說明對(duì)電路中VD1和VD2作用分析的思路主要說明下列幾點(diǎn)：（1）從電路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6兩組二極管的電路結(jié)構(gòu)一樣，這兩組二極管在這一電路中所起的作用是相同的，所以只要分析其中一組二極管電路工作原理即可。（2）集成電路A1的①腳通過電阻R1與三極管VT1基極相連，顯然R1是信號(hào)傳輸電阻，將①腳上輸出信號(hào)通過R1加到VT1基極，由于在集成電路A1的①腳與三極管VT1基極之間沒有隔直電容，根據(jù)這一電路結(jié)構(gòu)可以判斷：集成電路A1的①腳是輸出信號(hào)引腳，而且輸出直流和交流的復(fù)合信號(hào)。確定集成電路A1的①腳是信號(hào)輸出引腳的目的是為了判斷二極管VD1在電路中的具體作用。恒流二極管被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的。

反向偏壓（Reverse Bias）在陽極側(cè)施加相對(duì)陰極負(fù)的電壓，就是反向偏置，所加電壓為逆向偏壓。這種情況下，因?yàn)镹型區(qū)域被注入電洞，P型區(qū)域被注入電子，兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的主要載流子都變?yōu)椴蛔悖虼私Y(jié)合部位的空乏層變得更寬，內(nèi)部的靜電場也更強(qiáng)，擴(kuò)散電位也跟著變大。這個(gè)擴(kuò)散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。實(shí)際的元件雖然處于反向偏壓狀態(tài)，也會(huì)有微小的反向電流（飽和電流、漏電流、漂移電流）通過。當(dāng)反向偏壓持續(xù)增加時(shí)，還會(huì)發(fā)生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰，發(fā)生急遽的電流增加。開始產(chǎn)生這種擊穿現(xiàn)象的（反向）電壓被稱為擊穿電壓。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區(qū)域被稱為擊穿區(qū)（崩潰區(qū)）。在擊穿區(qū)內(nèi)，電流在較大的范圍內(nèi)變化而二極管反向壓降變化較小。穩(wěn)壓二極管就利用這個(gè)區(qū)域的動(dòng)作特性而制成，可以作為電壓源使用。光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。無錫檢波二極管使用注意事項(xiàng)

紅外發(fā)光二極管是一種能發(fā)出紅外線的二極管。中山晶體二極管功率

二極管PN結(jié)形成原理：P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。 N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。中山晶體二極管功率

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