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紅谷灘區(qū)制作半導(dǎo)體分立器件技術(shù)指導(dǎo)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-04-12

    電磁傳感器/敏感元件光電傳感器/光纖傳感器氣體傳感器/濕敏傳感器位移傳感器/視覺(jué)、圖像傳感器其他傳感器折疊電感器能產(chǎn)生電感作用的元件統(tǒng)稱為電感原件,常常直接簡(jiǎn)稱為電感。磁珠/電流互感器/電壓互感器電感線圈/固定電感器/可調(diào)電感器線饒電感器/非線饒電感器阻流電感器(阻流圈、扼流圈)其他電感器折疊電聲器件電聲器件(electroacousticdevice):指電和聲相互轉(zhuǎn)換的器件,它是利用電磁感應(yīng)、靜電感應(yīng)或壓電效應(yīng)等來(lái)完成電聲轉(zhuǎn)換的,包括揚(yáng)聲器,耳機(jī),傳聲器,唱頭等。揚(yáng)聲器/傳聲器/拾音器送話器/受話器/蜂鳴器(蜂鳴器是一種一體化結(jié)構(gòu)的電子訊響器,采用直流電壓供電。)折疊電聲配件盆架/電聲喇叭/防塵蓋音膜、振膜/其他電聲配件T鐵/磁鋼/彈波鼓紙/壓邊/電聲網(wǎng)罩折疊頻率元件分頻器/振蕩器/濾波器諧振器/調(diào)頻器/鑒頻器其他頻率元件折疊開關(guān)元件可控硅/光耦/干簧管/其他開關(guān)元件折疊光電與顯示顯示管/顯像管/指示管示波管/攝像管/投影管光電管/發(fā)射器件/其他光電與顯示器件折疊磁性元器件磁頭/鋁鎳磁鋼永磁元件金屬軟磁元件(粉芯)/鐵氧體軟磁元件。半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間。紅谷灘區(qū)制作半導(dǎo)體分立器件技術(shù)指導(dǎo)

    如10uF/16V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示字母表示法:1m=1000uF1P2=1n=1000PF數(shù)字表示法:一般用三位數(shù)字表示容量大小,前兩位表示有效數(shù)字,第三位數(shù)字是倍率。如:102表示10×10^2PF=1000PF224表示22×10^4PF=2uF3、電容容量誤差表符號(hào)FGJKLM允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%如:一瓷片電容為104J表示容量為、誤差為±5%。折疊電感電感在電路中常用"L"加數(shù)字表示,如:L6表示編號(hào)為6的電感。電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過(guò)線圈,直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻,壓降很小;當(dāng)交流信號(hào)通過(guò)線圈時(shí),線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì),自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反,阻礙交流的通過(guò),所以電感的特性是通直流阻交流,頻率越高,線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法,色標(biāo)法與電阻類似。如:棕、黑、金、金表示1uH(誤差5%)的電感。電感的基本單位為:亨(H)換算單位有:1H=10^3mH=10^6uH。折疊晶體二極管晶體二極管在電路中常用"D"加數(shù)字表示,如:D5表示編號(hào)為5的二極管。1、作用:二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?,也就是在正向電壓的作用下,?dǎo)通電阻很小。東湖區(qū)技術(shù)半導(dǎo)體分立器件承諾守信新型分立器件在汽車電子、節(jié)能照明等。

    磁芯)鐵氧體永磁元件/稀土永磁元件其它磁性元器件折疊集成電路電視機(jī)IC/音響IC/電源模塊影碟機(jī)IC/錄象機(jī)IC/電腦IC通信IC/遙控IC/照相機(jī)IC報(bào)警器IC/門鈴IC/閃燈IC電動(dòng)玩具IC/溫控IC/音樂(lè)IC電子琴IC/手表IC/其他集成電路折疊電子五金件觸點(diǎn)/觸片/探針鐵心/其他電子五金件折疊顯示器件點(diǎn)陣/led數(shù)碼管/背光器件液晶屏/偏光片/發(fā)光二極管芯片發(fā)光二極管顯示屏/液晶顯示模塊其他顯示器件折疊編輯本段**材料電容器**極板材料/導(dǎo)電材料電極材料/光學(xué)材料/測(cè)溫材料半導(dǎo)體材料/屏蔽材料真空電子材料/覆銅板材料壓電晶體材料/電工陶瓷材料光電子功能材料|強(qiáng)電、弱電用接點(diǎn)材料激光工質(zhì)/電子元器件**薄膜材料電子玻璃/類金剛石膜膨脹合金與熱雙金屬片/電熱材料與電熱元件其它電子**材料折疊編輯本段術(shù)語(yǔ)1、COB(ChipOnBoard)通過(guò)幫定將IC裸片固定于印刷線路板上2、COF(ChipOnFPC)將芯片固定于FPC上3、COG(ChipOnGlass)將芯片固定于玻璃上4、El(ElectroLuminescence)電致發(fā)光,EL層由高分子量薄片構(gòu)成,用作LCD的EL光源5、FTN(FormutatedSTN)一層光程補(bǔ)償片加于STN,用于黑白顯示6、LED(LightEmittingDiode)發(fā)光二極管7、PCB(PrintCircuitBoard)印刷線路板8、QFP。

    電子元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構(gòu)成,可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無(wú)線電、儀表等工業(yè)的某些零件,是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。常見的有二極管等。電子元器件包括:電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機(jī)電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關(guān)、微特電機(jī)、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝**材料、電子膠(帶)制品、電子化學(xué)材料及部品等。電子元器件在質(zhì)量方面國(guó)際上有歐盟的CE認(rèn)證,美國(guó)的UL認(rèn)證,德國(guó)的VDE和TUV以及中國(guó)的CQC認(rèn)證等國(guó)內(nèi)外認(rèn)證,來(lái)保證元器件的合格。發(fā)展史電子元器件發(fā)展史其實(shí)就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀(jì)末、二十世紀(jì)初開始發(fā)展起來(lái)的新興技術(shù),二十世紀(jì)發(fā)展**迅速,應(yīng)用*****,成為近代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要標(biāo)志。1906年,美國(guó)發(fā)明家德福雷斯特(DeForestLee)發(fā)明了真空三極管(電子管)。***代電子產(chǎn)品以電子管為**。四十年代末世界上誕生了***只半導(dǎo)體三極管,它以小巧、輕便、省電、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)??焖佟⒎€(wěn)定的發(fā)展。隨著電子整機(jī)。

    精密電阻)2、電阻的色標(biāo)位置和倍率關(guān)系如下表所示:顏色有效數(shù)字倍率允許偏差(%)從電阻的較細(xì)一段算起銀色/±10金色/±5黑色0+0/棕色1x10±1紅色2x100±2橙色3x1000/黃色4x10000/綠色5x100000±藍(lán)色6x1000000±紫色7x10000000±灰色8x/白色9x/折疊電容1、電容在電路中一般用"C"加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小,電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱為容抗,它與交流信號(hào)的頻率和電容量有關(guān)。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信號(hào)的頻率,C表示電容容量)電話機(jī)中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨(dú)石電容、鉭電容和滌綸電容等。2、識(shí)別方法:電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同,分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示,其它單位還有:毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9納法=10^12皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明。消費(fèi)類電子產(chǎn)品等市場(chǎng)的持續(xù)升溫。鐵西區(qū)定制半導(dǎo)體分立器件認(rèn)真負(fù)責(zé)

舉足輕重的地位并保持著持續(xù)。紅谷灘區(qū)制作半導(dǎo)體分立器件技術(shù)指導(dǎo)

    但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后,結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年,具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,結(jié)型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無(wú)缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要,電子裝置變的越來(lái)越復(fù)雜,這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后,由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步,在20世紀(jì)60年代研制成功了***代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義:它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步,使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社會(huì)的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。憑借優(yōu)越的科學(xué)技術(shù)所發(fā)明的集成電路使研究者有了更先進(jìn)的工具,進(jìn)而產(chǎn)生了許多更為先進(jìn)的技術(shù)。紅谷灘區(qū)制作半導(dǎo)體分立器件技術(shù)指導(dǎo)

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