可控硅智能模塊是一種非常重要的電子配件,它的應(yīng)用也非常廣,它的出現(xiàn)解決了電路上的很多問題,下面正高電氣就來介紹一下可控硅智能模塊在電氣控制領(lǐng)域中的應(yīng)用。在電氣控制領(lǐng)域的可控硅智能模塊,其實(shí)就是將可控硅晶閘管主電路與移相觸發(fā)電路、控制電路進(jìn)行集成封裝的新型模塊,目前國際上通用的晶閘管智能模塊的移相觸發(fā)電路為全數(shù)字電路,功能電路由單片機(jī)完成,并且內(nèi)置有多路電流、電壓、溫度傳感器,通過模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤,進(jìn)行各種功能和電氣參數(shù)設(shè)定,并可進(jìn)行LED或LCD顯示。這種全新的智能可控硅晶閘管模塊在體積、容量以及智能化程度方面,都與傳統(tǒng)的裝置有了明顯的不同。在了解了這種可控硅模塊的發(fā)展情況之后,接下來我們再來看一下這種智能可控硅模塊的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)是怎樣的。通常情況下,一個(gè)較為完整的可控硅模塊一般由電力晶閘管,移相觸發(fā)器,軟件控制的單片機(jī),電流、電壓、溫度傳感器以及操作鍵盤,LED或LCD顯示等部分組成。智能可控硅模塊具有相當(dāng)不錯(cuò)的智能水平和適應(yīng)性,因此這種晶閘管模塊也能夠充分適應(yīng)電氣控制系統(tǒng)的應(yīng)用需要。淄博正高電氣公司地理位置優(yōu)越,擁有完善的服務(wù)體系。江西進(jìn)口晶閘管調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家
軟啟動(dòng)器可控硅降溫的重要性軟啟動(dòng)器中可控硅模塊是比較重要的一環(huán),所以保護(hù)好可控硅模塊能夠的延長軟啟動(dòng)器的使用壽命??煽毓枘K與其它功率器件一樣,工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去,就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化,直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中主要的是導(dǎo)通損耗。散熱器的常用散熱方式有:自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。正常工作情況的軟啟動(dòng)器設(shè)備有,主要以熱量的形式散失在環(huán)境當(dāng)中,所以我們要先解決軟啟動(dòng)器工作環(huán)境的溫度問題,若工作環(huán)境的溫度過高則將危害到軟啟動(dòng)器的工作,導(dǎo)致軟啟動(dòng)器過熱保護(hù)跳閘。保證軟起動(dòng)器具有良好的運(yùn)行環(huán)境,須對變頻器及運(yùn)行環(huán)境的溫度控制采取相應(yīng)的措施。給軟啟動(dòng)器預(yù)留一定的空間,定期給軟啟動(dòng)器進(jìn)行清灰處理,都是能夠有效降低可控硅溫度的方式。煙臺交流晶閘管調(diào)壓模塊組件淄博正高電氣品質(zhì)好、服務(wù)好、客戶滿意度高。
怎么區(qū)分可控硅模塊的損壞緣由當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí),可把管芯從冷卻套中取出,翻開芯盒再取出芯片,調(diào)查其損壞后的痕跡,以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,且粗糙,其方位在遠(yuǎn)離操控極上。電壓擊穿??煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞,其芯片中有一個(gè)光亮的小孔,有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣,而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。
可控硅模塊的類型有很多種,比如:單向可控硅模塊、雙向可控硅模塊等等,可控硅模塊控制器是講可控硅做為基礎(chǔ),它的工作效率很高,相應(yīng)速度也很快,無噪音,它是一種以智能數(shù)字控制電路做的電源功率控制電器,它有什么特點(diǎn)?下面看正高來講解。①可控硅模塊控制器里面集成了75度超溫保護(hù)報(bào)警設(shè)備,還有三相不平衡報(bào)警。②使用規(guī)范的MODBUSRTU通訊當(dāng)做標(biāo)配,應(yīng)用阻燃型ABS外殼,更加的不易發(fā)生危險(xiǎn)。③可控硅模塊控制器里面應(yīng)用,可以限流,另外還使用50和60赫茲切換設(shè)備,更具有應(yīng)用價(jià)值。④里面使用12位AD轉(zhuǎn)換器,做到了比較精細(xì)的調(diào)節(jié)。⑤可控硅模塊控制器里面使用了**用級精密的電壓傳感器,能夠做到過壓和限壓的保護(hù),同時(shí)使用調(diào)壓、調(diào)功和整流一體化的工藝,還擁有恒流控制、恒壓控制以及恒功率控制。以上就是可控硅模塊控制器的特點(diǎn),它的優(yōu)點(diǎn)很多,應(yīng)用價(jià)值很大,效率高。淄博正高電氣優(yōu)良的研發(fā)與生產(chǎn)團(tuán)隊(duì),專業(yè)的技術(shù)支撐。
相信大家對于可控硅模塊并不陌生了,現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展,可控硅模塊的使用范圍越來越廣,但是你對可控硅模塊的了解有多少呢,它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎?下面為大家講解??煽毓枘K的主要參數(shù)有:(1)額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。(2)正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓??煽毓枘K承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。(3)反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。(4)控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極——陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅模塊從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的較小控制極電流和電壓。(5)維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的較小陽極正向電流。近年來,許多新型可控硅模塊相繼問世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅模塊,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅模塊,可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通。淄博正高電氣我們完善的售后服務(wù),讓客戶買的放心,用的安心。青海交流晶閘管調(diào)壓模塊配件
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隨著電氣行業(yè)的不斷發(fā)展,可控硅模塊在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影。能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,并且不像繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生,而且動(dòng)作快、壽命長、可靠性好??煽毓枘K又分為單向可控硅模塊和雙向可控硅模塊,它們有什么區(qū)別呢,下面可控硅模塊廠家為你講解。可控硅模塊分為單向的和雙向的,符號也不同。單向可控硅有三個(gè)pn結(jié),由外層的p極和n極引出兩個(gè)電極,分別稱為陽極和陰極,由中間的p極引出一個(gè)控制極。然而單項(xiàng)的可控硅模塊具有其獨(dú)特的特性:當(dāng)陽極接反向電壓,或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時(shí),它都不導(dǎo)通,而陽極和控制極同時(shí)接正向電壓時(shí),它就會(huì)變成導(dǎo)通狀態(tài)。一旦導(dǎo)通,控制電壓便失去了對它的控制作用,不論有沒有控制電壓,也不論控制電壓的極性如何,將一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。要想關(guān)斷,只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。雙向的可控硅模塊的引腳多數(shù)是按t1、t2、g的順序從左至右排列(電極引腳向下,面對有字符的一面時(shí))。加在控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí),就能改變其導(dǎo)通電流的大小。與單向的區(qū)別是,它的g極上觸發(fā)脈沖的極性改變時(shí)。江西進(jìn)口晶閘管調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家
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