來保持爐內(nèi)溫度恒定二、可控硅智能調(diào)壓模塊的選擇可控硅智能調(diào)壓模塊是由電加熱爐控制裝置中關(guān)鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇可控硅智能調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的可控硅智能調(diào)壓模塊需要訂做。對可控硅智能調(diào)壓模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲(或加熱件)的額定工作電流及可控硅智能調(diào)壓模塊的輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到較高溫度時，額定電流會很大或加熱到較高溫度時，額定電流會很大)，必須考慮加熱絲整個工作狀態(tài)的電流值，作為加熱絲的額定電流值來確定可控硅智能調(diào)壓模塊的規(guī)格大小。淄博正高電氣尊崇團結(jié)、信譽、勤奮。青島大功率晶閘管調(diào)壓模塊

晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語，您知道幾個？相信大家對于晶閘管模塊并不陌生了，但是有很多人對于晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語并不清楚，下面正高來講幾個晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語，會對您以后的使用和選購有幫助。①控制角：在u2的每個正半周，從晶閘管模塊承受正向電壓到加入門極觸發(fā)電壓、使晶閘管模塊開始導(dǎo)通之間的電角度叫做控制角，又稱為觸發(fā)脈沖的移相角，用α表示。②導(dǎo)通角：在每個正半周內(nèi)晶閘管模塊導(dǎo)通時間對應(yīng)圖4-4單相半波可控整流的電角度叫做導(dǎo)通角，用θ表示。顯然在這里α+θ=π。③移相范圍：α的變化范圍稱為移相范圍。很明顯，α和π都是用來表示晶閘管模塊在承受正向電壓的半個周期內(nèi)的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，可以改變觸發(fā)脈沖的出現(xiàn)時刻，也就可以改變輸出電壓的大小，實現(xiàn)了可控整流。以上就是晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語，希望對您有所幫助。青島進口晶閘管調(diào)壓模塊供應(yīng)商淄博正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。

正高教你區(qū)分可控硅模塊損壞的原因當(dāng)可控硅模塊損壞后，一定要及時找到損壞的原因，然后立即進行故障處理，下面正高教你如何區(qū)分可控硅模塊損壞的原因。當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其方位在遠離操控極上。電壓擊穿?？煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞，其芯片中有一個光亮的小孔，有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。以上4種緣由都是可控硅模塊的常見損壞緣由，遇到可控硅模塊損壞事情，應(yīng)剖析。

在電子元器件中，可控硅可以運用單向可控硅或者雙向可控硅作為家電的開關(guān)、調(diào)壓的執(zhí)行器件都是非常方便的，不只是這樣，而且還可以控制直流、交流電路的負(fù)載功率。在這里，正高小編就和大家聊一下可控硅在現(xiàn)實生活中的應(yīng)用范圍：1、觸發(fā)電路的問題如果要讓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通，除了要有足夠的觸發(fā)脈沖幅度和正確的極性以外，觸發(fā)電路和可控硅陰極之間必須有共同的參考點。有些電路從表面看，觸發(fā)脈沖被加到可控硅的觸發(fā)極G，但可控硅的陰極和觸發(fā)信號卻無共同參考點，觸發(fā)信號并未加到可控硅的G—K之間，可控硅不可能被觸發(fā)。2、電感負(fù)載的應(yīng)用可控硅用于控制電感負(fù)載，譬如電風(fēng)扇、交流接觸器、有變壓器的供電設(shè)備等，則不同。因為這種移相式觸發(fā)電路，可控硅在交流電半周持續(xù)期間導(dǎo)通，半周過零期間截止。當(dāng)可控硅導(dǎo)通瞬間，加到電感負(fù)載兩端電壓為交流電的瞬時值，有時可能是交流電的大值。根據(jù)電感的特性，其兩端電壓不可能突變，高電壓加到電感的瞬間產(chǎn)生反向自感電勢，反對外加電壓。外加電壓的上升曲線越陡，自感電勢越高，有時甚至超過電源電壓而擊穿可控硅。因此，可控硅控制電感負(fù)載，首先其耐壓要高于電源電壓峰值。此外，可控硅兩電極間還要并聯(lián)接入RC尖峰吸收電路。淄博正高電氣擁有先進的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備，雄厚的技術(shù)力量。

可控硅模塊屬于電氣元器件，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關(guān)器件，它是從普通可控硅模塊的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，使用更加方便、安全可靠。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點與性能。雙向可控硅模塊是由一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個主電極T1和T2和一個門極G，門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅模塊門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅模塊，需定量掌握其主要參數(shù)，對雙向可控硅模塊進行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達到各參數(shù)的要求。特點：1對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。2對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。淄博正高電氣展望未來，信心百倍，追求高遠。大功率晶閘管調(diào)壓模塊型號

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可控硅模塊的特點有很多，它是由pnpn四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個電極，陽極a，陰極k和控制極g所構(gòu)成的，山東可控硅模塊的應(yīng)用、選擇和安裝你了解多少，下面為你詳細(xì)的介紹一下。1、山東可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹山東可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合，如工業(yè)、通訊等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能，并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。2、山東可控硅模塊的控制方式：通過輸入模塊控制接口一個可調(diào)的電壓或者電流信號，通過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行平滑調(diào)節(jié)，實現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導(dǎo)通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號采用0～5V，0～10V，4～20mA三種比較常用的控制形式。3、滿足山東可控硅模塊工作的必要條件（1）+12V直流電源：模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①輸出電壓要求：+12V電源：12，紋波電壓小于20mv。青島大功率晶閘管調(diào)壓模塊

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