可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多?？煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)構(gòu)原件可控硅有三個(gè)極----陽(yáng)極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)?？煽毓钁?yīng)用時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。淄博正高電氣多方位滿足不同層次的消費(fèi)需求。安徽大功率可控硅調(diào)壓模塊哪家好

使可控硅從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率，若電壓上升率過(guò)大，超過(guò)了可控硅的電壓上升率的值，則會(huì)在無(wú)門極信號(hào)的情況下開(kāi)通。即使此時(shí)加于可控硅的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榭煽毓杩梢钥醋魇怯扇齻€(gè)PN結(jié)組成。在可控硅處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)可控硅陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過(guò)電容C0，并通過(guò)J3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果可控硅在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒(méi)有觸發(fā)信號(hào)的情況下，可控硅誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說(shuō)的硬開(kāi)通，這是不允許的。對(duì)加到可控硅上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過(guò)大，確保可控硅安全運(yùn)行，常在可控硅兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)限制電壓上升率。因?yàn)殡娐房偸谴嬖陔姼械?變壓器漏感或負(fù)載電感)，所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過(guò)渡過(guò)程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過(guò)電壓損壞可控硅。同時(shí)，避免電容器通過(guò)可控硅放電電流過(guò)大，造成過(guò)電流而損壞可控硅。由于可控硅過(guò)流過(guò)壓能力很差。安徽大功率可控硅調(diào)壓模塊哪家好“質(zhì)量?jī)?yōu)先，用戶至上，以質(zhì)量求發(fā)展，與用戶共創(chuàng)雙贏”是淄博正高電氣新的經(jīng)營(yíng)觀。

設(shè)備自身運(yùn)行中以及非正常運(yùn)行中也有過(guò)電壓出現(xiàn)。過(guò)電壓保護(hù)的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過(guò)電壓保護(hù)的第二種方法是采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。3.電流上升率、電壓上升率的保護(hù)（1）電流上升率di/dt的可控硅初開(kāi)通時(shí)電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密度很大，然后以μs的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個(gè)陰極面，若可控硅開(kāi)通時(shí)電流上升率di/dt過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)擊穿，必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽(yáng)極回路串聯(lián)入電感。電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過(guò)大，由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實(shí)際上起到觸發(fā)電流的作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴(yán)重時(shí)引起晶閘管誤導(dǎo)通。為dv/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯(lián)R-C阻容吸收回路。如下圖：4.為什么要在可控硅兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)在實(shí)際可控硅電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。可控硅有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在額定結(jié)溫和門極斷路條件下。

也可用于控制電熱毯、小功率電暖器等家用電器。電路圖溫度控制器電路如圖工作原理220V交流電壓經(jīng)Cl降壓、VD，和VD。整流、C2濾波及VS穩(wěn)壓后，一路作為IC（TL431型三端穩(wěn)壓集成電路）的輸入直流電壓；另一路經(jīng)RT、R3和RP分壓后，為IC提供控制電壓。在被測(cè)溫度低于RP的設(shè)定溫度時(shí)，NTC502型負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器Rr的電阻值較大，IC的控制電壓高于其開(kāi)啟電壓，IC導(dǎo)通，使LED點(diǎn)亮，VS受觸發(fā)而導(dǎo)通，電熱器EH通電開(kāi)始加熱。隨著溫度的不斷上升，Rr的電阻值逐漸減小，同時(shí)IC的控制電壓也隨之下降。當(dāng)被測(cè)溫度高于設(shè)定溫度時(shí)，IC截止，使LED熄滅，VS關(guān)斷，EH斷電而停止加熱。隨后溫度又開(kāi)始緩慢下降，當(dāng)被測(cè)溫度低于設(shè)定溫度時(shí)，IC又導(dǎo)通，EH又開(kāi)始通電加熱。如此循環(huán)不止，將被測(cè)溫度控制在設(shè)定的范圍內(nèi)?？煽毓枵{(diào)壓器電路圖（四）一般書刊介紹的大功率可控硅觸發(fā)電路都比較復(fù)雜，而且有些元件難以購(gòu)買。筆者只花幾元錢制作的觸發(fā)電路已成功觸發(fā)100A以上的可控硅模塊，用于工業(yè)淬火爐上調(diào)節(jié)380V電壓，又裝一套用于大功率鼓風(fēng)機(jī)作無(wú)級(jí)調(diào)速用，效果非常好。本電路也可用作調(diào)節(jié)220V交流供電的用電器。將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接。淄博正高電氣重信譽(yù)、守合同，嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān)，熱誠(chéng)歡迎廣大用戶前來(lái)咨詢考察，洽談業(yè)務(wù)！

且隨著管子正向陽(yáng)極電壓升高而增大。當(dāng)陽(yáng)極電壓升到足夠大時(shí)，會(huì)使晶閘管導(dǎo)通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開(kāi)通”，多次硬開(kāi)通會(huì)損壞管子，晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時(shí)，管子不會(huì)導(dǎo)通，但此時(shí)正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài)，沒(méi)有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開(kāi)關(guān)特性。是一種理想的無(wú)觸點(diǎn)功率開(kāi)關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通，門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽(yáng)極電流《維持電流，對(duì)于電阻負(fù)載，只要使管子陽(yáng)極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽(yáng)極電壓互降為零后，加上一定時(shí)間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4.通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間晶閘管合格證基本參數(shù)晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓（換流過(guò)電壓、空穴積蓄效應(yīng)過(guò)電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷。線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過(guò)電壓。淄博正高電氣從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。濟(jì)南單相可控硅調(diào)壓模塊報(bào)價(jià)

淄博正高電氣講誠(chéng)信，重信譽(yù)，多面整合市場(chǎng)推廣。安徽大功率可控硅調(diào)壓模塊哪家好

鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不只是整流，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。安徽大功率可控硅調(diào)壓模塊哪家好

正高電氣，2011-01-06正式啟動(dòng)，成立了可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等幾大市場(chǎng)布局，應(yīng)對(duì)行業(yè)變化，順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升正高電氣的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，把握市場(chǎng)機(jī)遇，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。業(yè)務(wù)涵蓋了可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等諸多領(lǐng)域，尤其可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì)，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。隨著我們的業(yè)務(wù)不斷擴(kuò)展，從可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等到眾多其他領(lǐng)域，已經(jīng)逐步成長(zhǎng)為一個(gè)獨(dú)特，且具有活力與創(chuàng)新的企業(yè)。正高電氣始終保持在電子元器件領(lǐng)域優(yōu)先的前提下，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)。在可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等領(lǐng)域承攬了一大批高精尖項(xiàng)目，積極為更多電子元器件企業(yè)提供服務(wù)。