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固態(tài)繼電器與可控硅模塊作為常見(jiàn)的電子元器件,在咱們?nèi)粘5碾娮赢a(chǎn)品中現(xiàn)已被使用,那么,這兩種元器件的差異在哪里呢?固態(tài)繼電器其實(shí)也是可控硅模塊為首要部件而制造的,所不同的是,固態(tài)繼電器動(dòng)作電壓與操控電壓經(jīng)過(guò)內(nèi)部電路光藕進(jìn)行別離的,能夠拆一個(gè)固態(tài)繼電器調(diào)查內(nèi)部,對(duì)比下哦。可控硅模塊能夠是單向的,也能夠是雙向的,能夠過(guò)零觸發(fā)也能夠移相觸發(fā),固態(tài)繼電器同樣是如此的。所以,他們的應(yīng)用范圍、方式都都有相同類(lèi)型產(chǎn)品,從這一點(diǎn)上(運(yùn)用的方式、性質(zhì)視點(diǎn))沒(méi)有差異,由于固態(tài)繼電器也是可控硅做的(三極管的固態(tài)繼電器在外)。那么他們的差異究竟在那呢?總不會(huì)一個(gè)東西,兩個(gè)姓名吧?他們的差異就在于,可控硅便是可控硅,固態(tài)繼電器則是可控硅模塊+同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)。這便是差異。我們正高專(zhuān)業(yè)加工可控硅模塊與固態(tài)繼電器已有16年的使用經(jīng)歷,一直處于業(yè)界水平,贏得很多好評(píng)!假如您對(duì)我司的可控硅模塊與固態(tài)繼電器有愛(ài)好或疑問(wèn)的話,歡迎來(lái)電咨詢!淄博正高電氣不斷從事技術(shù)革新,改進(jìn)生產(chǎn)工藝,提高技術(shù)水平。西藏恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能
Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程,對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),觸發(fā)信號(hào)加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的較小值時(shí),可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,如果Ea極性反接,BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),即使輸入觸發(fā)信號(hào),可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái),Ea接成正向,而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號(hào),而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),可控硅也會(huì)導(dǎo)通,但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)(小的觸發(fā)電流)來(lái)控制導(dǎo)通(可控硅中通過(guò)大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。西藏恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能淄博正高電氣竭誠(chéng)為您服務(wù),期待與您的合作,歡迎大家前來(lái)!
可控硅模塊是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱。它是由三個(gè)PN結(jié)四層結(jié)構(gòu)硅芯片和三個(gè)電極組成的半導(dǎo)體器件。那么就讓正高的小編帶大家去了解下其他知識(shí)吧!它的三個(gè)電極分別叫陽(yáng)極(A)、陰極(K)和控制極(G)。當(dāng)器件的陽(yáng)極接負(fù)電位(相對(duì)陰極而言)時(shí),從符號(hào)圖上可以看出PN結(jié)處于反向,具有類(lèi)似二極管的反向特性。當(dāng)器件的陽(yáng)極上加正電位時(shí)(若控制極不接任何電壓),在一定的電壓范圍內(nèi),器件仍處于阻抗很高的關(guān)閉狀態(tài)。但當(dāng)正電壓大于某個(gè)電壓(樂(lè)為轉(zhuǎn)折電壓)時(shí),器件迅速轉(zhuǎn)變到低阻通導(dǎo)狀態(tài)。加在陽(yáng)極和陰極間的電壓低于轉(zhuǎn)折電壓時(shí),器件處于關(guān)閉狀態(tài)。此時(shí)如果在控制極上加有適當(dāng)大小的正電壓(對(duì)陰極),只有使器件中的電流減到低于某個(gè)數(shù)值或陰極與陽(yáng)極之間電壓減小到零或負(fù)值時(shí),器件才可恢復(fù)到關(guān)閉狀態(tài)。多種用途的,根據(jù)結(jié)構(gòu)及用途的不同,它已有很多不同的類(lèi)型,除上述介紹的整流用普通可控硅之外還有;1、快速的。這種可以工作在較高的頻率下,用于大功率直流開(kāi)關(guān)、電脈沖加工電源、激光電源和雷達(dá)調(diào)制器等電路中。2、雙向的。它的特點(diǎn)是可以使用正的或負(fù)的控制極脈沖,控制兩個(gè)方向電流的導(dǎo)通。它主要用于交流控制電路。
并不能說(shuō)明控制極特性不好。因此,兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門(mén)機(jī)電流Ig流入時(shí),就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。對(duì)過(guò)壓保護(hù)可采用兩種措施:在中頻電源的主電路中,瞬時(shí)反相電壓是靠阻容吸收來(lái)吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開(kāi)路均會(huì)使瞬時(shí)反相電壓過(guò)高燒壞可控硅。用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量晶閘管有無(wú)擊穿。在斷電的情況下用東臺(tái)表測(cè)量吸收電阻阻值、吸收電容容量,判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。在設(shè)備運(yùn)行時(shí)如果突然丟失觸發(fā)脈沖,將造成逆變開(kāi)路,中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓,燒壞可控硅元件。原因及處理方法:(1)整流觸發(fā)脈沖缺失。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障,可用示波器進(jìn)行檢查,也可能是逆變脈沖引線接觸不良,可用手搖晃導(dǎo)線接頭,找出故障位置。淄博正高電氣與廣大客戶攜手并進(jìn),共創(chuàng)輝煌!
安裝注意事項(xiàng):1、考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。2、模塊管芯工作結(jié)溫:可控硅為-40℃∽125℃;環(huán)境溫度不得高于40℃;環(huán)境濕度小于86%。3、使用環(huán)境應(yīng)無(wú)劇烈振動(dòng)和沖擊,環(huán)境介質(zhì)中應(yīng)無(wú)腐蝕金屬和破壞絕緣的雜質(zhì)和氣氛。4、由于可控硅模塊是絕緣型(即模塊接線柱對(duì)銅底板之間的絕緣耐壓大于),因此可以把多個(gè)模塊安裝在同一散熱器上,需接地線。5、散熱器安裝表面應(yīng)平整、光滑,不能有劃痕、磕碰和雜物。散熱器表面光潔度應(yīng)小于10μm。模塊安裝到散熱器上時(shí),在它們的接觸面之間應(yīng)涂一層很薄的導(dǎo)熱硅脂。涂脂前,用細(xì)砂紙把散熱器接觸面的氧化層去掉,然后用無(wú)水乙醇把表面擦干凈,使接觸良好,以減少熱阻。模塊緊固到散熱器表面時(shí),采用M5或M6螺釘和彈簧墊圈,并以4NM力矩緊固螺釘與模塊主電極的連線應(yīng)采用銅排,并有光滑平整的接觸面,使接觸良好。模塊工作3小時(shí)后,各個(gè)螺釘須再次緊固一遍。淄博正高電氣具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。西藏恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能
淄博正高電氣通過(guò)專(zhuān)業(yè)的知識(shí)和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。西藏恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能
就組成了一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無(wú)級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生,調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,因此R2還可起開(kāi)關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,因此不存在反向擊穿問(wèn)題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過(guò)阻斷電壓時(shí),SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通,導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周?chē)?gòu)成普通移相觸發(fā)電路,其原理這里從略。SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊(110A/1000V),SCR3選用BTl36,即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負(fù)載,應(yīng)增加R4,C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過(guò)壓保護(hù),防止負(fù)載斷開(kāi)和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅??煽毓枵{(diào)壓器電路圖(五)一種吸塵器使用可控硅元件構(gòu)成調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖(六)這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源可控硅調(diào)壓器電路圖(七)一種大功率直流電機(jī)調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖(八)使用一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)的熱敏電阻。西藏恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能