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我國(guó)的晶閘管中頻電源的共同特點(diǎn)是全集成化控制線路數(shù)字化程度高于90%、啟動(dòng)成功率幾乎達(dá)到、除具有常規(guī)的水壓不足、快熔熔斷、過(guò)流、過(guò)壓等保護(hù)功能外,還具有限流、限壓等保護(hù)功能、功能較齊全的晶閘管電源還配置逆變失敗、水溫監(jiān)視等可選功能,其頻率較高可以作到8kHz,額定功率可以作到1000kW左右,如果在裝配工藝上再進(jìn)一步改進(jìn)的話,可以接近世界先進(jìn)水平。所以,希望各大公司在選擇晶閘管的時(shí)候,不要只只考慮到晶閘管的單次成本??赡艽文I(mǎi)晶閘管時(shí),有的公司報(bào)價(jià)很低。但是三五天就燒壞了。這樣您幾天就換一只管子,對(duì)您公司來(lái)說(shuō)是造成更嚴(yán)重的利益損失。還不如一次選擇好的,選擇質(zhì)量?jī)?yōu)勝的產(chǎn)品。這樣晶閘管使用壽命長(zhǎng),不只給您在成本上節(jié)約了錢(qián),還為您省去了很多麻煩。您說(shuō)是嗎!晶閘管T在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。1.晶閘管承受正東臺(tái)極電壓時(shí),只在門(mén)極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),這就是晶閘管的閘流特性,即可控特性。2.晶閘管在導(dǎo)通情況下,只要有一定的電壓,不論門(mén)極電壓如何。淄博正高電氣擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備,雄厚的技術(shù)力量。濰坊整流可控硅調(diào)壓模塊功能
除此之外整流器件還有很多,如:可關(guān)斷晶閘管GTO,逆導(dǎo)晶閘管,雙向晶閘管,整流模塊,功率模塊IGBT,SIT,MOSFET等等,這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅,通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件,由于它效率高,控制特性好,壽命長(zhǎng),體積小等優(yōu)點(diǎn),自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái),獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門(mén)單獨(dú)的學(xué)科?!熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到,在工藝上已經(jīng)非常成熟,品質(zhì)更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展。目前國(guó)內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A,國(guó)外更大。我國(guó)的韶山電力機(jī)車(chē)上裝載的都是我國(guó)自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用:一、可控整流如同二極管整流一樣,可以把交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實(shí)現(xiàn)交流——可變直流。二、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開(kāi)關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波,出現(xiàn)了一種過(guò)零觸發(fā),實(shí)現(xiàn)負(fù)載交流功率的無(wú)級(jí)調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電:將三相高壓交流整流為高壓直流,由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗。濰坊整流可控硅調(diào)壓模塊功能淄博正高電氣始終堅(jiān)持以人為本,恪守質(zhì)量為金,同建雄績(jī)偉業(yè)。
可控硅又稱(chēng)晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件,其主要的功能是功率控制??煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅、可關(guān)斷可控硅等??煽毓璧奶攸c(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦裕孕‰娏骺刂拼箅娏?,以低電壓控制高電壓??煽毓杩梢杂萌f(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè)。一、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成3個(gè)PN結(jié),具有3個(gè)外電極:陽(yáng)極A、陰極K、控制極G。檢測(cè)時(shí),萬(wàn)用表置于“Rx10Ω”檔,黑表筆(表內(nèi)電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內(nèi)電池負(fù)極)接單向可控硅的陰極K,這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后,測(cè)其反向電阻,應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬(wàn)用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,紅表筆改接單向可控硅的陽(yáng)極A,阻值應(yīng)為無(wú)窮大。對(duì)調(diào)兩表筆后,再測(cè),阻值仍應(yīng)為無(wú)窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián),正常情況下其正、反向阻值均為無(wú)窮大。二、檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接單向可控硅陽(yáng)極A,紅表筆接單向可控硅陰極K,表針應(yīng)指示為無(wú)窮大。這是用金屬導(dǎo)體將控制極G與陽(yáng)極A短接一下(短接后馬上斷開(kāi))。
雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,也稱(chēng)雙向晶閘管,在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,可作為功率驅(qū)動(dòng)器件,由于雙向可控硅沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},控制電路簡(jiǎn)單,因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器,且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中,其觸發(fā)電路的抗干擾問(wèn)題很重要,通常都是通過(guò)光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號(hào)加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動(dòng)功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾,交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過(guò)零觸發(fā)電路。(過(guò)零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通,由于采用過(guò)零觸發(fā),因此需要正弦交流電過(guò)零檢測(cè)電路)雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅,四象限可控硅其導(dǎo)通條件:總的來(lái)說(shuō)導(dǎo)通的條件就是:G極與T1之間存在一個(gè)足夠的電壓時(shí)并能夠提供足夠的導(dǎo)通電流就可以使可控硅導(dǎo)通,這個(gè)電壓可以是正、負(fù),和T1、T2之間的電流方向也沒(méi)有關(guān)系。因?yàn)殡p向可控硅可以雙向?qū)ǎ詻](méi)有正極負(fù)極,但是有T1、T2之分雙向可控硅觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)方案雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,也稱(chēng)雙向晶閘管,在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,可作為功率驅(qū)動(dòng)器件,由于雙向可控硅沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},控制電路簡(jiǎn)單,因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。淄博正高電氣智造產(chǎn)品,制造品質(zhì)是我們服務(wù)環(huán)境的決心。
Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程,對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),觸發(fā)信號(hào)加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的較小值時(shí),可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,如果Ea極性反接,BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),即使輸入觸發(fā)信號(hào),可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái),Ea接成正向,而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號(hào),而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),可控硅也會(huì)導(dǎo)通,但已屬于非正常工作情況了??煽毓柽@種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)(小的觸發(fā)電流)來(lái)控制導(dǎo)通(可控硅中通過(guò)大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。公司生產(chǎn)工藝得到了長(zhǎng)足的發(fā)展,優(yōu)良的品質(zhì)使我們的產(chǎn)品銷(xiāo)往全國(guó)各地。濱州恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能
淄博正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn),邁向優(yōu)良品質(zhì)!濰坊整流可控硅調(diào)壓模塊功能
這種電位器可以直接焊在電路板上,電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外,其余的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件,如國(guó)產(chǎn)3CT系列??煽毓枵{(diào)壓器電路圖(二)在很多使用交流電源的負(fù)載中,需要完成調(diào)光、調(diào)溫等功能,要求交流電源能平穩(wěn)地調(diào)節(jié)電壓。圖205所示,是一種筒單交流調(diào)壓器,可代替普通交流調(diào)壓器,體積小、重量輕、控制方便。工作原理電源經(jīng)電阻R,和電位器W向電容C充電。當(dāng)電容上的電成送到手定值時(shí)堯通過(guò)二極管D和可控硅控制極,使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通,電流流經(jīng)負(fù)載,可控硅導(dǎo)通后。觸發(fā)電路被短接。在交流電壓為零時(shí),可控硅又自動(dòng)斷開(kāi),而后觸發(fā)電路中電容C再次充電,使可控硅再次導(dǎo)通。改變電容的容量和w阻值。可增大或堿小導(dǎo)通角,使輸出電壓升高或降低。從而起到調(diào)壓之目的??煽毓璧姆聪螂妷河呻娫措妷簛?lái)定:電流參數(shù)由負(fù)載Rr嬰求來(lái)定。溫度控制器,具有SB260取材方便、性能可靠等特點(diǎn),可用于種子催芽、食用菌培養(yǎng)、幼畜飼養(yǎng)及禽蛋卵化等方面的溫度控制。濰坊整流可控硅調(diào)壓模塊功能