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重慶PCB研磨金相磨拋機替代標(biāo)樂

來源: 發(fā)布時間:2023-11-12

    現(xiàn)代制備方法新的制備概念和新的制備材料被大量引入試樣制備領(lǐng)域,使得金相工作者利用較短的時間就可獲得一個更理想的結(jié)果。大部分這些改善都是想法減少或取消研磨步驟中防水SiC砂紙的使用。幾乎所有的初步驟都要用SiC砂紙,但也有許多材料可以用其它材料替代SiC砂紙。第一步使用SiC砂紙沒有任何不對,只是使用周期太短。如果自動設(shè)備使用,試樣被緊緊固定在試樣夾持器(中心加載),第一步必須將每個試樣上的切割損傷去除,同時把每個試樣磨到同一平面。因此第一步經(jīng)常被稱為“磨平研磨”,SiC砂紙可以用于該步驟,盡管可能會消耗不止一張的SiC砂紙。磨平步驟也可以用45pm金屬黏結(jié)盤來實現(xiàn),或者用30pm樹脂黏結(jié)盤來實現(xiàn),具體選擇主要根據(jù)被制備材料。硬研磨盤不含研磨介質(zhì),必須添加相應(yīng)的研磨介質(zhì),簡單的辦法就是加懸浮液。對大多數(shù)金屬和合金而言,由于多晶人造金剛石懸浮液比單晶人造金剛石懸浮液切割效率高,所以使用多晶人造金剛石懸浮液要比單晶人造金剛石懸浮液獲得的效果要高的多。磨平步驟也可以用45pm金屬黏結(jié)盤來實現(xiàn),或者用30pm樹脂黏結(jié)盤UltraPrep來實現(xiàn),或者用ApexHerculesH硬研磨盤及15pm或30pm金剛石盤來實現(xiàn),具體選擇主要根據(jù)被制備材料。 金相磨拋機的壓力設(shè)備有什么講究?重慶PCB研磨金相磨拋機替代標(biāo)樂

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    金相研磨機磨盤直徑有200mm、230mm、250mm、300mm可選!大直徑的研磨盤會增加試樣在給定時間內(nèi)的運動距離。例如,轉(zhuǎn)速一樣時,試樣在直徑10英寸或直徑12英寸(250或300mm)研磨盤上的運動距離,分別是在8英寸(200mm)直徑研磨盤上運動距離的。因此當(dāng)使用10英寸或12英寸(250或300mm)研磨盤時,建議將時間減少為8英寸(200mm)研磨盤的80%或67%。大直徑的研磨機的試樣制備時間要短,但耗材消耗稍多,所以大直徑的研磨機更適合試樣數(shù)量多試樣尺寸大的地方使用。復(fù)合材料包含的化學(xué)成分很廣,一般分為金屬基體復(fù)合材料(MMC),聚合物基體復(fù)合材料(PMC)和陶瓷基體復(fù)合材料(CMC)。由于使用的材料范圍廣,材料的硬度,研磨拋光特性的區(qū)別,所以試樣制備方案很難制訂,另外浮雕的控制也是很大的問題。復(fù)合材料的制備拔出現(xiàn)象比較普遍,特別對PMC材料如此。切割也經(jīng)常產(chǎn)生損傷,需要在初的制備步驟去除。利用真空澆注環(huán)氧樹脂是常用的鑲嵌方法。 北京中心加壓金相磨拋機廠家直銷賦耘檢測技術(shù)(上海)有限公司提供全金相拋光機金相自動磨拋機金相磨拋機磨拋機磨光機金相研磨機!

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    固定型的研磨砂紙,學(xué)生使用的較多,但在工業(yè)生產(chǎn)中并不常用,一般以條狀或卷狀供應(yīng),例如HandiMet2卷狀砂紙。試樣在砂紙上從頂?shù)降着c砂紙上的磨削顆粒摩擦,每一個研磨過程保持一個方向,要么縱向要么橫向,這樣獲得的研磨面要比一會縱向一會橫向的平整度好。本程序可以以“干式”研磨,但通常會加水以冷卻試樣表面,同時用把研磨顆粒碎片帶走。帶式研磨機,例如SurfMetI或DuoMetII帶式研磨機如圖16,在許多實驗室都會見到。另外有一種類似的高速盤式研磨機,象SuperMet研磨機,如圖17。這些研磨機通常用于粗磨砂紙,粒度從60到240,主要用于去除切割帶來的毛刺,修整不需要保留的邊緣,平整要檢查的被切割的表面,或去除切割缺陷。研磨拋光是制備試樣的步驟或中間步驟,以得到一個平整無劃痕無變形的鏡面。這樣的表面是觀察真實顯微組織的基礎(chǔ)以便隨后的金相解釋,包括定量定性。拋光技術(shù)不應(yīng)引入外來組織,例如干擾金屬,坑洞,夾雜脫出,彗星拖尾,著色或浮雕(不同相的高度不同或孔和組織高度不同)。

    微電子材料所指的材料范圍很廣,這是因為微電子設(shè)備很復(fù)雜,包含大量的單個組件。例如,微處理器的失效分析可能會要求金相工作者正好從多層鍍層(例如氧化物、聚合物、易延展的金屬如銅或鋁、難熔金屬如鎢或鈦-鎢)的硅片的橫截面切割。另外,包裝材料也可能含有機械性能各異的材料如I氧化鋁或焊料。這些焊料有可能含有高達97%的鉛??梢韵胂髮⑦@么多性能各異的材料整合到一個單一的設(shè)備里,并開發(fā)出一個適用于所有材料的制備程序的可能性就不存在,所以我們必須將注意力集中在幾種材料上,去開發(fā)我們所要關(guān)注材料的試樣制備程序。初定義的微電子材料是硅。硅是一種相當(dāng)硬的脆的材料,不容易用大顆粒的SiC研磨。因為SiC砂紙粘有堅硬的磨削顆粒,當(dāng)它們接觸時會在硅片的邊緣造成損傷。另外,會在硅片的邊緣產(chǎn)生拉應(yīng)力,這將導(dǎo)致較深的破壞裂紋。盡量接近切割目標(biāo)區(qū)切割,但也不能太接近目標(biāo)區(qū)切割,精細研磨仍然是必不可少的。因此硅的制備被劃分成兩種截然不同的方法,第一種是傳統(tǒng)的金相方法,第二種用特殊的夾具和研磨顆粒制備沒有封裝的硅片。 賦耘檢測技術(shù)(上海)有限公司金相拋光機有預(yù)磨機、磨拋機、手動、自動可選!

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    金相研磨機磨盤直徑有200mm、230mm、250mm、300mm可選!大直徑的研磨盤會增加試樣在給定時間內(nèi)的運動距離。例如,轉(zhuǎn)速一樣時,試樣在直徑10英寸或直徑12英寸(250或300mm)研磨盤上的運動距離,分別是在8英寸(200mm)直徑研磨盤上運動距離的。因此當(dāng)使用10英寸或12英寸(250或300mm)研磨盤時,建議將時間減少為8英寸(200mm)研磨盤的80%或67%。大直徑的研磨機的試樣制備時間要短,但耗材消耗稍多,所以大直徑的研磨機更適合試樣數(shù)量多試樣尺寸大的地方使用。為了達到粗拋的目的,要求轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)速較低,比較好不要超過500r/min;拋光時間應(yīng)當(dāng)比去掉劃痕所需的時間長些,因為還要去掉變形層。粗拋后磨面光滑,但黯淡無光,在顯微鏡下觀察有均勻細致的磨痕,有待精拋消除。精拋時轉(zhuǎn)盤速度可適當(dāng)提高,拋光時間以拋掉粗拋的損傷層為宜。精拋后磨面明亮如鏡,在顯微鏡明視場條件下看不到劃痕,但在相襯照明條件下則仍可見到磨痕。金相試樣拋光質(zhì)量的好壞嚴(yán)重影響試樣的組織結(jié)構(gòu),已逐步引起有關(guān)**的重視。近年來,國內(nèi)外在拋光機的性能上作了大量的研究工作,研究出不少新機型、新一代的拋光設(shè)備,正由原來的手動操作發(fā)展成為各種各樣的半自動及全自動拋光機。 金相拋光機金相自動磨拋機金相磨拋機磨拋機磨光機金相研磨機使用時選擇金剛石拋光劑還是金剛石懸浮液呢?廣東軸承鋼金相磨拋機代理加盟

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