此在確認(rèn)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)耦合不過的前提下,可依次排除B殼天線、KB板和同軸線等內(nèi)部結(jié)構(gòu)的故障進行維修。若以上一一排除,則是主板參數(shù)校準(zhǔn)的問題,或者說是主板硬件存在故障。耦合天線的種類比較多,有塔式、平板式、套筒式,常用的是自動硅光芯片硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)。為防止外部環(huán)境的電磁干擾搭載屏蔽箱,來提高耦合直通率。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的,我們的客戶非常關(guān)注此工位測試的嚴(yán)謹(jǐn)性,硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要控制“信號弱”,“易掉話”,“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”,“不能接聽”等不良機流向市場。一般模擬用戶環(huán)境對設(shè)備EMC干擾的方法與實際使用環(huán)境存在較大差異,所以“信號類”返修量一直占有較大的比例。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)為工業(yè)客戶和院??蛻籼峁┙?jīng)濟有效的系統(tǒng)解決方案。云南振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的激光器與硅光芯片耦合結(jié)構(gòu)及其封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法,發(fā)散的高斯光束從激光器芯片出射,經(jīng)過耦合透鏡進行聚焦;聚焦過程中光路經(jīng)過隔離器進入反射棱鏡,經(jīng)過反射棱鏡的發(fā)射,光路發(fā)生彎折并以一定的角度入射到硅光芯片的光柵耦合器上面,耦合進硅光芯片。本發(fā)明所提供的激光器與硅光芯片耦合結(jié)構(gòu),其無需使用超高精度的耦合對準(zhǔn)設(shè)備,耦合過程易于實現(xiàn),耦合效率更高,且研發(fā)成本較低;激光器與硅光芯片耦合封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法,采用傳統(tǒng)TO工藝封裝光源,氣密性封裝,與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有比較強的可生產(chǎn)性,比較高的可靠性,更低的成本,更高的耦合效率,適用于400G硅光大功率光源應(yīng)用。吉林單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路。
既然提到硅光芯片耦合測試系統(tǒng),我們就認(rèn)識一下硅光子集。所謂硅光子集成技術(shù),是以硅和硅基襯底材料(如SiGe/Si、SOI等)作為光學(xué)介質(zhì),通過互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)兼容的集成電路工藝制造相應(yīng)的光子器件和光電器件(包括硅基發(fā)光器件、調(diào)制器、探測器、光波導(dǎo)器件等),并利用這些器件對光子進行發(fā)射、傳輸、檢測和處理,以實現(xiàn)其在光通信、光互連、光計算等領(lǐng)域中的實際應(yīng)用。硅光技術(shù)的中心理念是“以光代電”,即采用激光束代替電子信號傳輸數(shù)據(jù),將光學(xué)器件與電子元件整合至一個單獨的微芯片中。在硅片上用光取代傳統(tǒng)銅線作為信息傳導(dǎo)介質(zhì),較大提升芯片之間的連接速度。
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要工作可以分為四個部分:1、利用開發(fā)出的耦合封裝工藝,對硅光芯片調(diào)制器進行耦合封裝并進行性能測試。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調(diào)制器的調(diào)制特性,針對調(diào)制過程,建立數(shù)學(xué)模型,從數(shù)學(xué)的角度出發(fā),總結(jié)出調(diào)制器的直流偏置電壓的快速測試方法。并通過調(diào)制器眼圖分析調(diào)制器中存在的問題,為后續(xù)研發(fā)提供改進方向。2、針對倒錐型耦合結(jié)構(gòu),分析在耦合過程中,耦合結(jié)構(gòu)的尺寸對插入損耗,耦合容差的影響,優(yōu)化耦合結(jié)構(gòu)并開發(fā)出行之有效的耦合工藝。3、從波導(dǎo)理論出發(fā),分析了條形波導(dǎo)以及脊型波導(dǎo)的波導(dǎo)模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。4、理論分析了硅光芯片調(diào)制器的載流子色散效應(yīng),分析了調(diào)制器的基本結(jié)構(gòu)MZI干涉結(jié)構(gòu),并從光學(xué)結(jié)構(gòu)和電學(xué)結(jié)構(gòu)兩方面對光調(diào)制器進行理論分析與介紹。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處:支持流水線操作,使取指、譯碼和執(zhí)行等操作可以重疊執(zhí)行。
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光陣列微調(diào)設(shè)備,微調(diào)設(shè)備包括有垂直設(shè)置的第1角度調(diào)節(jié)機構(gòu)與第二角度調(diào)節(jié)機構(gòu),微調(diào)設(shè)備可帶動設(shè)置于微調(diào)設(shè)備上的硅光陣列在垂直的兩個方向?qū)崿F(xiàn)角度微調(diào)。本發(fā)明還提供一種光子芯片測試系統(tǒng)硅光陣列耦合設(shè)備,包括有微調(diào)設(shè)備以及與微調(diào)設(shè)備固定連接的位移臺,位移臺可實現(xiàn)對探針卡進行空間上三個方向的位置調(diào)整。基于光子芯片測試系統(tǒng)硅光陣列耦合方法,可使得硅光陣列良好的對準(zhǔn)到芯片端面的光柵區(qū)間,從而使得測試過程更加穩(wěn)定,結(jié)果更加準(zhǔn)確。利用硅的高折射率差和成熟的制造工藝,硅光子學(xué)被認(rèn)為是實現(xiàn)高集成度光子芯片的較佳選擇。江蘇振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)公司
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點:靈活性大。云南振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)
伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。當(dāng)前,我們把主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類。一類是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?;贗II-V族半導(dǎo)體材料的光互聯(lián)技術(shù),在光學(xué)性能方面較好,但是其成本高,工藝復(fù)雜,加工困難,集成度不高的缺點限制了未來大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以及提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。云南振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)
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