晶圓測(cè)試基本的一點(diǎn)就是：晶圓測(cè)試必須能夠辨別芯片的好壞，并使合格芯片繼續(xù)進(jìn)入下面的封裝工藝。為了確保芯片功能和成品率的有效測(cè)試，封裝廠商和設(shè)備制造者需要不斷探索，進(jìn)而找到高精度、高效率和低成本的測(cè)試方法，并運(yùn)用新的組裝工藝要求對(duì)晶圓片進(jìn)行探測(cè)，這些要求將引起設(shè)備和工藝過(guò)程的重大變化。探針臺(tái)從操作上來(lái)區(qū)分有：手動(dòng)，半自動(dòng)，全自動(dòng)，從功能上來(lái)區(qū)分有：溫控探針臺(tái)，真空探針臺(tái)（低溫探針臺(tái)），RF探針臺(tái)，LCD平板探針臺(tái)，霍爾效應(yīng)探針臺(tái)，表面電阻率探針臺(tái)。探針卡使芯片與封裝后成品管腳焊接質(zhì)量差，容易引起短路。北京芯片測(cè)試探針臺(tái)哪里有

通常，參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)將電流或電壓輸入被測(cè)器件（DUT），然后測(cè)量該器件對(duì)于此輸入信號(hào)的響應(yīng)。這些信號(hào)的路徑為：從測(cè)試儀通過(guò)電纜束至測(cè)試頭，再通過(guò)測(cè)試頭至探針卡，然后通過(guò)探針至芯片上的焊點(diǎn)，到達(dá)被測(cè)器件，并后沿原路徑返回測(cè)試儀器。如果獲得的結(jié)果不盡如人意，問(wèn)題可能是由測(cè)量?jī)x器或軟件所致，也可能是其它原因造成。通常情況下，測(cè)量?jī)x器引進(jìn)一些噪聲或測(cè)量誤差。而更可能導(dǎo)致誤差的原因是系統(tǒng)的其它部件，其中之一可能是接觸電阻，它會(huì)受探針參數(shù)的影響，如探針的材料、針尖的直徑與形狀、焊接的材質(zhì)、觸點(diǎn)壓力、以及探針臺(tái)的平整度。此外，探針尖磨損和污染也會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果造成極大的負(fù)面影響。重慶自動(dòng)探針臺(tái)價(jià)格探針尖接觸電阻即探針尖與焊點(diǎn)之間接觸時(shí)的層間電阻。

探針臺(tái)是半導(dǎo)體（包括集成電路、分立器件、光電器件、傳感器）行業(yè)重要的檢測(cè)裝備之一，其普遍應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。通過(guò)與測(cè)試儀器的配合，探針臺(tái)將參數(shù)特性不符合要求的芯片記錄下來(lái)，在進(jìn)入后序工序前予以剔除，極大降低器件的制造成本。探針臺(tái)主要用于晶圓制造環(huán)節(jié)的晶圓檢測(cè)、芯片研發(fā)和故障分析等應(yīng)用。半導(dǎo)體測(cè)試可以按生產(chǎn)流程可以分為三類：驗(yàn)證測(cè)試、晶圓測(cè)試測(cè)試、封裝檢測(cè)。晶圓檢測(cè)環(huán)節(jié)需要使用測(cè)試儀和探針臺(tái)，測(cè)試儀/機(jī)用于檢測(cè)芯片功能和性能，探針臺(tái)實(shí)現(xiàn)被測(cè)芯片與測(cè)試機(jī)的連接，通過(guò)探針臺(tái)和測(cè)試機(jī)的配合使用對(duì)晶圓上的裸芯片進(jìn)行功能和電參數(shù)測(cè)試或射頻測(cè)試，可以對(duì)芯片的良品、不良品的進(jìn)行篩選。

12英寸晶圓在結(jié)構(gòu)上具有更高的效率，以200mm工藝為例，在良率100%的情況下，可出88個(gè)完整的晶粒，理論上因方塊切割所造成的邊緣浪費(fèi)率為23%(約有20個(gè)晶粒因缺角破損而無(wú)法使用)；而若以300mm工藝進(jìn)行切割，則產(chǎn)出效率將更驚人，可產(chǎn)出193個(gè)完整的晶粒，會(huì)浪費(fèi)19%的晶圓面積(36個(gè)不完整晶粒)。此外，12英寸廠的規(guī)模經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)也不容小視；300mm的建廠成本與200mm的建廠成本比值約為1.5，而晶圓廠建廠成本與晶圓面積的比值卻少于2.25，這意味著只要多投入1.5倍的建廠成本，即可多生產(chǎn)2.25倍的晶粒！少少的邊際投入即可獲取的收益，約可節(jié)省33%的成本；如此高報(bào)酬的投資效益隨著技術(shù)的發(fā)展而讓人們受益。從功能上來(lái)區(qū)分有：高溫探針臺(tái)，低溫探針臺(tái)，RF探針臺(tái)，LCD平板探針臺(tái)，表面電阻率探針臺(tái)。

探針臺(tái)的分類：探針臺(tái)可以按照使用類型與功能來(lái)劃分，也可以按照操作方式來(lái)劃分成：手動(dòng)探針臺(tái)、半自動(dòng)探針臺(tái)、全自動(dòng)探針臺(tái)。手動(dòng)探針臺(tái)：手動(dòng)探針臺(tái)系統(tǒng)顧名思義是手動(dòng)控制的，這意味著晶圓載物臺(tái)和卡盤(pán)、壓盤(pán)、顯微鏡以及定位器/操縱器都是由使用者手動(dòng)移動(dòng)的。因此一般是在沒(méi)有很多待測(cè)器件需要測(cè)量或數(shù)據(jù)需要收集的情況下使用手動(dòng)探針臺(tái)。該類探針臺(tái)的優(yōu)點(diǎn)之一是只需要很少的培訓(xùn)，易于配置環(huán)境和轉(zhuǎn)換測(cè)試環(huán)境，并且不需要涉及額外培訓(xùn)和設(shè)置時(shí)間的電子設(shè)備、PC或軟件。某些針尖壓痕太長(zhǎng)，超出PAD范圍，使PAD周?chē)匿X線短路。北京芯片測(cè)試探針臺(tái)哪里有

隨著探針接觸到焊點(diǎn)金屬的亞表層，這些效應(yīng)將增加。北京芯片測(cè)試探針臺(tái)哪里有

初TI退休工程師杰克·基比(JackSt.ClairKilby)發(fā)明顆單石集成電路，為現(xiàn)代半導(dǎo)體領(lǐng)域奠定基礎(chǔ)時(shí)，晶圓直徑不過(guò)1.25英寸～2英寸之間，生產(chǎn)過(guò)程多以人工方式進(jìn)行。隨著6英寸、8英寸晶圓的誕生，Align/Load的校準(zhǔn)工作和一些進(jìn)階檢測(cè)也開(kāi)始自動(dòng)化；直到12英寸晶圓成形，可謂正式邁入“單鍵探測(cè)”(OneButtonProbing)的全部自動(dòng)化時(shí)代，就連傳輸也開(kāi)始借助機(jī)器輔助；但此時(shí)的測(cè)試大都是轉(zhuǎn)包給專業(yè)的廠商做，且大部分是著重在如何縮短工藝開(kāi)發(fā)循環(huán)的參數(shù)測(cè)試上。北京芯片測(cè)試探針臺(tái)哪里有

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